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本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种测量电路和MOSFET器件反向传输电容的测量方法，本发明将MOSFET器件的栅极和源极与LCR电桥连接，漏极与隔离电路连接，避免了MOSFET器件的端口接地的问题，避免了引入误差和干扰，进一步通过LC...
该专利属于佛山市联动科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市联动科技股份有限公司授权不得商用。

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