具有多层波导的薄膜SAW器件制造技术

技术编号:30948698 阅读:37 留言:0更新日期:2021-11-25 20:00
在至少一个实施例中,SAW器件包括载体衬底(1)、载体衬底上的压电薄膜(2)、压电薄膜上的叉指电极结构(3)和波导层的层堆叠(4)。层堆叠布置在载体衬底和压电薄膜之间。层堆叠包括第一波导层(41)和第二波导层(42),其中第一波导层中的声速至少是第二波导层中的声速的1.5倍。该器件可以包括在层堆叠与载体衬底之间的温度补偿层(5)和富陷阱层(6)。温度补偿层(5)和富陷阱层(6)。温度补偿层(5)和富陷阱层(6)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有多层波导的薄膜SAW器件
[0001]提供了一种SAW器件。
[0002]要实现的一个目的是规定可在超高频范围内使用的SAW器件(SAW=表面声波)。
[0003]除其他外,该目的通过根据独立权利要求1所述的SAW器件实现。有利实施例和进一步发展是从属权利要求的主题。
[0004]根据至少一个实施例,SAW器件包括载体衬底。载体衬底优选自支撑。载体衬底可以一体形成,即形成为一片。载体衬底可包括硅酮、蓝宝石、碳化硅、金刚石或氮化铝,或由硅酮、蓝宝石、碳化硅、金刚石或氮化铝组成。载体衬底可具有至少10μm或至少50μm或至少100μm的平均厚度。另外或可选地,载体衬底的平均厚度可为最多1mm或最多500μm。
[0005]根据至少一个实施例,所述SAW器件包括位于所述载体衬底上的压电薄膜。压电薄膜可以一体形成。
[0006]压电薄膜建立了SAW器件的压电材料。在SAW器件的预期操作期间,表面声波沿着压电薄膜或在压电薄膜中传播。薄膜的特征在于使用利用薄膜处理或薄膜沉积技术的晶片键合来将材料布置在载体衬底上。薄膜处理可以是机械研磨或所谓的“智本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种SAW器件,包括:

载体衬底(1),

所述载体衬底(1)上的压电薄膜(2),

所述压电薄膜(2)上的叉指电极结构(3),以及

波导层的层堆叠(4),所述层堆叠(4)被设置在所述载体衬底(1)和所述压电薄膜(2)之间,其中

所述层堆叠(4)包括第一波导层(41)和第二波导层(42),

所述第一波导层(41)中的声速至少是所述第二波导层(42)中的声速的1.5倍。2.根据权利要求1的SAW器件,其中,所述层堆叠(4)包括多个所述第一波导层(41)和多个所述第二波导层(42),其中所述第一波导层(41)和所述第二波导层(42)交替布置。3.根据权利要求1或2的SAW器件,其中

所述第一波导层(41)中的声速大于所述压电薄膜(2)中的声速,

所述第二波导层(42)中的声速小于所述压电薄膜(2)中的声速。4.根据前述权利要求之一的SAW器件,其中,所述第一波导层(41)和/或所述第二波导层(...

【专利技术属性】
技术研发人员:M
申请(专利权)人:RF三六零欧洲有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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