【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体器件制造，更具体地说，涉及制造具有基本上零“0”电阻率温度系数(TCR)的薄膜电阻器的方法。本专利技术还旨在集成本专利技术的薄膜电阻器与互连结构和/或金属-绝缘体-金属电容器(MIMCAP)的方法。
技术介绍
在半导体集成电路(IC)中，电阻器可用于控制IC的其它电子元件的电阻。本领域的技术人员已知，电阻器的电阻R正比于电阻器的长度L和电阻器截面面积的倒数1/A；L和A在电流流通的方向上测量得到。因此电阻器的电阻的基本等式为R＝L/A，其中如上定义R、L和A。现有技术电阻器典型地由已掺杂的多晶硅构成。随着半导体器件集成的提高，在半导体IC内的各元件必须提供等效或更好的电特性。因此尺寸减小的电阻器必须提供在使用期间波动不大的恒定电阻值。然而，由于多晶硅的特性，由掺杂多晶硅构成的现有技术电阻器仅仅可提供在有限空间内的有限电阻。于是利用多晶硅电阻器提供较高电阻成为设计和制造高度集成半导体器件的问题。最近，掺杂多晶硅电阻器已被由电阻率高于多晶硅的材料构成的单个薄膜电阻器替代。这种较高电阻率材料的实例包括但不限于TiN和TaN。包括36％N2的氮化钽...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种薄膜电阻器，包括至少两种电阻器材料，一种位于另一种上，各电阻器材料具有不同的电阻率温度系数，其中所述不同的电阻率温度系数提供基本上0ppm/℃的有效电阻率温度系数。2.根据权利要求1的薄膜电阻器，还包括位于部分所述两种电阻器材料之间的绝缘材料。3.根据权利要求2的薄膜电阻器，其中所述绝缘材料的最外边缘没有延伸超出所述至少两种电阻器材料的最外边缘。4.根据权利要求1的薄膜电阻器，其中所述至少两种电阻器材料是选自Ta、TaN、Ti、TiN、W以及WN的不同材料。5.根据权利要求1的薄膜电阻器，其中所述至少两种电阻器材料包括第一电阻器材料和第二电阻器材料。6.根据权利要求5的薄膜电阻器，其中所述第一电阻器材料是TaN，并且所述第二电阻器材料是TiN。7.根据权利要求1的薄膜电阻器，其中所述至少两种电阻器材料中的一种位于半导体衬底或介质材料的表面上。8.根据权利要求1的薄膜电阻器，其中所述薄膜电阻器具有等效于并联连接的至少两个电阻器的总电阻。9.根据权利要求1的薄膜电阻器，还包括邻近的金属-绝缘体-金属电容器，所述金属-绝缘体-金属电容器包括底部电极板和顶部电极板，其中所述底部电极板包括所述薄膜电阻器的一种所述电阻器材料，而所述顶部电极板包括所述薄膜电阻器的另一种电阻器材料。10.根据权利要求1的薄膜电阻器，其中所述至少两种电阻器材料包括在互连结构的相同互连层内。11.一种制造薄膜电阻器的方法，包括以下步骤一种在另一种上地形成至少两...
【专利技术属性】
技术研发人员：J·R·阿马登，A·K·金萨肯迪，K·H·翁，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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