厚膜电阻及其制法、厚膜电阻用玻璃组合物及厚膜电阻膏制造技术

本发明专利技术涉及不含铅、温度特性（ＴＣＲ）优良的厚膜电阻。其为在玻璃中分散有导电性材料的厚膜电阻，玻璃中含有贵金属元素。贵金属元素例如为Ａｇ或者Ｐｄ。玻璃中所含有的贵金属元素的含量为小于等于１０质量％。为了在玻璃中导入贵金属，将贵金属作为添加物来添加，控制烧成厚膜电阻时的烘焙时间、冷却速度。或者在厚膜电阻膏中使用预先溶入贵金属元素的玻璃组合物。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及在玻璃中分散导电性材料而形成的厚膜电阻及其制造方法，涉及在玻璃中溶入贵金属元素的新型厚膜电阻及其制造方法。另外，本专利技术还涉及形成厚膜电阻时使用的适宜的厚膜电阻用玻璃组合物，以及使用该玻璃组合物的厚膜电阻膏。
技术介绍
通常，对于将含有作为绝缘体的玻璃和导电性材料的厚膜电阻膏涂布在基板上进行烧成而形成的厚膜电阻，使用氧化钌(RuO2)、钌铅复合氧化物(Pb2Ru2O6)等作为导电材料，使用PbO系玻璃作为玻璃材料。玻璃用来实现与导电材料和基板的粘接剂的作用，通过调整导电性材料和玻璃的比例可以调整电阻值。近年来，由于日趋关注环境问题，例如对于钎焊材料来说，要求排除铅。厚膜电阻也不例外，即在考虑到环境因素时，不仅是PbO系玻璃，就是作为导电性材料的Pb2Ru2O6也必需避免使用。因此，正在研究关于从使用的玻璃和导电性材料等中排除铅的无铅厚膜电阻膏(例如，参照特开平8-253342号公报、特开平10-224004号公报、特开2001-196201号公报、特开平11-251105号公报、特许第3019136号公报)。
技术实现思路
但是，上述专利文献中所记载的专利技术，例如从本文档来自技高网...

【技术保护点】
厚膜电阻，该厚膜电阻是在玻璃中分散有导电性材料而构成，其特征在于，所述玻璃含有贵金属元素。

【技术特征摘要】
JP 2005-2-21 2005-044642;JP 2005-2-21 2005-0446521.厚膜电阻，该厚膜电阻是在玻璃中分散有导电性材料而构成，其特征在于，所述玻璃含有贵金属元素。2.根据权利要求1所述的厚膜电阻，其特征在于，所述玻璃中所含的贵金属元素的含量为小于等于10质量％，但不包括0。3.根据权利要求1所述的厚膜电阻，其特征在于，所述贵金属元素是从Ag、Pd中选择的1种或者2种或2种以上。4.根据权利要求1所述的厚膜电阻，其特征在于，所述贵金属除了包含在所述玻璃中之外，还以析出的状态存在。5.根据权利要求1所述的厚膜电阻，其特征在于，所述导电性材料包含从CaRuO3、BaRuO3、SrRuO3、Bi2Ru2O7、RuO2中选择的1种或者2种或2种以上。6.根据权利要求1所述的厚膜电阻，其特征在于，所述玻璃的组成为选自CaO、SrO、BaO中的1种或者2种或2种以上13～45mol％；选自B2O3、SiO2中的1种或2种35～80mol％；选自ZrO2、Al2O3中的1种或2种0～11mol％；选自Ta2O5、Nb2O5中的1种或2种0～8mol％；MnO0～15mol％选自贵金属元素中的1种或者2种或2种以上0.1～10mol％。7.厚膜电阻的制造方法，其特征在于，在使用含有玻璃组合物、导电性材料和贵金属的电阻膏并将其烧成形成厚膜电阻时，控制烧成时的烧成条件，使贵金属元素溶入玻璃中。8.厚膜电阻的制造方法，其特征在于，使用含有贵金属元素的玻璃组合物，将含有该玻璃组合物和导电性材料的电阻膏进行烧成。9.厚膜电阻用玻璃组合物，其特征在于，具有如下组成选自CaO、...

【专利技术属性】
技术研发人员：五十岚克彦，田中博文，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]