半导体结构的制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体结构的制备方法，其包括：提供具有若干个第一沟槽的衬底，相邻所述第一沟槽之间形成有第一图案；形成第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一图案的侧壁；形成第二介质层，所述第二介质层填充所述第一沟槽；隔断所述第一图案形成第二图案；去除所述第二介质层。其优点是：通过至少在第一图案的侧壁上形成第一介质层作为保护层，这样当对第一图案进行刻蚀形成第二图案时，由于第一图案的侧壁始终受到第一介质层的保护，由隔断形成的第二图案所构成的有源区的末端在刻蚀过程中就不容易遭到破坏。蚀过程中就不容易遭到破坏。蚀过程中就不容易遭到破坏。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构的制备方法。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(DRAM)是一种广泛应用于多计算机系统的半导体存储器，随着半导体集成电路器件技术的发展，动态随机存储器的关键尺寸也越来越小，例如，有源区(active area，AA)的尺寸越来越小，这对半导体制备工艺的要求就变的非常高，当有源区的宽度非常小的时候，采用现有的刻蚀工艺，在刻蚀形成有源区时往往会对细长的有源区的末端部分(the end of elongated active area)造成破坏。

技术实现思路

[0003]基于此，有必要针对刻蚀过程中对细长的有源区的末端部分造成破坏的问题，提供一种半导体结构的制备方法，可以避免当进行刻蚀形成有源区时对有源区的末端部分造成的破坏。
[0004]一种半导体结构的制备方法，其特征是，包括：
[0005]提供具有若干个第一沟槽的衬底，相邻所述第一沟槽之间形成有第一图案；
[0006]形成第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供具有若干个第一沟槽的衬底，相邻所述第一沟槽之间形成有第一图案；形成第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一图案的侧壁；形成第二介质层，所述第二介质层填充所述第一沟槽；隔断所述第一图案形成第二图案；去除所述第二介质层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一图案的侧壁包括：于所述第一图案的侧壁以及所述第一沟槽的底部形成第一介质层。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一图案的侧壁包括：于所述第一图案的侧壁、所述第一沟槽的底部以及所述第一图案的上表面形成所述第一介质层。4.根据权利要求2或3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，形成所述第一介质层之后且形成所述第二介质层之前还包括：去除位于所述第一沟槽底部的所述第一介质层。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一图案的宽度≤20nm。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：相邻所述第一图案之间的间距≤30nm。7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一介质层的硬度大于所述第二介质层的硬度。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第一介质层包括二氧化硅层。9.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：所述第二介质层包括旋涂碳层或旋涂玻璃层。10.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：隔断所述第一图案形成所述第二图案包括：于各所述第一图案上形成多个第二沟槽，以将各所述第一图案分割为多个第二图案。11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于：去除所述第二介质层之后还包括：于所述第一沟槽以及所述第二沟槽中填充第...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱一明，应战，张强，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：