一种用于高纯材料制备的坩埚镀碳化硅薄膜方法技术

本发明专利技术公开了一种用于高纯材料制备的坩埚镀碳化硅薄膜方法，具体涉及坩埚镀膜技术领域，本发明专利技术通过将碳化硅长丝的制造过程是将聚硅烷在400℃以上，发生热转位反应，使侧链上的甲基以亚甲基的形式，导入主链的硅

【技术实现步骤摘要】
一种用于高纯材料制备的坩埚镀碳化硅薄膜方法


[0001]本专利技术涉及坩埚镀膜
，更具体地说，本专利技术涉及一种用于高纯材料制备的坩埚镀碳化硅薄膜方法。

技术介绍

[0002]在硅溶胶精密铸造制壳生产中壳模面层裂纹经常出现，同理，在坩埚表面镀碳化硅薄膜时，容易因碳化硅薄膜干燥过快会导致微裂纹，润湿非常细小，此时坩埚在脱蜡后裂纹会扩展，且在实际的使用过程中，不仅容易出现薄膜脱落的情况，且坩埚的内部也会出现受热不均匀的情况，同时，会影响坩埚对材料的提纯。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技术提供了一种用于高纯材料制备的坩埚镀碳化硅薄膜方法，本专利技术所要解决的技术问题是：在坩埚表面镀碳化硅薄膜时，容易因碳化硅薄膜干燥过快会导致微裂纹，润湿非常细小，此时坩埚在脱蜡后裂纹会扩展，且在实际的使用过程中，不仅容易出现薄膜脱落的情况，且坩埚的内部也会出现受热不均匀的情况，同时，会影响坩埚对材料提纯的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种用于高纯材料制备的坩埚镀碳化硅薄膜方本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于高纯材料制备的坩埚镀碳化硅薄膜方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、碳化硅纤维制备：
①
、聚硅烷在400℃以上，发生热转位反应，使侧链上的甲基以亚甲基的形式，导入主链的硅，形成聚碳硅烷，然后通过干法纺丝或熔体纺丝制成纤维，从而得到混合体；
②
、将所述混合体在真空度为0.1
‑
0.15MPa，温度为1200
‑
1500℃的条件下煅烧，侧链的甲基与氢同时脱出后只留下硅以及碳的骨架成分，并形成β
‑
碳化硅结构的纤维，最后进行上浆处理及集束卷绕，煅烧升温速率为3
‑
5℃/min，煅烧时间为5
‑
12h，从而得到前置物，对前置物进行除硅以及除碳处理，从而得到碳化硅纤维；S2、称取无水葡萄糖2
‑
5g，取二氧化硅粉过300目筛，称取筛下料2
‑
3g，称取氯化钠3
‑
5g，将称取好的原料放入尼龙球磨罐中加入玛瑙球，在行星球磨机上以200
‑
300r/min的速度球进行研磨，得到混合粉料；S3、将碳化硅纤维与混合粉料在80
‑
100℃内的烤箱内进行烘烤，从而剔除其内部的水分，随后将其一同倾倒至混合设备内部，通过对碳化硅纤维以及混合粉料进行混合，其混合转速为60r/min，混合时间为15
...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢鹏荐，曾小龙，张林，张联盟，章嵩，涂溶，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：