半导电水密组合物制造技术

对绞合的导体，采用挤出被覆法等往导体导线束之间填充水密性组合物，在该填充的同时，即得到可形成半导电层或内部半导电层的半导电水密组合物。另外，可得到把该半导电水密组合物填充至导体导线束之间，并且被覆在导体上的绝缘电线。在绞合导体（１）上挤出被覆半导电水密组合物，填充在导体（１）导线束之间的空隙，形成水密层（２），同时，还在导体（１）外周围面上被覆，形成半导电层（３）。半导电水密组合物使用含有：含交联性聚乙烯的基础聚合物１００重量份、吸水性聚合物１～２０重量份和作为炭黑的乙炔炭黑或炉法炭黑４０～８０重量份或者作为炭黑的副产炭黑５～５０重量份为必须成分的树脂组合物。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及具有半导电性和水密性的半导电水密组合物以及使用它的绝缘电线。在上述水密绝缘电线中，为了往导体的导线束间填充水密性树脂组合物，在作为导体的导线束绞合(合股)时，通过将水密性树脂组合物构成的带、编带(ひも)同时绞合来进行，存在操作麻烦的缺点。为此，如对绞合后的导体，采用挤出被覆法往其导线束之间填充水密性树脂组合物，则可大大改善操作性能。另外，如果对导体采用挤出被覆法填充水密性树脂组合物，给该水密性树脂组合物赋与半导电性，同时，形成半导电层或内部半导电层，也可使绝缘电线的生产操作性得到进一步改善。另外，还可以得到该半导电水密组合物填充在导体导线束之间、并且在导体上被覆(包覆)的绝缘电线。为了解决这个课题，本专利技术第1实施方案的专利技术是，含有含交联性聚乙烯的基础聚合物100重量份、吸水性聚合物1～20重量份及乙炔炭黑或炉法炭黑40～80重量份的半导电水密组合物。本专利技术第2实施方案的专利技术是，含有含交联性聚乙烯的基础聚合物100重量份、吸水性聚合物1～20重量份和副产炭黑(ケツチエンブラツク)5～50重量份的半导电水密组合物。本专利技术第3实施方案的专利技术是，把第1实施方案或第2实施方案中所述的半导电水密组合物填充至导体导线束之间，并在导体上被覆而构成的绝缘电线。本专利技术第4实施方案的专利技术是，把第1实施方案或第2实施方案中所述的半导电水密组合物挤出被覆在导体上，填充至导体导线束之间，并被覆在导体上的绝缘电线的制造方法。本专利技术第5实施方案的专利技术是，作为聚乙烯绝缘电线的第3实施方案中所述的绝缘电线。本专利技术第6实施方案的专利技术是，作为交联聚乙烯绝缘电线的第3实施方案中所述的绝缘电线。图2是表示本专利技术绝缘电线另一例的概略断面图。符号说明1···导体2···水密层3···半导电层本专利技术实施方案下面按照实施方案详细说明本专利技术。附图说明图1所示是本专利技术的绝缘电线之一例，图中符号1表示导体。该导体1是由铜、铜合金、铝、铝合金等构成的导线束数根绞合制成的。再者，在图上，为便于理解，与实际的比，放大地描绘了导体1的导线束之间的空隙。在该导体1的各导线束之间的空隙，填充本专利技术的半导电水密组合物，形成水密层2，并且，在导体1的表面也被覆同样的半导电水密组合物，形成厚度0.01～2mm左右的半导电层3。构成水密层2及半导电层3的半导电水密组合物，是含有基础聚合物100重量份、吸水性聚合物1～20重量份、和作为炭黑的乙炔炭黑或炉法炭黑40～80重量份或作为炭黑的副产炭黑5～50重量份为必须成分的树脂组合物构成的。这里的基础聚合物，使用含有交联性聚乙烯作为必须成分的聚合物。本专利技术的交联性聚乙烯，系指本专利技术的半导电水密组合物对上述导体1进行填充或被覆后，具有可用各种交联手段进行交联的性质的聚乙烯或聚乙烯组合物，作为这里的交联手段可以举出，采用有机过氧化物的化学交联、采用硅烷偶合剂的硅烷交联等。作为上述聚乙烯，可以采用高密度聚乙烯、中密度聚乙烯、低密度聚乙烯、直链状低密度聚乙烯、超低密度聚乙烯等各种聚乙烯的1种或2种以上的混合物。该聚乙烯的熔体流动速率是5～150，优选的是10～100，特别优选的是15～70。也可以混合2种以上的密度、熔体流动速率不同的聚乙烯。该聚乙烯的1种或2种以上混合物的熔体流动速率小于5时，在导体1的导线束之间的空隙无法填充该组合物；当大于150时，机械强度低，担心绝缘电线拉线时的外力会破坏水密层2、半导电层3。为了给予该聚乙烯以交联性，在采用化学交联时，可以往其中添加由过氧化二异丙苯(ジクミルパ-オキサイド)、2，5-二甲基-2，5-二(叔丁基过氧)己炔-3、1，3-二(叔丁基过氧异丙基)苯等有机过氧化物构成的交联剂0.2～5重量％，三烯丙基异氰尿酸酯、烯丙基氰尿酸酯、丙烯酸锌等交联助剂0～5重量％左右，制成交联性聚乙烯。在用硅烷进行交联时，可采用预先在上述聚乙烯上接枝聚合乙烯基硅烷，制成硅烷接枝体用其作为交联性聚乙烯的方式，或者，往上述聚乙烯中添加乙烯基三甲氧基硅烷等乙烯基硅烷、过氧化二异丙苯等有机过氧化物、有机锡化合物，在后面工序的混炼时，使聚乙烯接枝聚合乙烯基硅烷，制成交联性聚乙烯的方式。另外，交联该交联性聚乙烯时的交联度，以凝胶比例表示达到1～80％的前提下来决定交联剂、乙烯基硅烷等的配合。交联度小于1％时，填充或被覆后的半导电水密组合物，在高温时不能防止下滴，当大于80％时，可挠性不足。本专利技术的基础聚合物，系以上述交联性聚乙烯作为主体的，此外，根据需要，也可以配合基础聚合物总量的5～50重量％左右的其他的聚丙烯、乙烯-醋酸乙烯共聚物(EVA)、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物(EEA)等烯烃类聚合物，。该基础聚合物的熔融粘度低、熔融时流动性好，采用10～30MPa的压力进行挤出被覆，半导电水密组合物即可填充至导线束之间的空隙。另外，作为本专利技术中使用的吸水性聚合物，可以采用吸收水分后其体积膨胀到100％以上的聚合物，具体地说，可以采用接枝聚合的淀粉类、羧甲基化的聚合淀粉类、接枝聚合纤维素类、羧甲基化的聚合纤维素类、交联聚丙烯酸盐类、异丁烯/马来酸类、淀粉/聚丙烯酸盐类、PVA/聚丙烯酸盐类、丙烯酸纤维的水解物类、交联PVA类、淀粉/聚丙烯酸聚乙烯醇类、丙烯酰胺类、聚氧化乙烯类等，可用它们中的1种或2种以上的混合物。因该吸水性聚合物赋予半导电水密组合物以高的水密性能，所以，在水分浸入绝缘电线的导体附近时，迅速吸收该水分，其体积大大增加，完全埋置导线束之间的空隙，可以发挥防止新水分浸入导线束之间以及在导线束间移动的作用，由此可以得到高的水密性能。该吸水性聚合物的配合量，相对于基础聚合物100重量份为1～20重量份，优选的是3～15重量份，更优选的是5～10重量份。该配合量小于1重量份时，得不到充分的水密性能；当大于20重量份时，水密性则不可能再得到提高，而且成本上升。作为给予半导电性的炭黑，可以举出作为第1组的乙炔炭黑和炉法炭黑。作为乙炔炭黑，例如，可以采用粒径35μm、表面积(BET)68m2/g、DBP吸油量175mL/100g的乙炔炭黑。作为炉法炭黑，可以采用粒径25～55μm、表面积(BET)33～225m2/g、DBP吸油量135～170mL/100g的炉法炭黑。作为乙炔炭黑的具体例子，例如，有“デンカブラック”(商品名，电气化学工业(株)制)等。作为炉法炭黑的具体例子，例如，有“BP3500”(商品名，キヤボツト·スペシャルテイ·ケミカルズ社制)等。作为炭黑的第2组，可以举出副产炭黑。作为该副产炭黑，可以采用粒径1～50μm、表面积(BET)700～1300m2/g、DBP吸油量350～500mL/100g的副产炭黑。作为副产炭黑的具体例子，有“ケツチエンEC”、“ケツチエン EC-600JD”(商品名，ケッチエンブラツク·インタ一ナショナル社制)等。炭黑的配合量，采用乙炔炭黑及炉法炭黑时，相对于基础聚合物100重量份为40～80重量份，优选的是50～70重量份。小于40重量份时，得不到必要的导电性；大于80重量份时，组合物的熔融粘度上升，填充困难。采用副产炭黑时，因为添加少量也可以得到高导电性，所以，对基础聚合物100重量份为5～50重量份，优选的是10～40重量份，更优选的是15～35重量份本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导电水密组合物，包括：含交联性聚乙烯的基础聚合物１００重量份、吸水性聚合物１～２０重量份和乙炔炭黑或炉法炭黑４０～８０重量份。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2002-6-14 174617/021.一种半导电水密组合物，包括含交联性聚乙烯的基础聚合物100重量份、吸水性聚合物1～20重量份和乙炔炭黑或炉法炭黑40～80重量份。2.一种半导电水密组合物，包括含交联性聚乙烯的基础聚合物100重量份、吸水性聚合物1～20重量份和副产炭黑5～50重量份。3.一种绝缘电线，是把权利要求1中记载的半导电水密组合物填充至导体导线束之间，并被覆在导体上而构成的。4.一种绝缘电线，是把权利要求2中记载的半导电水密组合物填充至...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木淳，池田友彦，高桥敦，清见广和，
申请(专利权)人：株式会社藤仓，
类型：发明
国别省市：JP[日本]