温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法，该器件包括：依次叠设的漂移区、体区、第一发射区和第二发射区；沟槽沿第一方向分布并穿透第一发射区、体区并向下延伸至漂移区内；第一介质层形成于沟槽内壁上，栅导电层形成于第一介质层上并填于沟槽内，第二...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。