测量电路和MOSFET器件反向传输电容的测量方法技术

本发明专利技术涉及半导体器件技术领域，公开了一种测量电路和MOSFET器件反向传输电容的测量方法，本发明专利技术将MOSFET器件的栅极和源极与LCR电桥连接，漏极与隔离电路连接，避免了MOSFET器件的端口接地的问题，避免了引入误差和干扰，进一步通过LCR电桥对MOSFET器件的输入电容值、输出电容值和并联阻抗值进行测量并传输给控制器。进一步，在控制器中通过建立MOSFET器件的输入电容关系式、输出电容关系式和并联阻抗关系式的三元方程组，可以计算出MOSFET器件的反向传输电容值。因此，通过实施本发明专利技术，可以更加稳定和准确地测量MOSFET器件的反向传输电容。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，具体涉及一种测量电路和mosfet器件反向传输电容的测量方法。

技术介绍

1、一个完整的金属-氧化物半导体场效应晶体管mosfet cv参数一般包含反向传输电容crss、输入电容ciss、输出电容coss。

2、但是，现有测试mosfet crss的方案是直接测量mosfet g级(栅极)和d级(漏极)间的电容，s级(源极)接地。这种测试方案的弊端是，s级需要接地，同时由于生产线针对mosfet的cv测试，在一个测试站上需要测量多个电参数，各个参数间需要使用继电器切换，形成各自的测试回路，这样s端需要一个继电器和一段一定长度的导线才能连接才能接到大地，这样就会有分布参数和干扰的引入，导致测试结果偏离mosfet器件的真实值和测试结果的跳动变大。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种测量电路和mosfet器件反向传输电容的测量方法，以解决现有的测量电路导致测试结果偏离mosfet器件的真实值和测试结果的跳动变大的问题。

2、第一方面，本专利技术提供了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种测量电路，与控制器连接；其特征在于，所述测量电路包括：LCR电桥、隔离电路和MOSFET器件；

2.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述隔离电路，包括：直流电源和阻抗电路；

3.根据权利要求2所述的测量电路，其特征在于，所述阻抗电路，包括：电阻和电感；

4.根据权利要求3所述的测量电路，其特征在于，所述阻抗电路，还包括：

5.根据权利要求4所述的测量电路，其特征在于，所述电容还用于控制所述MOSFET器件的栅极和漏极的交流等效短接。

6.根据权利要求5所述的测量电路，其特征在于，所述LCR电桥具体用于：

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【技术特征摘要】

1.一种测量电路，与控制器连接；其特征在于，所述测量电路包括：lcr电桥、隔离电路和mosfet器件；

2.根据权利要求1所述的测量电路，其特征在于，所述隔离电路，包括：直流电源和阻抗电路；

3.根据权利要求2所述的测量电路，其特征在于，所述阻抗电路，包括：电阻和电感；

4.根据权利要求3所述的测量电路，其特征在于，所述阻抗电路，还包括：

5.根据权利要求4所述的测量电路，其特征在于，所述电容还用于控制所述mosfet器件的栅极和漏极的交流等效短接。

6.根据权利要求5所述的测量电路，其特征在于，所述lcr电桥具体...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖永发，陈希辰，钟伟金，吴伟琦，
申请(专利权)人：佛山市联动科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：