本发明专利技术公开了一种IGBT的Switch参数测试装置，包括：电源模块、控制模块、正极电压输入端、负极电压输入端、接入电阻调整模块、电感、续流二极管、集电极连接节点、栅极连接节点、发射极连接节点、极间电压采样电路、极间电流采样电路、栅极电压采样电路、极间电流输出节点、极间电压输出节点和栅极电压输出节点；通过提供IGBT的Switch参数测试装置，使得该IGBT的Switch参数测试装置可以对IGBT器件的Switch参数进行多参数的测试，功能丰富。方便对IGBT器件的Switch参数进行测试。本发明专利技术主要用于半导体测试技术领域。导体测试技术领域。导体测试技术领域。
【技术实现步骤摘要】
一种IGBT的Switch参数测试装置
[0001]本专利技术涉及半导体测试
，特别涉及一种IGBT的Switch参数测试装置。
技术介绍
[0002]随着半导体技术发展IGBT由模块向小型化封装发展。同时中小功率的IGBT也发展起来。Switch参数是IGBT的必测项目之一，其测试的参数有开关时间，开关延时，开关损耗等等参数。
[0003]现有的对IGBT的Switch参数的测试仪器一般都是针对特定的IGBT的Switch参数的单独参数进行测试，功能性不强。因此，如何通过一个仪器对IGBT的Switch参数进行多参数的测试，成为行业内亟需解决的技术问题。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的是提供一种IGBT的Switch参数测试装置，以解决现有技术中所存在的一个或多个技术问题，至少提供一种有益的选择或创造条件。
[0005]本专利技术解决其技术问题的解决方案是：提供一种IGBT的Switch参数测试装置，包括：电源模块、控制模块、正极电压输入端、负极电压输入端、接入电阻调整模块、电感、续流二极管、集电极连接节点、栅极连接节点、发射极连接节点、极间电压采样电路、极间电流采样电路、栅极电压采样电路、极间电流输出节点、极间电压输出节点和栅极电压输出节点；所述正极电压输入端与控制模块的第一输入端连接，所述负极电压输入端与控制模块的第二输入端连接，所述控制模块的输出端与接入电阻调整模块的输入端连接，所述接入电阻调整模块的输出端与栅极连接节点连接，所述集电极连接节点与电感的一端和续流二极管的阳极连接，所述电感的另一端和续流二极管的阴极均与电源模块的正极连接，所述发射极连接节点与电源模块的负极连接，所述极间电压采样电路用于采集集电极连接节点与发射极连接节点之间的电压差的信号，并将所述信号传递给极间电压输出节点；所述极间电流采样电路用于采集从发射极连接节点流出的电流的信号，并将信号传递给极间电流输出节点；所述栅极电压采样电路用于采集栅极连接节点的电压的信号，并将信号传递给栅极电压输出节点；所述接入电阻调整模块用于调整串入栅极连接节点的电阻；所述集电极连接节点用于与待测IGBT器件的集电极连接，所述发射极连接节点用于与待测IGBT器件的发射极连接，所述栅极连接节点用于与待测IGBT器件的栅极连接；所述电源模块的负极对地连接。
[0006]进一步，IGBT的Switch参数测试装置还包括软保护开关，所述软保护开关串接在电源模块的正极与电感的另一端之间，用于在流经电感的电流大于设定的阈值时，断开电感与电源模块之间的电连接。
[0007]进一步，所述接入电阻调整模块包括：电阻串，所述电阻串由至少两个电阻串联而成，每一个电阻均并联有开关。
[0008]进一步，所述控制模块包括：第一放大器、PMOS管、第二放大器、NMOS管和控制驱动模块，所述第一放大器的输入端与正极电压输入端连接，所述第一放大器的输出端与PMOS管的源极连接，所述PMOS管的漏极与接入电阻调整模块的输入端连接，所述PMOS管的栅极与控制驱动模块的第一输出端连接，所述第二放大器的输入端与负极电压输入端连接，所述第二放大器的输出端与NMOS管的源极连接，所述NMOS管的漏极与接入电阻调整模块的输入端连接，所述NMOS管的栅极与控制驱动模块的第二输出端连接。
[0009]进一步，所述极间电流采样电路包括：同轴电阻、第一衰减电路、第一射极跟随器和第三放大器；所述同轴电阻的一端分别与发射极连接节点、第一衰减电路的输入端连接，所述同轴电阻的另一端对地连接，所述第一衰减电路的输出端与第一射极跟随器的输入端连接，所述第一射极跟随器的输出端与极间电流输出节点连接，所述同轴电阻用于将从发射极连接节点输出的电流信号转换成电压信号，所述电压信号通过第一衰减电路进行衰减后进入第一射极跟随器，第一射极跟随器形成高输入阻抗，并将衰减后的电压信号输出给第三放大器，第三放大器将衰减后的电压信号进行放大并传递给极间电流输出节点。
[0010]进一步，所述极间电压采样电路包括：第二衰减电路、第三衰减电路、第二射极跟随器、第三射极跟随器和电压差放大器；所述第二衰减电路的输入端与集电极连接节点连接，所述第二衰减电路的输出端与第二射极跟随器的输入端连接；所述第三衰减电路的输入端与发射极连接节点连接，所述第三衰减电路的输出端与第三射极跟随器的输入端连接，所述第二射极跟随器的输出端与电压差放大器的第一输入端连接，所述第三射极跟随器的输出端与电压差放大器的第二输入端连接，所述电压差放大器用于将其第一输入端接收的电压与其第二输入端接收的电压进行做差形成极间电压，极间电压通过极间电压输出节点输出。
[0011]进一步，所述栅极电压采样电路包括：第四衰减电路、第四射极跟随器和第四放大器，所述第四衰减电路的输入端与栅极连接节点连接，所述第四衰减电路的输出端与第四射极跟随器的输入端连接，所述第四射极跟随器的输出端与第四放大器的输入端连接，所述第四放大器的输出端与栅极电压输出节点连接。
[0012]本专利技术至少具有以下有益效果：通过提供IGBT的Switch参数测试装置，使得该IGBT的Switch参数测试装置可以对IGBT器件的Switch参数进行多参数的测试，功能丰富。方便对IGBT器件的Switch参数进行测试。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单说明。
[0014]图1是IGBT的Switch参数测试装置的电路结构原理图。
具体实施方式
[0015]以下将结合实施例和附图对本专利技术的构思、具体结构及产生的技术效果进行清楚、完整地描述，以充分地理解本专利技术的目的、特征和效果。显然，所描述的实施例只是本专利技术的一部分实施例，而不是全部实施例，基于本专利技术的实施例，本领域的技术人员在不付出
创造性劳动的前提下所获得的其他实施例，均属于本专利技术保护的范围。另外，文中所提到的所有联接/连接关系，并非单指构件直接相接，而是指可根据具体实施情况，通过添加或减少联接辅件，来组成更优的联接结构。本专利技术创造中的各个技术特征，在不互相矛盾冲突的前提下可以交互组合。
[0016]实施例1，参考图1，一种IGBT的Switch参数测试装置，包括：电源模块100、控制模块、正极电压输入端201、负极电压输入端202、接入电阻调整模块400、电感L、续流二极管D、集电极连接节点a、栅极连接节点c、发射极连接节点b、极间电压采样电路、极间电流采样电路、栅极电压采样电路、极间电流输出节点602、极间电压输出节点601和栅极电压输出节点603。
[0017]所述正极电压输入端201与控制模块的第一输入端连接，所述负极电压输入端202与控制模块的第二输入端连接，所述控制模块的输出端与接入电阻调整模块400的输入端连接，所述接入电阻调整模块400的输出端与栅极连接节点c连接，所述集电极连接节点a与电感L的一端和续流二极管D的阳极连接，所述电感L的另一端和续流二极管D的阴极均与电源模块10本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IGBT的Switch参数测试装置，其特征在于，包括：电源模块、控制模块、正极电压输入端、负极电压输入端、接入电阻调整模块、电感、续流二极管、集电极连接节点、栅极连接节点、发射极连接节点、极间电压采样电路、极间电流采样电路、栅极电压采样电路、极间电流输出节点、极间电压输出节点和栅极电压输出节点；所述正极电压输入端与控制模块的第一输入端连接，所述负极电压输入端与控制模块的第二输入端连接，所述控制模块的输出端与接入电阻调整模块的输入端连接，所述接入电阻调整模块的输出端与栅极连接节点连接，所述集电极连接节点与电感的一端和续流二极管的阳极连接，所述电感的另一端和续流二极管的阴极均与电源模块的正极连接，所述发射极连接节点与电源模块的负极连接，所述极间电压采样电路用于采集集电极连接节点与发射极连接节点之间的电压差的信号，并将所述信号传递给极间电压输出节点；所述极间电流采样电路用于采集从发射极连接节点流出的电流的信号，并将信号传递给极间电流输出节点；所述栅极电压采样电路用于采集栅极连接节点的电压的信号，并将信号传递给栅极电压输出节点；所述接入电阻调整模块用于调整串入栅极连接节点的电阻；所述集电极连接节点用于与待测IGBT器件的集电极连接，所述发射极连接节点用于与待测IGBT器件的发射极连接，所述栅极连接节点用于与待测IGBT器件的栅极连接；所述电源模块的负极对地连接。2.根据权利要求1所述的一种IGBT的Switch参数测试装置，其特征在于，还包括软保护开关，所述软保护开关串接在电源模块的正极与电感的另一端之间，用于在流经电感的电流大于设定的阈值时，断开电感与电源模块之间的电连接。3.根据权利要求1所述的一种IGBT的Switch参数测试装置，其特征在于，所述接入电阻调整模块包括：电阻串，所述电阻串由至少两个电阻串联而成，每一个电阻均并联有开关。4.根据权利要求1所述的一种IGBT的Switch参数测试装置，其特征在于，所述控制模块包括：第一放大器、PMOS管、第二放大器、NMOS管和控制驱动模块，所述第一放大器的输入端与正极电压输入端连接，所述第一放大器的输出端与PMOS管的源极连接，所述PMOS管的漏极与接入电阻调整模块...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘炼祥，陈希辰，钟有权，
申请(专利权)人：佛山市联动科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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