一种用于ESD防护电路的栅极接地场效应管及其制备方法技术

本发明专利技术提出了一种用于ESD防护电路的栅极接地场效应管及其制备方法。该栅极接地场效应管的漏端包括靠近所述栅极的第一N型重掺区和远离所述栅极的第二N型重掺区，所述第一N型重掺区和所述第二N型重掺区之间设有氧化物隔离，所述氧化物隔离上设有多晶硅电阻，所述第一N型重掺区和所述第二N型重掺区与所述多晶硅电阻之间通过导线连接。利用外接poly电阻代替压舱电阻，节省了金属硅化物阻挡层这一掩模版，在器件尺寸减小的情况下，同时还能达到相同的ESD电流泄放能力。同的ESD电流泄放能力。同的ESD电流泄放能力。

【技术实现步骤摘要】
一种用于ESD防护电路的栅极接地场效应管及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其是涉及一种用于ESD防护电路的栅极接地场效应管及其制备方法。

技术介绍

[0002]静电放电(ESD：Electrostatic Discharge)，应该是造成所有电子元器件或集成电路系统造成过度电应力(EOS：Electrical Over Stress)破坏的主要元凶。因为静电通常瞬间电压非常高(＞几千伏)，所以这种损伤是毁灭性和永久性的，会造成电路直接烧毁。据美国国家半导体公司(National
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Semiconductor)数据统计表明，现今集成电路失效产品中的38％是由ESD/EOS所引起的。
[0003]在传统设计中，栅极接地场效应管(GGNMOS)经常作为ESD防护器件来使用，其可以兼容绝大部分CMOS工艺。现有技术中，各个引脚均会使用栅极接地的场效应管进行ESD防护，这些场效应管在结构上有所调整，漏端需要拉开一段距离，即DCP(distance of Drain Contact to Poly，漏端金属本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于ESD防护电路的栅极接地场效应管，其特征在于：包括衬底；形成于衬底上的阱区；位于阱区上的栅极，位于阱区内的源端和漏端，所述源端和漏端位于所述栅极的两侧；其中，所述漏端包括靠近所述栅极的第一N型重掺区和远离所述栅极的第二N型重掺区，所述第一N型重掺区和所述第二N型重掺区之间设有氧化物隔离，所述氧化物隔离上设有多晶硅电阻，所述第一N型重掺区和所述第二N型重掺区与所述多晶硅电阻之间通过导线连接。2.如权利要求1所述的用于ESD防护电路的栅极接地场效应管，其特征在于：所述多晶硅电阻为分段式电阻，每一段电阻并列的设置在所述氧化物隔离上。3.如权利要求1所述的用于ESD防护电路的栅极接地场效应管，其特征在于：所述第一N型重掺区和所述第二N型重掺区上靠近所述多晶硅电阻的一侧上设有第一接触孔，所述连接到多晶硅电阻上的导线连接在该第一接触孔上。4.如权利要求1所述的用于ESD防护电路的栅极接地场效应管，其特征在于：所述第二N型重掺区上远离所述多晶硅电阻的一侧上设有第二接触孔，该第二N型重掺区通过所述第二接触孔电连接在一外部阳极上。5.如权利要求1所述的用于ESD防护电路的栅极接地场效应管，其特征在于：所述氧化物隔离通过场氧工艺或浅沟槽工艺制作而成。6.如权利要求1所述的用于ESD防护电路的栅极接地场效应管，其特征在于：所述栅极包括与所述衬底接触的多晶硅栅，所述多晶硅电阻与该多晶硅栅在一个工艺中制作完成。7.如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡涛，王炜槐，
申请(专利权)人：杰华特微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：