本发明专利技术公开了一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，包括以下步骤：S11，将需要再生的电极从干刻设备中拆卸下来；S12，去除电极表面原有陶瓷涂层的表层部分；S13，用遮蔽材料对电极背面和侧面进行遮蔽；S14，对电极表面进行喷砂；S15，用热喷涂方法在电极表面覆上一层陶瓷涂层；S16，完成喷涂后去除S13中的遮蔽材料；S17，对喷涂的陶瓷涂层进行封孔；S18，对电极表面进行加工，使所述电极表面四周形成一个凸起；S19，将电极与干刻设备重新组装。通过本发明专利技术中所描述的工艺再生后的干刻下部电极，其表面陶瓷层的绝缘性、致密性、硬度等性能与新品一致，再生后使用寿命可延长至6个月左右，且可重复再生，可显著降低面板厂家采购新品电极的频率，降低其成本。降低其成本。降低其成本。
【技术实现步骤摘要】
一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺
[0001]本专利技术涉及电极的再生工艺，尤其涉及一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺。
技术介绍
[0002]在LCD和AMOLED面板的制作过程中，其中的一道核心工序为干刻。干刻时，玻璃基板会被置于下部电极之上，然后在干刻设备中通入卤化物气体，通过电磁场在下部电极和上部电极之间形成等离子体，以在玻璃基板上的薄膜层中刻蚀出需要的微观结构。
[0003]在上述的干刻过程中，由于卤化物气体的高腐蚀性，以及由其形成的等离子体的高化学活性，下部电极会持续受到侵蚀，同时玻璃基板上被刻蚀的材料也会沉积在下部电极之上，因此，下部电极的表面性能会不断下降，在使用一段时间后，将会引起玻璃基板上出现颗粒物、在玻璃基板上留下印痕、以及划伤玻璃基板等问题，不能再满足干刻过程的需求。为此，面板厂家需要每隔一定时间，用净化布、百洁布等辅以酒精、丙酮对下部电极进行清洁和保养。但即便如此，下部电极的使用寿命依然有限，通常在满产的情况下只能使用半年左右，之后将需要更换新的电极。但下部电极的加工工艺复杂、精度要求高，目前由日本和韩国的几家公司垄断技术，所以不停更换新的电极对面板生产厂家来说是个巨大的成本负担。
技术实现思路
[0004]为克服上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺。通过本工艺再生的下部电极具有媲美新品的性能和使用寿命，从而可显著降低面板厂家的成本压力。为了达到以上目的，本专利技术采用的技术方案是：一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，包括以下步骤：
[0005]S11，拆解：将需要再生的电极从干刻设备中拆卸下来；
[0006]S12，除膜：去除电极表面原有陶瓷涂层的表层部分；
[0007]S13，遮蔽：用遮蔽材料对电极背面和侧面进行遮蔽；
[0008]S14，喷砂：对电极表面进行喷砂；
[0009]S15，喷涂：用热喷涂方法在电极表面覆上一层陶瓷涂层；
[0010]S16，去除遮蔽材料：完成喷涂后去除S13中的遮蔽材料；
[0011]S17，封孔：用封孔剂对喷涂的陶瓷涂层进行封孔；
[0012]S18，精加工：加工电极表面，使其在表面四周形成一个凸起；
[0013]S19，组装：将电极与干刻设备重新组装。
[0014]优选地，S11中,将需要再生的电极从干刻设备中拆卸下来，并去除背板及其它部件(如果有)。
[0015]优选地，S12中,将电极转移并固定于平面治具上，再连同平面治具一起转移至龙门加工中心，调整其平面度至50微米以内，然后用金刚石刀具去除电极表面原有陶瓷涂层
的表层部分，去除的厚度为100～600微米。
[0016]优选地，S13中,将电极转移至台车上，对电极背面和侧面进行遮蔽，防止其在后续的喷砂和喷涂工艺中受到损伤或附着陶瓷涂层，遮蔽材料为耐热胶。
[0017]优选地，S14中，喷砂用的材料为60～120目白刚玉，喷砂压力为0.4～1kgf，喷砂后的基材表面粗糙度增大至3μm以上，从而增加喷涂后陶瓷层在电极表面的附着力。
[0018]优选地，S15中，用热喷涂在电极表面覆上一层陶瓷涂层，从而在电极表面形成一个耐高压、耐等离子刻蚀的绝缘保护层，采用的热喷涂方法为大气等离子喷涂，喷涂使用的材料为纯度99.99％以上、直径在10～100μm的氧化铝粉末，喷涂厚度为300～800μm，用以形成等离子的气体为氩气和氦气，气体流量分别为10～100NLPM和1～10NLPM(NLPM英文全称为normal liter per minute)。
[0019]优选地，S17中，所述封孔剂为环氧树脂或者硅酮类封孔剂。
[0020]优选地，S18中，所述凸起的高度为10～150μm，宽度为5～20mm，表面的粗糙度在1μm以内。
[0021]若所述电极表面存在浮点，还包括以下步骤：
[0022]S21,浮点遮蔽治具准备：准备所述浮点的喷涂遮蔽治具；
[0023]S22,遮蔽：用遮蔽材料对电极背面、侧面和表面四周的凸起进行遮蔽；
[0024]S23,喷砂：对电极表面进行喷砂；
[0025]S24,浮点治具遮蔽：将S21中准备的遮蔽治具粘贴于电极表面凹陷处；
[0026]S25,浮点喷涂：在电极表面凹陷处覆上一层陶瓷浮点；
[0027]S26,去除遮蔽：除去浮点遮蔽治具；
[0028]优选地，S21中,所述遮蔽治具由4
‑
8片带通孔的不锈钢片拼接而成，通孔直径等于浮点直径，通孔间距等于浮点间距，通孔数量等于浮点数量。
[0029]优选地，S22中,对电极背面、侧面和表面四周的凸起进行遮蔽的遮蔽材料为耐高温胶带，所述耐高温胶带，易于粘贴和撕下，且撕下来不在电极背面或侧面留下印痕。
[0030]优选地，S23中,喷砂用的材料为60～120目白刚玉，喷砂压力为0.4～1kgf。喷砂后的基材表面粗糙度增大至3μm以上，从而增加喷涂后陶瓷层在电极表面的附着力。
[0031]优选地，S24中,将S21中准备的遮蔽治具用耐高温双面胶粘贴于电极表面凹陷处，并用耐热胶将拼接处及治具四周边缘遮蔽。
[0032]优选地，S25中,用热喷涂在电极表面凹陷处覆上一层陶瓷浮点，所述热喷涂方法为大气等离子喷涂，喷涂使用的材料为纯度99.99％以上、直径在10～100μm的氧化铝粉末，形成的浮点高度低于表面周边凸起0～50微米，用以形成等离子的气体为氩气和氦气，气体流量分别为10～100NLPM和1～10NLPM(NLPM英文全称为normal liter per minute)。
[0033]优选地，S26中，除去所有的遮蔽胶带和浮点遮蔽治具。
[0034]本专利技术的有益效果是：通过本专利技术中所描述的工艺再生后的干刻下部电极，其表面陶瓷层的绝缘性、致密性、硬度等性能与新品一致，再生后使用寿命可延长至6个月左右，且可重复再生，因此可显著降低面板厂家采购新品电极的频率，降低其成本。
附图说明
[0035]图1为本专利技术一较佳实施例不带浮点的电极的再生流程；
[0036]图2为本专利技术一较佳实施例的带浮点的电极的再生流程；
[0037]图3为本专利技术一较佳实施例的没有浮点的G6 AMOLED干刻下部电极再生前后实物照片；
[0038]图4为本专利技术一较佳实施例的带浮点的G5 LCD干刻下电极再生前后实物照片。
具体实施方式
[0039]下面结合附图对本专利技术的较佳实施例进行详细阐述，以使本专利技术的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本专利技术的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0040]实施方式一
[0041]如图1所示G6 AMOLED面板干刻的下部电极，这类电极表面四周有凸起，但无浮点，再生前后的实物如图3所示。电极的再生工艺步骤如下：
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，包括以下步骤：S11，拆解：将需要再生的电极从干刻设备中拆卸下来；S12，除膜：去除电极表面原有陶瓷涂层的表层部分；S13，遮蔽：用遮蔽材料对电极背面和侧面进行遮蔽；S14，喷砂：对电极表面进行喷砂；S15，喷涂：用热喷涂方法在电极表面覆上一层陶瓷涂层；S16，去除遮蔽材料：完成喷涂后去除S13中的遮蔽材料；S17，封孔：用封孔剂对喷涂的陶瓷涂层进行封孔；S18，精加工：对电极表面进行加工，使所述电极表面四周形成一个凸起；S19，组装：将电极与干刻设备重新组装。2.根据权利要求1所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，还包括以下步骤：S21,浮点遮蔽治具准备：准备电极表面浮点的喷涂遮蔽治具；S22,遮蔽：用遮蔽材料对电极背面、侧面和表面四周的所述凸起进行遮蔽；S23,喷砂：对电极表面进行喷砂；S24,浮点治具遮蔽：将S21中准备的遮蔽治具粘贴于电极表面凹陷处；S25,浮点喷涂：在电极表面所述凹陷处覆上一层陶瓷浮点；S26,去除遮蔽治具：除去浮点遮蔽治具。3.根据权利要求1所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：S12中,去除的电极表层厚度为100～600μm。4.根据权利要求1所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：S14中，喷砂用的材料为60～120目白刚玉，喷砂压力为0.4～1kgf，喷砂后的基材表面粗糙度为3μm以上。5.根据权利要求1所述的一种用于LCD和AMOLED干刻下部电极的再生工艺，其特征在于：S15中，所述热喷涂方法为大...
【专利技术属性】
技术研发人员：张立祥，赵凯，
申请(专利权)人：苏州众芯联电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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