一种GBU封装的引线框架结构及GBU封装结构制造技术

本发明专利技术涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种GBU封装的引线框架结构，其中，包括：第一框架本体、第二框架本体、第三框架本体和第四框架本体，第二框架本体与第一框架本体之间以及第三框架本体与第一框架本体之间均平行且间隔设置，且第二框架本体上至少与第一框架本体相邻的拐角以及第三框架本体上至少与第一框架本体相邻的拐角均呈直角，第四框架本体与第三框架本体之间平行且间隔设置，且第四框架本体上至少与第三框架本体相邻的拐角呈直角。本发明专利技术还公开了一种GBU封装结构。本发明专利技术提供的GBU封装的引线框架结构解决了现有技术中由于基岛面积而导致硅晶片尺寸受限的问题。由于基岛面积而导致硅晶片尺寸受限的问题。由于基岛面积而导致硅晶片尺寸受限的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种GBU封装的引线框架结构及GBU封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种GBU封装的引线框架结构及一种GBU封装结构。

技术介绍

[0002]标准的GBU（Glass passivated Bridge rectifier Unit）封装形式的引线框架为四个基岛，中间通过Clip（跳线）与硅晶片，外引脚相连，工艺流程为PAD（基岛）上点锡膏，锡膏上放置硅晶片，硅晶片上再点上锡膏，焊接跳线，通过四根Clip（跳线）相互连接。
[0003]如图1所示，现有的GBU封装框架主要存在以下缺点：脚架PAD面积偏小；所能够安装硅晶片的最大尺寸受限（目前只能安装硅晶片的最大尺寸为140mil，mil为长度单位，1mil=0.0254mm）；现有的跳线没有折弯，只能使用脚架上的凸点来满足跳线连接处高度的差距，因而网板厚度需增加一个凸点高度以上，从而使得网板制作难度增加。
[0004]鉴于现有技术的GBU封装框架存在以上缺点，如何提供一种新的GBU封装框架成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术提供了一种GBU封装的引线框架结构及一种GBU封装结构，解决相关技术中存在的GBU封装框架存在的缺陷问题。
[0006]作为本专利技术的第一个方面，提供一种GBU封装的引线框架结构，其中，包括：第一框架本体、第二框架本体、第三框架本体和第四框架本体，所述第一框架本体、第二框架本体、第三框架本体和第四框架本体均连接有引脚，所述第一框架本体和所述第四框架本体位于两侧，所述第二框架本体和所述第三框架本体位于中间，所述第二框架本体与所述第一框架本体之间以及所述第三框架本体与所述第一框架本体之间均平行且间隔设置，且所述第二框架本体上至少与所述第一框架本体相邻的拐角以及所述第三框架本体上至少与所述第一框架本体相邻的拐角均呈直角，所述第四框架本体与所述第三框架本体之间平行且间隔设置，且所述第四框架本体上至少与所述第三框架本体相邻的拐角呈直角，所述第二框架本体、第三框架本体以及第四框架本体上均设置有基岛，所述基岛用于安装硅晶片，所述第二框架本体的基岛上安装的硅晶片以及所述第三框架本体的基岛上安装的硅晶片均与所述第一框架本体通过跳线连接，所述第四框架本体的基岛上安装的硅晶片分别与所述第二框架本体和第三框架本体通过跳线连接。
[0007]进一步地，所述第二框架本体靠近所述第一框架本体的位置设置第一基岛，所述第三框架本体靠近所述第一框架本体的位置设置第二基岛，所述第四框架本体上间隔设置有第三基岛和第四基岛，所述第一基岛、第二基岛、第三基岛和第四基岛均用于安装硅晶片，所述第一基岛上安装的硅晶片与所述第一框架本体之间通过第一跳线连接，所述第二基岛上安装的硅晶片与所述第一框架本体之间通过第二跳线连接，所述第三基岛上安装的硅晶片与所述第二框架本体之间通过第三跳线连接，所述第四基岛上安装的硅晶片与所述
第三框架本体之间通过第四跳线连接，所述第一跳线、第二跳线、第三跳线以及第四跳线的形状结构均相同。
[0008]进一步地，所述第一跳线、第二跳线、第三跳线以及第四跳线均包括中间凸起两边折弯的“几”字型跳线。
[0009]进一步地，所述第一框架本体、第二框架本体和第四框架本体上均设置有定位孔。
[0010]进一步地，所述第一框架本体、第二框架本体、第三框架本体和第四框架本体与所述引脚的连接边缘处均设置有多个切槽。
[0011]进一步地，所述切槽的数量为8个。
[0012]作为本专利技术的另一个方面，提供一种GBU封装结构，其中，包括封装壳体和位于所述封装壳体内的前文所述的GBU封装的引线框架结构。
[0013]本专利技术提供的GBU封装的引线框架结构，通过将每个框架本体与相邻框架本体均平行间隔设置，且相邻框架本体的拐角位置均为直角，与现有技术的圆弧状相比，增大了在框架本体上设置基岛的面积，从而可以使得基岛所能够焊接硅晶片的尺寸增大，解决了现有技术中由于基岛面积而导致硅晶片尺寸受限的问题。另外，该GBU封装的引线框架结构的外形尺寸并未改变，还是与之前的外形尺寸一样，通过改变框架本体的形状增加了基岛的面积。
附图说明
[0014]附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。
[0015]图1为现有技术中的引线框架结构示意图。
[0016]图2为本专利技术提供的GBU封装的引线框架结构的结构示意图。
[0017]图3为本专利技术提供的跳线结构示意图。
[0018]图4为本专利技术提供的切槽结构示意图。
[0019]图5为图4所示切槽的放大图。
[0020]图6为本专利技术提供的GBU封装结构的整体结构示意图。
具体实施方式
[0021]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互结合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。
[0022]为了使本领域技术人员更好地理解本专利技术方案，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本专利技术保护的范围。
[0023]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包括，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清
楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0024]在本实施例中提供了一种GBU封装的引线框架结构，图2是根据本专利技术实施例提供的GBU封装的引线框架结构的结构示意图，如图2和图3所示，包括：第一框架本体110、第二框架本体120、第三框架本体130和第四框架本体140，所述第一框架本体110、第二框架本体120、第三框架本体130和第四框架本体140均连接有引脚500，所述第一框架本体110和所述第四框架本体140位于两侧，所述第二框架本体120和所述第三框架本体130位于中间，所述第二框架本体120与所述第一框架本体110之间以及所述第三框架本体130与所述第一框架本体110之间均平行且间隔设置，且所述第二框架本体120上至少与所述第一框架本体110相邻的拐角以及所述第三框架本体130上至少与所述第一框架本体110相邻的拐角均呈直角，所述第四框架本体140与所述第三框架本体130之间平行且间隔设置，且所述第四框架本体140上至少与所述第三框架本体130相邻的拐角呈直角，所述第二框架本体120、第三框本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GBU封装的引线框架结构，其特征在于，包括：第一框架本体、第二框架本体、第三框架本体和第四框架本体，所述第一框架本体、第二框架本体、第三框架本体和第四框架本体均连接有引脚，所述第一框架本体和所述第四框架本体位于两侧，所述第二框架本体和所述第三框架本体位于中间，所述第二框架本体与所述第一框架本体之间以及所述第三框架本体与所述第一框架本体之间均平行且间隔设置，且所述第二框架本体上至少与所述第一框架本体相邻的拐角以及所述第三框架本体上至少与所述第一框架本体相邻的拐角均呈直角，所述第四框架本体与所述第三框架本体之间平行且间隔设置，且所述第四框架本体上至少与所述第三框架本体相邻的拐角呈直角，所述第二框架本体、第三框架本体以及第四框架本体上均设置有基岛，所述基岛用于安装硅晶片，所述第二框架本体的基岛上安装的硅晶片以及所述第三框架本体的基岛上安装的硅晶片均与所述第一框架本体通过跳线连接，所述第四框架本体的基岛上安装的硅晶片分别与所述第二框架本体和第三框架本体通过跳线连接。2.根据权利要求1所述的GBU封装的引线框架结构，其特征在于，所述第二框架本体靠近所述第一框架本体的位置设置第一基岛，所述第三框架本体靠近所述第一框架本体的位置设置第二基岛，所述第四框架本体上...

【专利技术属性】
技术研发人员：方敏清，
申请(专利权)人：强茂电子无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：