【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体陶瓷热敏电阻的制备工艺。目前国内生产正温度系数陶瓷热敏电阻是采用搪瓷工业用TiO2和分析纯BaCO3为主要原料以〔(Ba1-xMx)Ti1+δ+0.15-0.3mol%M′〕+SiO2，Al2O3，MnO2，Sb2O3，Li2CO3等掺杂加入物中的一种或多种作配方，(式中MPb、Sr等二价元素，M′Nb、Ta或Y、Ce、La等稀土元素)。国际上，日本特许公报昭53-31554，昭56-6124，美国专利4.096.098，松冈富造等National Tech，Rept.21.329(1975)均报道过采取〔(Ba1-xMx)Ti1+δO3+0.15-0.3mol%M′〕主配方先行合成，而后再引入其它掺杂加入物的常规工艺来制备正温用系数陶瓷热敏电阻。该工艺路线的缺点是当其原料中受主杂质稍高时，所产生的瓷料难于半导化，有时甚至不能半导化，严重影响产品性能，成品率低，工艺难于掌握。本专利技术的目的是克服已有工艺生产的正温度系数陶瓷热敏电阻存在的难于半导化，产品的成品率低，工艺难于掌握的缺点。本专利技术采用SiO2或SiO2+Al2O3在合成主配方前引入...
【技术保护点】
一种正温度系数陶瓷热敏电阻的制备工艺，其特征在于采用Ｂｉｏ↓〔２〕或Ｓｉｏ↓〔２〕＋Ａｌ↓〔２〕Ｏ↓〔３〕在合成主配方前引入的工艺。
【技术特征摘要】
一种正温度系数陶瓷热敏电阻的制备工艺，其特征在于采用S...
【专利技术属性】
技术研发人员：方春行，刘维跃，沈继耀，谈家琪，徐庭献，曲远方，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]
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