【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及铝合金材料，具体涉及一种用于真空腔体的铝合金材料及其制备方法。
技术介绍
1、在芯片和面板的制作过程中，有大量的工序需要在真空环境中进行。6061铝合金由于有比较好的机械性能和良好的可焊性，是制作设备的真空腔体以及其中部件的常用材料。但铝合金6061中，含有较多zn元素，zn的存在会在芯片和面板的制作过程中带来负面影响。在部分高温的制作工艺中，zn元素会析出沉积到腔体内壁和部件表面，随着沉积厚度的增加，zn元素会从腔体内壁或部件表面脱落至芯片上，导致芯片和面板的加工不良率增加，降低芯片和面板加工的良率。
技术实现思路
1、为克服上述缺点，本专利技术的目的在于提供一种用于真空腔体的铝合金材料及其制备方法，通过该方法制备的铝合金材料中，zn元素含量低，解决了zn元素析出导致芯片和面板加工良率降低的问题。
2、为了达到以上目的，本专利技术采用的技术方案是：一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，包括如下步骤：
3、s1、提纯：通过三层电解法或偏析法提纯金属铝，提纯前的金属铝的纯度≥99.8％，提纯前金属铝的高纯度才能保证提纯后金属铝能达到相应的纯度要求；
4、s2、熔炼：将提纯后的金属铝在600～800℃下熔化，然后加入中间金属形成铝液，中间金属包括金属si、金属mg、金属cu、金属cr、金属fe、金属ti、金属mg；
5、s3、铸造；
6、s4、锻造或轧制；
7、s5、t652、t6或t651处理：将
8、通过提纯、熔炼、铸造和t6处理制备铝合金材料，在制作过程中，严格控制zn元素的含量，确保最终的铝合金材料中zn元素的含量≤200ppm，进而在芯片和面板的制作过程中，设备的真空腔体以及其中部件中使用的铝合金材料没有zn元素析出，提升芯片和面板加工的良率。
9、进一步地，s1中，三层电解法用的电解液为naf-alf3-baf2-caf2的混合物，或者为na3alf6-alf3-bacl2-nacl的混合物。
10、进一步地，s1中，提纯后金属铝纯度≥99.996％，zn的含量≤100ppm。通过三层电解法或偏析法对金属铝进行提纯，提纯后的金属铝纯度高，zn含量少。这步提纯，对zn含量进行了控制，进而对最终的铝合金材料的zn含量做控制。
11、进一步地，s2中，按重量计，铝液中包括：si＝0.1～1.2wt％、mg＝0.3～1.8wt％、cu＝0.02～0.8wt％、cr＝0.02～0.5wt％、fe≤1.0wt％、ti≤0.4wt％、mn≤0.4wt％，zn<200ppm，其它杂质元素的含量≤3000ppm。
12、进一步地，s2中，按重量计，中间金属中zn含量≤100ppm。此步反应向铝液中加入中间金属，通过对中间金属中zn含量的控制，进而对最终的铝合金材料的zn含量做控制。中间金属购买获得，在购买时，购买符合要求的zn含量的中间金属即可。
13、进一步地，s3中，将铝液通过重力浇铸法制成铝合金锭。
14、进一步地，s5中，t6处理包括以下步骤：
15、s51、在500℃～550℃进行固溶处理，使合金中所添加的元素均匀分布。
16、s52、将固溶处理后的合金自然冷却到室温，再加热到150℃～170℃进行时效处理。
17、t651处理包括以下步骤：
18、在500℃～550℃进行固溶处理，使合金中所添加的元素均匀分布
19、在t6处理后对铝板进行拉伸，以消除应力
20、将固溶处理后的合金自然冷却到室温，再加热到150℃～170℃进行时效处理。
21、t652处理包括以下步骤：
22、在500℃～550℃进行固溶处理，使合金中所添加的元素均匀分布
23、通过施压产生1％～5％永久变形以消除应力。
24、将固溶处理后的合金自然冷却到室温，再加热到150℃～170℃进行时效处理。
25、一种用于真空腔体的铝合金材料，通过如上所述的制备方法制备得到。
26、一种真空腔体，包括如上所述的铝合金材料。
27、本专利技术的有益效果是：通过提纯、熔炼、铸造和t6处理制备铝合金材料，在制作过程中，严格控制zn元素的含量，确保最终的铝合金材料中zn元素的含量≤200ppm，进而在芯片和面板的制作过程中，设备的真空腔体以及其中部件中使用的铝合金材料没有zn元素析出，提升芯片和面板加工的良率。
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1.一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，其特征在于，S1中，三层电解法用的电解液为NaF-AlF3-BaF2-CaF2的混合物，或者为Na3AlF6-AlF3-BaCl2-NaCl的混合物。
3.根据权利要求1所述的一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，其特征在于，S1中，提纯后金属铝纯度≥99.996％，Zn的含量≤100ppm。
4.根据权利要求1所述的一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，其特征在于，S2中，按重量计，铝液中包括：Si＝0.1～1.2wt％、Mg＝0.3～1.8wt％、Cu＝0.02～0.8wt％、Cr＝0.02～0.5wt％、Fe≤1.0wt％、Ti≤0.4wt％、Mn≤0.4wt％，Zn<200ppm，其它杂质元素的含量≤3000ppm。
5.根据权利要求1所述的一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，其特征在于，S2中，按重量计，中间金属中Zn含量≤100ppm。
6.根据权利要求1所述的
7.根据权利要求1所述的一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，其特征在于：S5中，T6处理包括以下步骤：
8.一种用于真空腔体的铝合金材料，其特征在于，通过权利要求1～7任一项所述的制备方法制备得到。
9.一种真空腔体，其特征在于，包括权利要求8中所述的铝合金材料。
...【技术特征摘要】
1.一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，其特征在于，s1中，三层电解法用的电解液为naf-alf3-baf2-caf2的混合物，或者为na3alf6-alf3-bacl2-nacl的混合物。
3.根据权利要求1所述的一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，其特征在于，s1中，提纯后金属铝纯度≥99.996％，zn的含量≤100ppm。
4.根据权利要求1所述的一种用于真空腔体的铝合金材料的制备方法，其特征在于，s2中，按重量计，铝液中包括：si＝0.1～1.2wt％、mg＝0.3～1.8wt％、cu＝0.02～0.8wt％、cr＝0.02～0.5wt％、fe≤...
【专利技术属性】
技术研发人员：张立祥，赵凯，洪远周，
申请(专利权)人：苏州众芯联电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：
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