半导体器件制造技术

一种半导体器件，包括：有源图案，在第一方向上延伸；沟道图案，在有源图案上，并且包括竖直堆叠的半导体图案；源极/漏极图案，在有源图案中的凹部中；栅电极，在有源图案上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸，栅电极围绕每个半导体图案的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及栅极间隔物，覆盖栅电极的侧表面，并且具有向半导体图案的开口，其中，源极/漏极图案包括覆盖凹部的内侧的缓冲层，缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且外侧表面和内侧表面中的每一个是朝向栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。弯曲表面。弯曲表面。

semiconductor device

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]于2020年1月15日在韩国知识产权局提交的题为“半导体器件”的韩国专利申请No.10-2020-0005365通过引用整体并入本文中。


[0003]实施例涉及半导体器件。

技术介绍

[0004]由于半导体器件的小尺寸、多功能和/或低成本的特性，半导体器件被认为是电子行业中的重要元件。半导体器件分为用于存储数据的半导体存储器件、用于处理数据的半导体逻辑器件以及包括存储元件和逻辑元件二者的混合半导体器件。随着电子行业的发展，对具有改善特性的半导体器件的需求不断增长。例如，对具有高可靠性、高性能和/或多功能的半导体器件的需求不断增长。为了满足该需求，半导体器件的复杂度和/或集成密度不断提高。

技术实现思路

[0005]实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，该半导体器件包括：第一有源图案，在衬底的第一有源区上，该第一有源图案在第一方向上延伸；第一沟道图案，在第一有源图案上，第一沟道图案包括竖直堆叠的半导体图案；第一源极/漏极图案，在所述第一有源图案的上部中的凹部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一有源图案，在衬底的第一有源区上，所述第一有源图案在第一方向上延伸；第一沟道图案，在所述第一有源图案上，所述第一沟道图案包括竖直堆叠的半导体图案；第一源极/漏极图案，在所述第一有源图案的上部中的凹部中；栅电极，在所述第一有源图案上并在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述栅电极围绕所述半导体图案中每一个的顶表面、至少一个侧表面和底表面；以及栅极间隔物，覆盖所述栅电极的侧表面，并且具有向所述半导体图案的开口，其中：所述第一源极/漏极图案包括覆盖所述凹部的内侧的缓冲层，当在平面图中观察时，所述缓冲层包括彼此相对的外侧表面和内侧表面，并且所述外侧表面和所述内侧表面中的每一个是朝向与所述缓冲层最靠近的栅电极凸出地弯曲的弯曲表面。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述栅极间隔物包括面向所述第一方向的第一间隔物侧壁和作为所述开口的内侧壁的第二间隔物侧壁，并且当在平面图中观察时，所述缓冲层完全覆盖所述第二间隔物侧壁。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：所述第一源极/漏极图案还包括在所述缓冲层上以填充所述凹部的主层，并且所述主层覆盖所述栅极间隔物的第一间隔物侧壁的至少一部分，并与所述第二间隔物侧壁间隔开。4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述缓冲层的内侧表面是与所述栅极间隔物的第一间隔物侧壁连续的。5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中：当在平面图中观察时，所述第一源极/漏极图案还包括在所述缓冲层的内侧表面上的中间层，所述第二间隔物侧壁包括面向所述开口且彼此相对的第一表面和第二表面，所述缓冲层填充所述开口，并覆盖所述第一表面和所述第二表面，并且所述第一表面和所述第二表面与所述中间层间隔开。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述缓冲层填充所述开口，当在平面图中观察时，所述缓冲层在所述开口的中心处具有侧壁中心厚度，并且在所述开口的边缘处具有侧壁边缘厚度，并且所述侧壁中心厚度等于所述侧壁边缘厚度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述凹部具有一对内侧表面以及连接内侧表面的底表面，所述缓冲层包括在所述一对内侧表面上的一对侧部分、以及与所述一对侧部分连接且在所述凹部的底表面上的中心部分，当在平面图中观察时，在所述开口的中心部分处，所述侧部分在所述第一方向上彼此
间隔开第一距离，在所述开口的与所述栅极间隔物相邻的边缘部分处，所述侧部分在所述第一方向上彼此间隔开第二距离，并且所述第一距离大于所述第二距离。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述第一源极/漏极图案还包括在所述缓冲层上以填充所述凹部的主层，并且所述主层中的锗Ge的浓度范围为60at％至80at％。9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述凹部具有一对内侧表面以及连接内侧表面的底表面，所述缓冲层覆盖所述凹部的一对内侧表面，并暴露所述凹部的底表面，并且所述缓冲层的内侧表面竖直地对准所述栅极间隔物的侧表面。10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述凹部包括一对内侧表面以及连接内侧表面的底表面，所述缓冲层包括在所述凹部的一对内侧表面上的侧部分、在所述凹部的底表面上的中心部分、以及将所述侧部分连接到所述中心部分的边缘部分，并且所述边缘部分的厚度小于所述侧部分中的每一个的最大厚度。11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中：所述凹部包括一对内侧表面以及连接内侧表面的底表面，所述缓冲层包括在所述凹部的一对内侧表面上的侧部分以及在所述凹部的底表面上的中心部分，所述侧部分中的每一个在第一水平处具有第一厚度，并且在比所述第一水平低的第二水平处具有第二厚度，所述侧部分在所述第一水平处具有在所述第一方向上的最大宽度，并且所述第一厚度大于所述第二厚度。12.一种半导体器件，包括：第一有源图案，在衬底的第一有源区上，所述第一有源图案在第一方向上延伸；第一沟道图案，在所述第一有源图案上，所述第一沟道图案包括竖直堆叠的半导体图案；第一源极/漏极图案，在所述第一有源图案的上部的凹部中；栅电极，在所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：河龙，金东宇，金傔，金容丞，朴判贵，李承勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：