过电流保护装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及过电流保护的装置和方法。所述装置是利用一个由高分子正温度系数材料所组成的基板，其上覆以一个上电极和下电极以形成一个主要结构，其中所述上电极和下电极相互连通，再经由蚀刻所述主要结构形成复数个沟槽。依本发明专利技术所提供的两种过电流保护的制作方法，可分别形成具有部分三面电极包覆和部分五面电极包覆的过电流保护元件，其中所述过电流保护元件均具有可调整电极宽度的特性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种过电流保护装置及其制造方法，并且特别涉及一种无需利用钻孔且制程很少的过电流保护装置及其制造方法，其中所述过电流保护装置依据不同的实施方面而有三面或五面结构的端电极。
技术介绍
为了保护电子系统当发生电流问题时不造成烧毁系统的状况发生，电子系统均采用过电流保护装置。目前大多数的过电流保护装置都采用一种高分子正温度系数材料(PPTC)为主体，其特性为当温度上升到特定温度时，聚合物的电阻值会急速升高以阻断电流，因此可通过此特性来制作保护电路或元件。常规的过电流保护装置主要使用钻孔来形成，也因此需要形成钻孔的设备，除了设备的支出外，同时也会造成PPTC基板材料的浪费；此外，美国专利第5,884,391号中也揭示一种利用PPTC元件制造电气装置的制程，其中利用一平板PPTC材料先形成一系列的裸空部分，而所述裸空部分作电镀形成端电极后，再切成晶粒，以形成PPTC元件，而其只作出三个面的端电极，即在裸空部分的上面、下面和侧面。虽然所述专利已揭示一种无需无需钻孔的过电流保护元件的制程，但由于过电流保护元件是设计为在过电流发生时对电子系统发挥保护的作用，因而其除了需要更少的制程以降低成本外，其设计上更需要朝向优选的散热性、应力，甚至其它更弹性化的设计以符合不同的实用需求。根据上述缺点，有必要提供一种无需利用钻孔且制程很少的，其不仅可加速过电流保护装置的制程，且具有散热性较好、应力预防能力较好、并可调整电极宽度等优点。
技术实现思路
根据本专利技术的过电流保护装置的结构，其中部分三面电极包覆，且PPTC端面全部与电极接触。为了减少因电极过宽将造成电路空间的浪费，本专利技术的过电流保护装置的电极宽度可以调整，以符合表面粘着型(SMD)过电流保护元件作业的最好需求。此外，内电极均被包覆在高分子内部，因此本专利技术的过电流保护装置的耐环境和电性可靠度很好，此为本专利技术的第一目的。根据本专利技术的过电流保护装置的结构，其中部分五面电极包覆，因此，电极与PPTC材料的接触面积较大(大于端面的全部)，以使本专利技术的过电流保护装置具较好的散热功能，此为本专利技术的第二目的。为达到上述目的，根据本专利技术的过电流保护装置的第一观点，所述过电流保护装置包括一基板(10)，其具有一上表面、一下表面、一左表面、一右表面、一左端面和一右端面；其中，所述基板(10)的所述上表面和下表面分别覆有一个上电极(12)和一个下电极(13)以形成一个主要结构，其中所述上电极和下电极相互连通，所述主要要结构具有分别对应于基板的上表面、下表面、左端面、右端面的上表面、下表面、左端面、右端面；所述基板(10)的上电极(12)和该下电极(13)分别具有覆于其上的一个上绝缘层(16a)、一个下绝缘层(16b)；和其中所述基板(10)主要结构(30)的右端面、左端面和其附近的上表面和下表面覆盖着电极层，以便在所述左端面和所述右端面处分别形成覆盖着三表面的电极层，且其端面全部与电极接触。根据本专利技术的过电流保护装置的第二观点，所述过电流保护装置包括一基板(10)，其具有一上表面、一下表面、一左表面、一右表面、一左端面和一右端面；其中所述基板(10)的所述上表面和下表面分别覆有一上电极(12)和一下电极(13)以形成一主要结构，其中所述上电极和下电极相互连通，所述主要结构具有分别对应于基板(10)的上表面、下表面、左端面、右端面的上表面、下表面、左端面、右端面；所述基板(10)的上电极(12)和下电极(13)具有复数个沟渠，且其上覆有一上绝缘层(16a)和一下绝缘层(16b)；和其中所述主要结构(30)的右端面、左端面和其附近的上表面和下表面覆盖着电极层，以便在所述左端面和所述右端面处分别形成覆盖着五表面的电极层。根据本专利技术利用一个基板制作前述过电流保护装置的方法的第一观点，其中所述基板(10)具有一上表面、一下表面、一左表面、一右表面、一左端面和一右端面，所述方法包含以下步骤(a)形成一主要结构(30)，其中所述主要结构由在所述基板(10)的上表面覆以一上电极(12)并在所述基板(10)的下表面覆以一下电极(13)所组成；(b)蚀刻所述主要结构的所述上电极(12)和下电极(13)，以在其上形成复数个沟槽(14)；(c)将一上绝缘层(16a)覆盖到所述主要结构(30)的所述上表面(30a)，并将一下绝缘层(16b)覆盖到所述主要结构的下表面(30b)；(d)将所述主要结构(30)切割成为复数个长条状结构；(e)电镀所述长条状结构，从而在所述长条状结构形成复数个电极(18)；和(f)切割所述长条状结构，以将所述长条状结构切割成复数个过电流保护装置。根据本专利技术利用一个基板制作前述过电流保护装置的方法的第二观点，其中所述基板(10)具有一上表面、一下表面、一左表面、一右表面、一左端面和一右端面，所述方法包含以下步骤(a)形成一个主要结构，其中所述主要结构(30)由在所述基板(10)的上表面(30a)覆以一上电极(12)并在所述基板(10)的下表面(30b)覆以一下电极(13)所组成；(b)蚀刻所述主要结构的所述上电极(12)和下电极(13)，以在其上形成复数个沟槽(14)；(c)在所述主要结构上进行一冲压步骤；(d)将一上绝缘层(16a)覆盖到所述主要结构(30)的所述上表面(30a)，并将一下绝缘层(16b)覆盖到所述主要结构的下表面(30b)；(e)切割所述主要结构(30)成为复数个晶粒状结构；和(f)电镀所述晶粒状结构以形成复数个过电流保护装置。有关本专利技术的详细构成，其它目的与功效，参照下列所作的说明，即可得到完全的了解。附图说明图1为本专利技术过电流保护装置第一实施例的结构示意图。图2a一2c为本专利技术过电流保护装置的第一实施例的蚀刻步骤示意图。图3a-3c为本专利技术过电流保护装置的第一实施例中所述装置覆以绝缘层后的示意图。图4a-4b为本专利技术过电流保护装置的第一实施例中经切割的长条状结构的示意图。图5a-5c为本专利技术过电流保护装置的第一实施例中所述装置经电镀的示意图。图6为本专利技术过电流保护装置第二实施例的结构示意图。图7a-7c为本专利技术过电流保护装置的第二实施例的蚀刻步骤示意图。图8为本专利技术过电流保护装置的第二实施例中所述装置经冲压的示意图。图9a-9c为本专利技术过电流保护装置的第二实施例中所述装置覆以绝缘层的示意图。图10a-10c为本专利技术过电流保护装置的第二实施例中所述装置经切割为晶粒状结构的示意图。图11a和11b为本专利技术过电流保护装置的第二实施例中所述装置经电镀的示意图。具体实施例方式本专利技术即针对过电流保护装置结构提出如图1到图11的解决方案。本专利技术的过电流保护装置结构如图1到5c所示的第一实施例。首先，准备一种如图1中的基板(10)，其中所述基板(10)具有一上表面(10a)、一下表面(10b)、一左表面(10c)、一右表面(10d)、一左端面(10e)和一右端面(10f)。如图1所示在所述基板(10)的上表面覆以一上电极(12)，并在所述基板(10)的下表面覆以一下电极(13)，以形成一主要结构(30)，其中所述上电极和下电极相互连通。之后如图2b所示，蚀刻所述主要结构的所述上电极(12)，以在其上形成复数个沟槽(14)，经蚀刻后，原上电极(12)可区分为上左电极(1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种过电流保护装置，其包括：一基板（１０），其具有：一上表面、一下表面、一左表面、一右表面、一左端面和一右端面；其中所述基板（１０）的所述上表面和下表面分别覆有一上电极（１２）和一下电极（１３）以形成一主要结构，其具有分别对 应于基板的上表面、下表面、左表面、右表面、左端面和右端面的上表面、下表面、左表面、右表面、左端面和右端面；所述基板（１０）的上电极（１２）和所述下电极（１３）其上分别覆有一上绝缘层（１６ａ）、一下绝缘层（１６ｂ）；和其中所述 主要结构（３０）的右端面、左端面和其附近的上表面和下表面覆盖着电极层，以便在所述左端面和所述右端面处分别形成覆盖着三表面的电极层，且其端面全部与电极接触。

【技术特征摘要】
1.一种过电流保护装置，其包括一基板(10)，其具有一上表面、一下表面、一左表面、一右表面、一左端面和一右端面；其中所述基板(10)的所述上表面和下表面分别覆有一上电极(12)和一下电极(13)以形成一主要结构，其具有分别对应于基板的上表面、下表面、左表面、右表面、左端面和右端面的上表面、下表面、左表面、右表面、左端面和右端面；所述基板(10)的上电极(12)和所述下电极(13)其上分别覆有一上绝缘层(16a)、一下绝缘层(16b)；和其中所述主要结构(30)的右端面、左端面和其附近的上表面和下表面覆盖着电极层，以便在所述左端面和所述右端面处分别形成覆盖着三表面的电极层，且其端面全部与电极接触。2.根据权利要求1所述的过电流保护装置，其中所述基板具有至少一高分子正温度系数材料层。3.一种利用一基板(10)制造过电流保护装置的方法，其中所述基板(10)具有一上表面、一下表面、一左表面、一右表面、一左端面和一右端面，所述方法包含以下步骤(a)形成一主要结构(30)，其中所述主要结构由在所述基板(10)的上表面覆以一上电极(12)并在所述基板(10)的下表面覆以一下电极(13)所组成；(b)蚀刻所述主要结构的所述上电极(12)和下电极(13)，以在其上形成复数个沟槽(14)；(c)将一上绝缘层(16a)覆盖到所述主要结构(30)的所述上表面(30a)，并将一下绝缘层(16b)覆盖到所述主要结构(30)的下表面(30b)；(d)将所述主要结构(30)切割成复数个长条状结构；(e)电镀所述长条状结构，以在所述长条状结构上形成复数个电极(18)；和(f)切割所述长条状结构，以将所述长条状结构切...

【专利技术属性】
技术研发人员：李英正，郭义龙，
申请(专利权)人：积创科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]