一种半导体封装制造技术

本实用新型专利技术涉及一种半导体封装。根据本实用新型专利技术的一些实施例，一种半导体封装包含：电子部件、导热层以及第一导热元件。电子部件具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。导热层位于所述电子部件的所述第一表面附近。第一导热元件位于所述电子元件中，其中所述第一导热元件从所述电子元件的所述第一表面延伸并与所述导热层热耦合。伸并与所述导热层热耦合。伸并与所述导热层热耦合。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装


[0001]本申请大体涉及半导体封装技术，尤其涉及嵌入式散热结构。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的发展和集成度的不断提高，现有存储器封装可不仅包含存储器裸片，还可包含存储器控制器或其他各种功能裸片。
[0003]在操作过程中，存储器封装中的各种裸片的功率密度往往存在显着区别，导致存储器封装内不同区域的温度分布极不均匀。例如，功率密度较高的区域可产生若干热点，使得该区域的温度明显高于功率密度较低区域的温度。由于高温区域和低温区域在存储器封装内彼此相邻，致使高温区域的热量不可避免地传导至邻近的低温区域，从而导致低温区域升温。
[0004]通常，低温区域内的裸片(例如NAND、DRAM、3DXP等类型的存储器裸片)对温度比较敏感且具有较低的温度容限，极易在相邻高温区域的热辐射影响下发生性能下降甚至出现可靠性问题。然而，现有技术尚缺乏能够有效减少或移除上述热点的解决方案。
[0005]有鉴于此，本领域迫切需要提供改进方案以解决上述问题。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本申请提供了一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其特征在于包含：电子部件，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；导热层，其位于所述电子部件的所述第一表面附近；以及第一导热元件，其位于所述电子部件中，其中所述第一导热元件从所述电子部件的所述第一表面延伸并与所述导热层热耦合。2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述电子部件包含第一区域和第二区域，其中所述第一区域比所述第二区域消耗更多的功率且所述第一导热元件位于所述第一区域附近。3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述第一导热元件与所述第一区域热耦合。4.根据权利要求2所述的半导体封装，其进一步包含位于所述电子部件的所述第二表面附近的重分布层，其中所述第一区域和所述第二区域通过所述重分布层彼此热连接。5.根据权利要求2或4所述的半导体封装，其进一步包含位于所述电子部件中的第二导热元件，其中所述第二导热元件从所述电子部件的所述第一表面延伸并位于所述第二区域附近。6.根据权利要求5所述的半导体封装，其中所述第二导热元件与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：新型
国别省市：