一种半导体器件测试装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体器件测试装置，包括具有镂空部的安装基板；架设在所述安装基板上方位置的且与所述镂空部对应的测试机构；以及输送机构；所述输送机构包括：位于安装基板上的加热组件；用以带动所述加热组件在安装基板上横向移动的运动机构；以及用以驱动所述加热组件升降的顶升机构；所述加热组件被配置为承载产品，所述加热组件包括有与产品底部接触的可对产品进行预热的接触部；在顶升机构的驱动下，所述加热组件上升以使产品与所述测试机构接触并进行测试。本实用新型专利技术的目的在于提供一种半导体器件测试装置，可有效增加产品预热时间，提高测试精度，且方便对加热组件的更换。的更换。的更换。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件测试装置


[0001]本技术涉及半导体测试
更具体地，涉及一种半导体器件测试装置。

技术介绍

[0002]IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，又称绝缘栅双极型晶体管，是一种半导体功率器件。在IGBT的生产过程中，通常需要利用测试装置对IGBT的高温性能进行测试。在现有技术中，通常是将IGBT放入恒温箱内进行升温，当IGBT达到测试温度时，再将IGBT从恒温箱中取出并放到测试装置上进行检测。但是，此种检测方法，不仅操作工序复杂，而且在IGBT的取放以及检测过程中会存在热量的流失，导致IGBT的温度降低，影响测试精度。现有技术提供有一种形式的测试装置，该测试装置是利用人工或机械手把产品放到产品载板上，执行装置再把载板输送到加热组件上方位置，加热组件在顶升机构的作用下上升对接产品并对产品进行加热，随后顶升机构继续上升推动加热组件与产品一并与测试机构的探针接触进行测试，此种方式的缺陷在于会出现产品预热时间不够，影响测试效果。
[0003]因此，亟需一种新型的半导体器件测试装置以解决上述技术问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述问题，本技术的目的在于提供一种半导体器件测试装置，可有效增加产品预热时间，提高测试精度，且方便对加热组件的更换。
[0005]为实现上述专利技术目的，本技术采用如下技术方案：
[0006]本技术提供一种半导体器件测试装置，包括：
[0007]具有镂空部的安装基板；
[0008]架设在所述安装基板上方位置的且与所述镂空部对应的测试机构；以及
[0009]输送机构；
[0010]所述输送机构包括：
[0011]位于安装基板上的加热组件；
[0012]用以带动所述加热组件在安装基板上横向移动的运动机构；以及
[0013]用以驱动所述加热组件升降的顶升机构；
[0014]所述加热组件被配置为承载产品，所述加热组件包括有与产品底部接触的可对产品进行预热的接触部；在顶升机构的驱动下，所述加热组件上升以使产品与所述测试机构接触并进行测试。
[0015]此外，优选地方案是，所述运动机构包括平台板，以及位于平台板上的与所述加热组件形成相对固定的托板，所述平台板可移动地配置在所述安装基板上；所述托板可相对于平台板升降；
[0016]所述顶升机构位于所述安装基板下方位置且与所述镂空部对应；
[0017]所述平台板上包括有第一镂空孔，所述顶升机构的驱动端可穿过安装基板的镂空部以及第一镂空孔驱动所述加热组件上升。
[0018]此外，优选地方案是，所述托板上包括有与第一镂空孔对应配置的第二镂空孔，所述加热组件包括有与所述运动机构形成相对固定的固定部；所述固定部位于所述平台板上第一镂空孔边缘与所述托板上第二镂空孔边缘之间；
[0019]所述加热组件的接触部由所述第二镂空孔暴露出。
[0020]此外，优选地方案是，所述第一镂空孔以及第二镂空孔分别贯穿所述平台板的以及托板的同一侧的边沿；
[0021]所述加热组件的固定部可由运动机构的外侧插入至所述平台板与所述托板之间固定。
[0022]此外，优选地方案是，所述运动机构还包括呈竖直方向设置在所述平台板上的导向柱，以及结合固定在所述托板上的轴承套，轴承套可滑动地套设在所述导向柱上。
[0023]此外，优选地方案是，所述加热组件包括位于底部的载板，以及位于载板上的为产品提供热量的加热板；
[0024]所述载板结合固定于所述托板上。
[0025]此外，优选地方案是，所述加热组件包括位于底部的载板，以及位于载板上的为产品提供热量的加热板；所述载板的边缘形成所述固定部。
[0026]此外，优选地方案是，所述测试机构通过一支撑架架设在所述安装基板上；所述测试机构与所述支撑架间可拆卸连接。
[0027]此外，优选地方案是，所述测试机构包括用以测试产品的测试组件以及连接于所述测试组件上的安装板，所述安装板滑动装配于所述支撑架上。
[0028]此外，优选地方案是，所述测试装置还包括测试机箱，所述测试机构由安装基板的一侧通过滑动方式安装到位，测试机构与测试机箱间通过连接器对接导通实现电连接。
[0029]本技术的有益效果如下：
[0030]本技术提供的半导体器件测试装置，加热组件可升降地设置于运动机构上，在测试工序初期，产品上架后在未与测试机构连接进行检测前，即可对产品进行提前预热，减少了输送机构对产品进行中间转运、工位对接过程中的可利用的对产品进行预先加热的工序损失，加热组件与产品之间的加热时间更长，热量损失更少，提高测试精度以及工作效率。本技术提供的半导体器件测试装置，通过加热组件和测试机构的配合，既能够对产品进行恒温加热，又能够对产品进行检测，从而在测试前无需将产品放置在恒温箱中进行升温，避免了产品从恒温箱中取出过程中以及测试过程中的热量损失，简化了操作工序，有利于使产品保持测试温度，提高测试精度。对于本技术相较于现有技术所具有的其它优势，将在下述具体实施方式中针对各技术特征进行详细阐述。
附图说明
[0031]下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0032]图1示出本技术提供的半导体器件测试装置的整体结构示意图。
[0033]图2示出本技术提供的半导体器件测试装置的整体结构剖视图。
[0034]图3示出本技术提供的半导体器件测试装置在无测试机构以及加热组件状态下的结构示意图。
[0035]图4示出本技术提供的半导体器件测试装置的局部结构示意图。
[0036]图5示出本技术提供的半导体器件测试装置中加热组件的结构示意图。
[0037]图6示出图5所示加热组件的装配图。
具体实施方式
[0038]现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。
[0039]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。
[0040]对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
[0041]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0042]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0043]本技术的一个实施例提供一种半导体器件测试装置100，用以对IGBT等半导体器件进行相关的高温性能测试，结合图1至图5所示，具体地，测试装置100包括：具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件测试装置，其特征在于，包括：具有镂空部的安装基板；架设在所述安装基板上方位置的且与所述镂空部对应的测试机构；以及输送机构；所述输送机构包括：位于安装基板上的加热组件；用以带动所述加热组件在安装基板上横向移动的运动机构；以及用以驱动所述加热组件升降的顶升机构；所述加热组件被配置为承载产品，所述加热组件包括有与产品底部接触的可对产品进行预热的接触部；在顶升机构的驱动下，所述加热组件上升以使产品与所述测试机构接触并进行测试。2.根据权利要求1所述的半导体器件测试装置，其特征在于，所述运动机构包括平台板，以及位于平台板上的与所述加热组件形成相对固定的托板，所述平台板可移动地配置在所述安装基板上；所述托板可相对于平台板升降；所述顶升机构位于所述安装基板下方位置且与所述镂空部对应；所述平台板上包括有第一镂空孔，所述顶升机构的驱动端可穿过安装基板的镂空部以及第一镂空孔驱动所述加热组件上升。3.根据权利要求2所述的半导体器件测试装置，其特征在于，所述托板上包括有与第一镂空孔对应配置的第二镂空孔，所述加热组件包括有与所述运动机构形成相对固定的固定部；所述固定部位于所述平台板上第一镂空孔边缘与所述托板上第二镂空孔边缘之间；所述加热组件的接触部由所述第二镂空孔暴露出。4.根据权利要求3所述的半导体器件测试装置，其特征在于，所述第一镂...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏旭，
申请(专利权)人：苏州华兴源创科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：