基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法技术

本发明专利技术属于半导体技术领域，提供了基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法。本发明专利技术提供的基于超结MOSFET的集成器件包括：漏极、半导体衬底、半导体衬底上设置的至少两个超结MOSFET、用于源极不相连的超结MOSFET之间的源极隔离结构，所述隔离结构包括至少一个浮空P柱结构，所述超结MOSFET包括了P型体掺杂区、P柱、外延区、源极区、源极金属层、绝缘介质层、氧化物层、多晶硅栅极；所述两个源极不相连的超结MOSFET相邻P柱之间具有隔离距离，通过设置不同的隔离结构增大所述隔离距离，可以提高超结MOSFET之间的隔离电压，保证隔离电压性能同时将超结MOSFET集成一体。时将超结MOSFET集成一体。时将超结MOSFET集成一体。

【技术实现步骤摘要】
基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法


[0001]本申请属于半导体
，尤其涉及基于超结MOSFET的集成器件及其制造方法。

技术介绍

[0002]超结场效应晶体管（Super Junction MOSFET，SJMOS）是一种新型功率器件，相较于传统的垂直导电场效应晶体管（VDMOS）器件，SJMOS增加了P柱（P
‑
pillar）结构，该结构采用电荷平衡原理，通过产生横向电场使得SJMOS单位面积正向导通电阻远低于VDMOS。SJMOS器件由于具有开关速度快、功耗低、高耐压等优点，正逐渐成为制造低功耗、低成本的功率集成电路的主流器件。
[0003]SJMOS和传统的VDMOS都是三端（漏极、源极和栅极）器件，随着集成电路系统的集成能力提升，很多应用场合要求三端器件增加辅助功能，比如电流采样功能或启动功能，因此在一个器件上会存在多个MOSFET共用漏极和栅极的情况，但不同的主MOSFET和辅助MOSFET之间的源极是不相连的，并且源极之间需要有一定的耐压能力，所以源极之间需要有隔离结构。传统的VDMOS常用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于超结MOSFET的集成器件，其特征在于，包括：漏极；半导体衬底，所述半导体衬底上设置有至少两个超结MOSFET和一个隔离结构，所述超结MOSFET共用漏极，所述隔离结构设置于任意两个源极不相连的超结MOSFET之间，所述隔离结构至少包括一个浮空P柱。2.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述超结MOSFET至少包括设置在所述半导体衬底上的P型体掺杂区、P柱和外延区，所述P柱和所述P型体掺杂区位于所述外延区中且所述P柱和所述P型体掺杂区接触，所述P型体掺杂区上设有源极区，所述P型体掺杂区上设置有栅极，所述栅极与所述外延区之间设有氧化物层，所述栅极上表面覆盖有绝缘介质层，所述绝缘介质层上覆盖有与所述源极区接触的源极金属层；所述P柱具有第一宽度，所述超结MOSFET的相邻P柱之间具有第一P柱距离；所述浮空P柱具有第二宽度，所述浮空P柱与相邻所述P柱或所述浮空P柱之间具有第二P柱距离，其中，所述第一宽度和所述第一P柱距离之比等于所述第二宽度和所述第二P柱距离之比。3.如权利要求2所述的集成器件，其特征在于，所述第一宽度和所述第二宽度相同，所述第一P柱距离和所述第二P柱距离相同。4.如权利要求1至3任一项所述的集成器件，其特征在于，所述隔离结构还包括隔离介质层，所述隔离介质层间隔地设置在相邻所述浮空P柱之间。5.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，相邻的所述超结MOSFET之间电荷平衡。6.一种权利要求1至5任一项所述基于超结MOSFET的集成器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在半导体衬底表面生长形成外延区；在所述外延区形成多个P柱；在所述外延区上方依次淀积...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛琳，东伟，
申请(专利权)人：茂睿芯深圳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：