一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入ｎ型单晶硅中；利用锌在ｎ型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高Ｂ值热敏电阻器。该电阻器适用于温度计（如体温计）使用的热敏电阻必须是高Ｂ值的元件；集成电路板上表面贴片技术使用的热敏元件要求采用高Ｂ值片式元件；电动机等设备中，需要抑制机器启动时较强的浪涌电流，对设备进行保护；在各类充电设备中，需要使用高Ｂ值的热敏电阻抑制浪涌电流，延长电池的寿命。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻。
技术介绍
功能材料及传感器技术是我国信息技术的三大产业之一。由于负温度系数热敏电阻材料对温度有比较高的灵敏度(B值)，因此用该材料制成的热敏电阻元件一直是传感器技术中最重要，应用面最广，发展最快的一类传感器，为世界各国所重视。目前热敏电阻元件已形成一个独立的产业，全世界每年用量达20亿支，国内每年用量约3-4亿支，并且每年以15-20％的速度增长。预计到2010年，我国将成为世界上生产、应用和销售热敏电阻的大国，国内用量将达到10亿支以上。而目前国内每年生产量仅为1.5亿支左右，国内市场的60-70％被日本、韩国、美国等国家的产品所占有。随着信息技术和电气化的普及和发展，热敏电阻的用量和品种将大幅度增加，特别是一些高精度、高B值/低阻值热敏电阻元件和传感器将成为该行业的短线产品。多年来人们为了提高元件的档次和满足市场对高B值/低阻值特种元件的需求，采用了在氧化物材料中掺杂稀土元素、元件制造中采用多层并串结构等技术，但至今未得到满意的结果。而硅单晶热敏电阻在灵敏度、生产效率和制造成本方面比氧化物热敏电阻更具有优势和竞争力，特别是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，其特征在于该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入ｎ型单晶硅中；利用锌在ｎ型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高Ｂ值热敏电阻器，电学参数为１．５ＫΩ－２４ＫΩ，材料系数Ｂ值３０００－６３５０Ｋ。

【技术特征摘要】
1.一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻，其特征在于该热敏电阻采用真空气相扩散方法，将锌原子作为掺杂剂，掺入n型单晶硅中；利用锌在n型单晶硅中的杂质补偿性质，制备出珠状高B值热敏电阻器，电学参数为1.5KΩ-24KΩ，材料系数B值3000-6350K。2.根据权利要求1所述的一种锌掺杂的负温度系数单晶硅热敏电阻的制备方法，其特征在于按下列步骤进行a、采用初始电阻率为0.1-30Ωcm的n型单晶硅片，用80目金刚砂将两面磨平、磨光；b、将硅片放入去离子水中用超声波清洗去砂，然后用王水煮，再用去离子水清洗；c、将处理好的硅片放入一端封闭的石英管中，再加入扩散源金属锌6...

【专利技术属性】
技术研发人员：巴维真，陈朝阳，丛秀云，蔡志军，崔志明，
申请(专利权)人：中国科学院新疆理化技术研究所，
类型：发明
国别省市：65[中国|新疆]