半导体结构及半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底：位于衬底上的若干鳍部结构，若干所述鳍部结构沿平行于衬底表面方向平行排列；位于鳍部结构上的第一保护层；位于第一保护层表面的第二保护层。所述半导体结构性能得到了提升。到了提升。到了提升。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体工艺技术的不断发展，鳍式场效应晶体管(Fin FET)以其优越的性能，即能够改善电路控制并减少漏电流，缩短晶体管的栅长，广泛应用在半导体制造领域中。
[0003]鳍部结构作为鳍式场效应晶体管中的重要结构，对鳍式场效应晶体管的性能产生重大影响。
[0004]然而，随着技术节点的进一步降低，鳍部结构的形成过程也存在诸多问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构及半导体结构的形成方法，以改善半导体结构的性能。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种半导体结构，包括：衬底：位于衬底上的若干鳍部结构，若干所述鳍部结构沿平行于衬底表面方向平行排列；位于鳍部结构上的第一保护层；位于第一保护层表面的第二保护层。
[0007]可选的，还包括：位于鳍部结构顶部表面和侧壁表面的第一阻挡层；所述第一保护层还位于所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底：位于衬底上的若干鳍部结构，若干所述鳍部结构沿平行于衬底表面方向平行排列；位于鳍部结构上的第一保护层；位于第一保护层表面的第二保护层。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于鳍部结构顶部表面和侧壁表面的第一阻挡层；所述第一保护层还位于所述第一阻挡层表面。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一保护层的材料与所述第一阻挡层的材料相同。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部结构的材料包括硅锗。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氮化硅。6.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部结构的材料包括硅。7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化硅。8.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一阻挡层的厚度范围为：1.5纳米～3.5纳米。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二保护层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氧化硅。10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一保护层的厚度范围为：12纳米～26纳米；所述第二保护层的厚度范围为：13纳米～27纳米。11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第二保护层表面的若干层第三保护层。12.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第三保护层的厚度范围为：13纳米～27纳米。13.如权利要求11所述的半导体结构，其特征在于，所述第三保护层的材料与所述第二保护层的材料相同。14.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成若干鳍部结构，若干所述鳍部结构沿平行于衬底表面方向平行排列；在所述鳍部结构上形成第一保护层；在第一保护层表面形成第二保护层。15.如权利要求14所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部结构的形成方法包括：在衬底上形成若干初始鳍部结构，若干所述初始鳍部结构沿平行于衬底表面方向平行排列；在初始鳍部结构内形成若干开口，若干所述开口在初始鳍部结构的排列方向上贯穿所述初始鳍部结构，形成若干鳍部结构。16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始鳍部结构的形成方法包括：在衬底上形成鳍部材料层；在鳍部材料层上形成图形化的掩膜层，所述图形化的掩膜层暴露出部分所述鳍部材料层表面；以所述图形化的掩膜层为掩膜刻蚀所述鳍部材
料层，直至暴露出衬底表面，形成初始鳍部结构。17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述初始鳍部结构的形成方法还包括：刻蚀所述鳍部材料层之后，对所述初始鳍部结构和衬底进行第一清洗。18.如权利要求17所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一清洗的工艺包括湿法清洗工艺，所述湿法清洗工艺的溶液包括：硫酸溶液、双氧水溶液和氨水的混合溶液。19.如权利要求15...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵振阳，唐龙娟，张海洋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：