半导体结构的制作方法及半导体结构技术

本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，半导体结构的制作方法包括提供基底，在基底上形成位线接触区，位线接触区内具有第一凹槽；在第一凹槽内形成第一位线接触层，第一凹槽内的第一位线接触层围合成第二凹槽；在第二凹槽内形成扩散层，位于第二凹槽内的扩散层围合成第三凹槽；在第三凹槽内形成第二位线接触层，位于第三凹槽内的第二位线接触层具有缝隙；对扩散层进行处理，以使扩散层中的离子向第一位线接触层和第二位线接触层中扩散，并填充满缝隙。本公开通过在位线接触区内形成扩散层，并对扩散层进行处理，有效修复半导体结构中的深层缝隙，进而减小半导体结构的电阻，从而有效提高产品良率和半导体结构的性能。性能。性能。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制作方法及半导体结构


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种半导体结构的制作方法及半导体结构。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(DRAM，Dynamic Random Access Memory)具有体积小、集成度高、功耗低的优点，同时速度比只读存储器(ROM，Read Only Memory)快。随着半导体行业的不断发展，对半导体结构的要求越来越高。
[0003]而在现有技术中，半导体结构中的位线接触层一般利用低压化学气相沉积炉管方式生长，通过该类工艺生长的位线接触层在其内部会出现薄膜缝隙。现行针对薄膜缝隙的修复方法是对位线接触层回刻预定深度，然后注入锗离子后再进行快速热退火的方式来修复，但由于离子注入深度的限制以及剂量能量的变化会对半导体结构的电性产生影响，而且只能修复薄膜缝隙的表层，其并不能修复整个薄膜缝隙，导致半导体结构的性能下降。

技术实现思路

[0004]以下是对本公开详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
[0005]本公开提供了一种半导体结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法包括：提供基底，在所述基底上形成位线接触区，所述位线接触区内具有第一凹槽；在所述第一凹槽内形成第一位线接触层，所述第一位线接触层延伸至所述第一凹槽外并覆盖在所述基底上，所述第一凹槽内的所述第一位线接触层围合成第二凹槽；在所述第一位线接触层上形成扩散层，所述扩散层延伸至所述第二凹槽外并覆盖在所述第一位线接触层上，其中，位于所述第二凹槽内的所述扩散层围合成第三凹槽；在所述第三凹槽内形成第二位线接触层，所述第二位线接触层延伸至所述第三凹槽外并覆盖于所述扩散层上，其中，位于所述第三凹槽内的所述第二位线接触层具有缝隙；对所述扩散层进行处理，以使所述扩散层中的离子向所述第一位线接触层和所述第二位线接触层中扩散，并填充满所述缝隙。2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第二凹槽内形成扩散层中，包括：通过化学气相沉积工艺形成锗层或锗化硅层，形成所述扩散层。3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述第二凹槽内形成扩散层的步骤之后，所述半导体结构的制作方法还包括：对所述扩散层进行离子掺杂处理，掺杂离子包括：锗离子、硼离子、磷离子和氮离子中的一种或多种。4.根据权利要求1
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3任一项所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述对所述扩散层进行处理中，包括：对所述扩散层进行快速热退火处理。5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：在所述基底上形成隔离结构。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述基底上形成隔离结构的步骤中，包括：在所述基底的顶面上形成多个沿第一方向间隔设置的隔离沟槽；在所述隔离沟槽内形成隔离结构。7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述半导体结构的制作方法还包括：在所述基底内形成多个沿第二方向间隔设置的字线，所述第二方向与所述第一方向具有不为零的夹角。8.根据权利要求7所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述基底内形成多个沿第二方向间隔设置的字线的步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈诚，洪海涵，黄俊杰，王晓玲，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：