本发明专利技术公开了一种用纯度为９９．９９％的石英材料与ＳｉＣ↓［ｆ］／ＳｉＣ复合材料制备高温液态金属回路的方法，包括以下步骤：（１）准备石英芯模；（２）采用三维编织技术在上述石英芯模上制备ＳｉＣ纤维编制件；（３）将聚碳硅烷、二甲苯混合，ＳｉＣ纤维编制件以该混合溶液为浸渍液体进行高压浸渍；再进行高温裂解；重复高压浸渍到高温裂解工艺５～２５次，得到高温液态金属回路粗模；（４）进行化学气相沉积，涂层的厚度为３～７０μｍ，涂层后得到高温液态金属回路成品。通过本发明专利技术方法制备的回路与金属熔液的相容性好，对增强纤维损伤小，该液态金属回路的综合性能优越。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及热核聚变反应堆的零件的制备，尤其涉及反应堆中高温液态金属回路的 制备方法。技术背景，作为一种经济、安全、可靠、清洁的新能源，核聚变能对于从根本上解决能源紧张 和减轻环境污染具有十分重要的意义。聚变反应堆是获得和使用核聚变能的核心部件。 因此，聚变反应堆技术引起世界各国的高度重视。目前，美、俄、法、中、日、韩、印七方合作进行国际热核实验堆计划(International Thermonuclear Experimental Reactor,简 称ITER)，共同开发聚变堆技术，计划在2050年将聚变能用于发电。材料技术是反应堆技术中的关键。著名物理学家费米早在1946年就指出核技术的 成败取决于材料在反应堆环境中的行为，之后几十年核反应堆的发展证实了此断言。作 为聚变堆中的核心部件，包层的工作环境最为苛刻。随着核聚变反应堆向高环境安全性、 高热效率、高实用性的方向发展，对包层结构材料在耐高温、抗热震、抗氧化、辐照稳 定性、抗高能粒子轰击、低诱导活性、化学稳定性等方面提出了越来越髙的要求。Be、 W、低活性不锈钢、钒合金等都是候选材料，但它们存在有毒，熔点低，抗辐照、抗氧 化和抗冲蚀的能力不理想(例如Be)，密度太大，对等离子体的稳定运行有较大影响，活 性较高，难加工(例如W)，化学稳定性和工作温度不高，能量转换效率不高(例如低活 性不锈钢、钒合金)等缺点。C/C复合材料由于具有抗热震、耐高温、热导率高等优点也 成为聚变堆面向高温等离子体的候选材料，但C/C复合材料(尤其是C基体)抗氧化性能 差，抗高温等离子体中高能活性粒子的物理和化学溅射的能力差，在辐照下结构和性能 的稳定性较差，很容易与吸收的氚共沉积形成灰尘，受辐照后吸收氳的能力还会显著提 高，这不仅需要进行清洁处理，还会对环境和人身安全造成很大威胁。包层材料的性能除应具备上述严苛的条件要求外，与包层中的氚增殖剂、中子倍增 剂和冷却剂的化学相容性也是现实中亟待解决的问题。氚增殖剂和中子倍增剂是维持聚 变反应的重要物质，冷却剂则起到将热量带走用于发电的重要作用。而液态Li-Pb集氖增 殖剂、中子倍增剂和冷却剂三种功能于一身，对辐照损伤具有很高的免疫力，可以低压运行，对复杂构型具有很好的适应性，使用它可以简化包层结构和提氚工艺，在包层运 行时可对Li进行实时在线替换而不用考虑装卸和停堆等安全问题。因此，参加ITER的七 方都非常重视液态Li-Pb包层的发展，其中欧盟、美国和中国均将液态Li-Pb包层作为重点 发展对象。中国要想在液态Li-Pb包层领域占据技术制高点，迫切需要高性能的包层结构 材料制备成液态Li-Pb的回流管路，从而为热核聚变反应堆技术的广泛应用打下坚实的基 础。SiQ/SiC复合材料被公认为目前最理想的包层结构材料，它的应用可以显著提高聚变 堆的能量转换效率、可靠性和工作寿命，大幅度降低核废物的产量和放射性水平，且 SiCVSiC复合材料与高温Li-Pb熔液的化学相容性较好，从而使聚变能从真正意义上成为 一种高效、清洁、安全的能源。中国的双功能锂铅(Li-Pb)实验包层模块DFLL-TBM、 聚变发电反应堆FDS-II和高温制氢堆FDS-III设计中锂铅出口温度分别达到700。C和 IOO(TC，均采用目前技术相对成熟的低活化铁素体/马氏体钢(RAFM)作为结构材料， 而RAFM钢在聚变堆中的工作温度上限为55(TC，不能满足高温Li-Pb熔液对流通回路的耐 高温要求。因此在设计中采用流道插件(FCI)技术，即将SiQ/SiC复合材料作为功能材 料制成Li-Pb流道插件，通过FCI作为电绝缘和热绝缘体隔离高温锂铅和RAFM钢直接接 触，来提高液态金属锂铅出口温度。这一系列的设计对SiQ/SiC复合材料及构件提出了迫 切的需求。当前，国际上比较先进的三种聚变堆概念(美国的ARIES-I、欧盟的TAURO、 日本的DREAM)都是基于SiQ/SiC复合材料为包层结构材料而设计的。研究表明，这三 种概念能否实现最终取决于高性能SiCVSiC复合材料的发展。目前制备SiCf/SiC复合材料的主要工艺技术包括先驱体浸渍裂解法(PIP)、化学气 相渗透法(CVI)、反应烧结法(RS)、热压法(HP)等，其中PIP、 CVI工艺成熟、应 用广泛，而RS、 HP由于其制备的SiQ/SiC复合材料杂质含量相对较高，制备温度高， 对纤维的损伤较大，复合材料综合性能不高，制备复杂形状复合材料构件比较困难，因 此RS、 HP应用较少。CVI工艺主要缺点是基体致密化速率低，制备周期长、制造成 本高；复合材料存在10 15%的孔隙以作为大量沉积副产物分子的逸出通道，从而影响 复合材料的力学性能和抗氧化性能；多孔预制体孔隙入口附近气体的浓度高，沉积速率 大于内部的沉积速率，易导致入口处封闭而产生密度梯度及较高的材料孔隙率；制备过 程中产生腐蚀性副产物，这些不足严重限制了其在聚变堆中的应用。而PIP工艺被认为 是比较有应用前景的一种制备方法，但如何改进该工艺，使通过该工艺制备的SiQ/SiC 复合材料回路能够有效地应用于核聚变领域，就成为本领域技术人员亟待解决的一个问题。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种与高温金属熔液相容性 好、对材料损伤小、产品综合性能优越的用石英和SiQ/SiC复合材料制备高温液态金属回路的方法。为解决上述技术问题，本专利技术提出的技术方案为 一种用石英和SiQ/SiC复合材料 制备高温液态金属回路的方法，包括以下步骤(1) 芯模的准备准备用于制备高温液态金属回路的石英芯模；所述石英芯模为管 状结构，可以通过外购定制；(2) 纤维的编制以SiC纤维为原料，采用三维编织技术(三维编织技术是上世纪 80年代发展起来的高新纺织技术，具有异型件一次编织成型的特点，以这种织物为增强 结构的复合材料具有轻质、不分层、强度高、整体性能好和结构设计灵活等特点)，在上 述石英芯模上制备SiC纤维编制件；编制完成后外表面用SiC纤维进行捆绑以保证纤维 编制件贴紧芯模，编制过程中产生的线头不留在内表面，以保证内表面的光洁度；(3) 先驱体浸渍裂解制备SiCf/SiC复合材料所用先驱体为聚碳硅烷，将聚碳硅烷、二甲苯按照i: (i io)的质量比混合，所述sic纤维编制件以聚碳硅垸/二甲苯的混合溶液为浸渍液体进行高压浸渍，浸渍压力为1 10MPa，浸渍时间为1 24h;再 进行高温裂解，裂解温度为800 150(TC，保温l 10h;重复所述高压浸渍到高温裂解 工艺5 25次，得到高温液态金属回路粗模；(4) 碳化硅涂层将上述高温液态金属回路粗模放置于真空炉内进行化学气相沉积， 涂层的厚度为3 70pm，涂层后得到高温液态金属回路成品。(本专利技术的涂层涂覆在复合 材料的外表面和石英芯模的内表面)上述石英芯模中二氧化硅的质量分数为99.9%，且其表面粗糙度小于lnm。上述高温裂解的升温过程中，在300 50(TC和550 80(TC两个温度段内分别设立保 温点，在每个保温点分别保温1 10h。上述化学气相沉积工艺的沉积温度为500 1500。C;载气体为H2，气体的流量 为50 200ml/min;稀释气体为氩气，气体的流本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用石英和ＳｉＣ↓［ｆ］／ＳｉＣ复合材料制备高温液态金属回路的方法，包括以下步骤：（１）芯模的准备：准备用于制备高温液态金属回路的石英芯模；（２）纤维的编制：以ＳｉＣ纤维为原料，采用三维编织技术，在上述石英芯模上制备ＳｉＣ纤维编制件； （３）先驱体浸渍裂解制备ＳｉＣ↓［ｆ］／ＳｉＣ复合材料：所用先驱体为聚碳硅烷，将聚碳硅烷、二甲苯按照１∶（１～１０）的质量比混合，所述ＳｉＣ纤维编制件以聚碳硅烷／二甲苯的混合溶液为浸渍液体进行高压浸渍，浸渍压力为１～１０ＭＰａ，浸渍时间为１～２４ｈ；再进行高温裂解，裂解温度为８００～１５００℃，保温１～１０ｈ；重复所述高压浸渍到高温裂解工艺５～２５次，得到高温液态金属回路粗模；（４）碳化硅涂层：将上述高温液态金属回路粗模进行化学气相沉积，涂层的厚度为３～７０μｍ，涂层后得到 高温液态金属回路成品。
【技术特征摘要】
1、一种用石英和SiCf/SiC复合材料制备高温液态金属回路的方法，包括以下步骤(1)芯模的准备准备用于制备高温液态金属回路的石英芯模；(2)纤维的编制以SiC纤维为原料，采用三维编织技术，在上述石英芯模上制备SiC纤维编制件；(3)先驱体浸渍裂解制备SiCf/SiC复合材料所用先驱体为聚碳硅烷，将聚碳硅烷、二甲苯按照1∶(1～10)的质量比混合，所述SiC纤维编制件以聚碳硅烷/二甲苯的混合溶液为浸渍液体进行高压浸渍，浸渍压力为1～10MPa，浸渍时间为1～24h；再进行高温裂解，裂解温度为800～1500℃，保温1～10h；重复所述高压浸渍到高温裂解工艺5～25次，得到高温液态金属回路粗模；(4)碳化硅涂层将上述高温液态金属回路粗模进行化学气相沉积，涂层的厚度为3～70μm，涂层后得到高温液态金属回路成...
【专利技术属性】
技术研发人员：周新贵，吴宜灿，王军，张长瑞，黄群英，曹英斌，刘荣军，王洪磊，于海蛟，赵爽，王志毅，黄泽兰，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]
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