沟槽栅IGBT器件及其制备方法技术

本申请涉及一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法，该器件包括：依次叠设的漂移区、体区、第一发射区和第二发射区；沟槽沿第一方向分布并穿透第一发射区、体区并向下延伸至漂移区内；第一介质层形成于沟槽内壁上，栅导电层形成于第一介质层上并填于沟槽内，第二介质层形成于栅导电层上；第一发射区和第二发射区沿第二方向衔接分布，位于相邻两沟槽之间的第一发射区和第二发射区均与两侧相邻的沟槽的侧面接触。通过将第二发射区设置于第一发射区内并穿透第一发射区，发射极层直接与第一发射区和第二发射区接触，不需要设置导电栓塞，省去了传统中导电栓塞占据的空间，从而可以提高沟槽栅的密度。密度。密度。

【技术实现步骤摘要】
沟槽栅IGBT器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种沟槽栅IGBT器件及沟槽栅IGBT器件制备方法。

技术介绍

[0002]在制备IGBT时，通常形成沟槽栅以提高芯片的集成度和沟道电流密度。其中，沟槽栅为在体区内开设沟槽并在沟槽内填入栅极结构所形成。在形成沟槽栅后，需要在体区内形成两个不同导电类型的发射区并在体区上形成与各发射区电连接的发射极层。发射极层需借助导电栓塞以实现与N型发射区和P型发射区的电连接，而导电栓塞需要占据一定的器件空间，由此限制了沟槽栅密度的进一步提升。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，提出一种新的IGBT器件及其制备方法。
[0004]本申请提出的第一种解决方案为：
[0005]一种沟槽栅IGBT器件，包括：
[0006]漂移区，具有第一导电类型；
[0007]体区，具有第二导电类型，形成于所述漂移区上；
[0008]第一发射区，具有第一导电类型，形成于所述体区上，所述第一发射区内开设沿第一方向并排分布的多个沟槽，各所述沟槽依次贯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽栅IGBT器件，其特征在于，包括：漂移区，具有第一导电类型；体区，具有第二导电类型，形成于所述漂移区上；第一发射区，具有第一导电类型，形成于所述体区上，所述第一发射区内开设沿第一方向并排分布的多个沟槽，各所述沟槽依次贯穿所述第一发射区和所述体区并延伸至所述漂移区；第二发射区，具有第二导电类型，形成于所述第一发射区的部分区域中并穿透所述第一发射区以与所述体区接触，所述第一发射区和所述第二发射区沿第二方向衔接分布，位于相邻两沟槽之间的所述第一发射区和所述第二发射区均与两侧相邻的所述沟槽的侧面接触，所述第二方向不同于所述第一方向；栅导电层和介质结构，所述介质结构包括第一介质层和第二介质层，所述第一介质层形成于所述沟槽内壁上，所述栅导电层形成于所述第一介质层上并填于所述沟槽内，所述第二介质层形成于所述栅导电层上；发射极层，形成于所述第一发射区和所述第二发射区上，所述发射极层与所述第一发射区和所述第二发射区接触并通过所述第二介质层与所述栅导电层隔离。2.如权利要求1所述的沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述第一发射区的顶面与所述第二发射区的顶面齐平，所述第一发射区的底面与所述第二发射区的底面齐平。3.如权利要求1所述的沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述第一发射区的注入深度和第二发射区的注入深度均大于所述第二介质层的厚度。4.如权利要求1所述的沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述第二介质层的顶面与所述沟槽的顶面齐平。5.如权利要求1所述的沟槽栅IGBT器件，其特征在于，所述第二发射区的覆盖面积小于所述第一发射区的覆盖面积。6.如权利要求1所述的沟槽栅IGBT器件，其特征在于，相邻沟槽之间的第一发射区内形成有多个间隔设置的第二发射区...

【专利技术属性】
技术研发人员：方冬，肖魁，
申请(专利权)人：无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：