一种用于芯片封装的真空共晶设备制造技术

本发明专利技术公开了一种用于芯片封装的真空共晶设备，包括机体、位于所述机体上的下腔体以及位于所述下腔体上的上腔盖；所述下腔体嵌入所述机体内，所述机体上设置有控制盒；所述下腔体内设置有加热组件与石墨板，所述加热组件数量为多组且在所述下腔体内部呈间隔分布，所述加热组件包括自内而外设置的加热管与石英管，所述加热管产生的热量经所述石英管辐射至所述石墨板底部，所述石墨板受热后在上表面形成加热面；所述上腔盖边缘通过锁合结构与所述下腔体连接，所述锁合结构包括安装于所述上腔体上的固定块以及位于所述下腔体上的锁合密封圈。本发明专利技术形成共晶设备的加热腔体，使密封加热腔体内能够承受一定程度的气体压力，保证加热的稳定性。加热的稳定性。加热的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片封装的真空共晶设备


[0001]本专利技术属于共晶焊接
，尤其涉及一种用于芯片封装的真空共晶设备。

技术介绍

[0002]共晶焊接是微电子组装中的一种重要的固晶工艺，与传统的环氧树脂胶粘接相比，共晶焊接具有导热系数高、热阻低、散热快、可靠性强、机械强度大等优点，因此，它广泛运用在LED、大功率器件、高频器件的晶片与基板、基板与管壳(围坝)、管壳与封帽(透镜)之间电气与机械互联。
[0003]现有的固晶机主要针对流水化作业中的产品批量化共晶焊接，因此其具有体积大、功耗高、操作不便等缺点。在热源方面，现有的真空共晶机普遍采用热板型加热器，能够较快地为焊接过程提供较快的加热速率和较高的加热温度，但其能耗过高，在应对小批量场景下的共晶焊接能耗利用率低，效率低。在体积方面，现有的真空共晶机普遍存在体积大、不易操作等诸多缺点。同时，在焊接气氛保护方面，还不具备真空、氮气、甲酸三种保护气氛下兼容的小型化设备。

技术实现思路

[0004]本专利技术克服了现有技术的不足，提供一种用于芯片封装的真空共晶设备，以解决现有技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于芯片封装的真空共晶设备，其特征在于，包括机体、位于所述机体上的下腔体以及位于所述下腔体上的上腔盖；其中：所述下腔体嵌入所述机体内，所述机体上设置有控制盒；所述下腔体内设置有加热组件与石墨板，所述加热组件数量为多组且在所述下腔体内部呈间隔分布，所述加热组件包括自内而外设置的加热管与石英管，所述加热管产生的热量经所述石英管辐射至所述石墨板底部，所述石墨板受热后在上表面形成加热面；所述上腔盖边缘通过锁合结构与所述下腔体连接，所述锁合结构包括安装于所述上腔体上的固定块以及位于所述下腔体上的锁合密封圈，所述固定块与所述上腔体之间存在卡槽，所述锁合密封圈上设有扣合槽，所述锁合密封圈通过安装块与所述下腔体连接，所述锁合密封圈为e形密封圈。2.根据权利要求1所述的一种用于芯片封装的真空共晶设备，其特征在于，所述控制盒与所述加热管电性连接，所述控制盒对所述加热管进行精准温度控制。3.根据权利要求1所述的一种用于芯片封装的真空共晶设备，其特征在于，所述机体上设有真空管路，所述真空管路与外部真空泵连接。4.根据权利要求1所述的一种用于芯片...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓东，朱圣远，范俊杰，
申请(专利权)人：赛湃半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：