【技术实现步骤摘要】
一种光阻剥离剂的存储器
[0001]本技术涉及储藏
,具体为一种光阻剥离剂的存储器。
技术介绍
[0002]光阻通常使用在紫外光波段或更小的波((小于400纳))。例如DNQ在300纳米到450纳米间有很强的吸收。正型光阻剂及负型光阻剂主要是应用在LED芯片制造的金属电极蒸镀Lift
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off制程中,由于LED电极所使用的金属材料不易经由蚀刻的方式制作电路图形,所以利用拔起(Lift
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off)微影制程,得到突起的(Overhang)光阻图形,使金属在蒸镀过程中不会连续性满布在光阻剂上,再用去光阻剂的方式将未遭金属布盖的光阻部分拔起,完成金属电极的图案。半导体制程常用的正型光阻剂,在光学曝光方式下,光阻剂上层接受能量较下层光阻高,使得正型光阻剂成像大部分图形为上窄下宽,无法经一次曝光方式即得到Overhang的图形,而负型光阻剂的成像恰好与正型光阻剂图像相反,所以负型光阻剂是lift
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off制程的最佳选择;
[0003]传统的光阻剥离剂通常采用玻璃瓶进行储 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光阻剥离剂的存储器,包括储存构件(10)与提拉机构(20);其特征在于:所述的提拉机构(20)密封连接在所述的储存构件(10)的上端,所述的提拉机构(20)的底部延伸至所述的储存构件(10)的内部底端,且所述的储存构件(10)的内部装载有剥离剂。2.根据权利要求1所述的一种光阻剥离剂的存储器,其特征在于:所述的储存构件(10)包括防护壳体(11)与玻璃筒(13),所述的防护壳体(11)的外壁上设置有观测槽口(12),所述的观测槽口(12)贯穿防护壳体(11)的内外壁设置,所述的玻璃筒(13)套接在所述的防护壳体(11)的内部,且所述的玻璃筒(13)与提拉机构(20)在防护壳体(11)的上端密封连接。3.根据权利要求2所述的一种光阻剥离剂的存储器,其特征在于:所述的提拉机构(20)包括密封盖(21)与提拉杆(24),所述的密封盖(21)的底部设置有螺旋件(22),所述的螺旋件(22)外部套接有密封圈(23),所述的螺旋件(22)的外壁与所述的玻璃筒(13)的内壁相抵接,且所述的密封盖(21)的底部抵接在所述的储存构件(10)的上端端口处,所述的提拉杆(24)的上端连接在螺旋件(22)的底部,且所述的提拉杆(24)延伸至玻璃筒(13)的内部,所述的提拉杆(24)的另一端连接有底托(25),所述的底托(25)上端密封连接有密封活塞(26)...
【专利技术属性】
技术研发人员:钟兴进,
申请(专利权)人:广州市鸿浩光电半导体有限公司,
类型:新型
国别省市:
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