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本发明提供一种半导体结构的制备方法，其包括：提供具有若干个第一沟槽的衬底，相邻所述第一沟槽之间形成有第一图案；形成第一介质层，所述第一介质层至少覆盖所述第一图案的侧壁；形成第二介质层，所述第二介质层填充所述第一沟槽；隔断所述第一图案形成第二...
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