一种制备CsPbBr3单晶的方法技术

本发明专利技术公开一种制备CsPbBr3单晶的方法，属于新型纳米材料技术领域。一种制备CsPbBr3单晶的方法，包括以下步骤：S1、将CsBr和PbBr2混合并研磨均匀得到混合物；S2、将混合物放入双温区管式炉的上游区，将SiO2/Si基片放入双温区管式炉的下游区，并向双温区管式炉中通入惰性气体；所述混合物在双温区管式炉中反应得到所述CsPbBr3单晶；其中，所述上游区的温度为580～670℃，所述下游区的温度为300～380℃。该方法制得的CsPbBr3单晶的分散度高，而且形状完整，晶格缺陷密度小。晶格缺陷密度小。晶格缺陷密度小。

【技术实现步骤摘要】
一种制备CsPbBr3单晶的方法


[0001]本专利技术涉及新型纳米材料
，具体涉及一种制备CsPbBr3单晶的方法。

技术介绍

[0002]相比于有机
‑
无机杂化钙钛矿，全无机钙钛矿由于具有更好的环境稳定性、较好的缺陷容忍度等优势，引起了科学研究者和科技企业的广泛关注，优异的光电特性和稳定性使其在光电器件领域(如：光电探测器、发光二极管、太阳能电池等)具有很好的运用前景。
[0003]过去研究者致力于用液相法来制备全无机钙钛矿，但是液相法制备很难实现全无机钙钛矿晶体的晶面各向异性取向生长，而且合成的全无机钙钛矿晶体的表面通常被表面活性剂包裹覆盖，晶体缺陷密度大，这大大影响了全无机钙钛矿在光电领域中的运用。如何制得晶体缺陷密度小的全无机钙钛矿是现有技术的难题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服上述技术不足，提供一种制备CsPbBr3单晶的方法，解决现有技术中全无机钙钛矿晶体的缺陷密度大的技术问题。
[0005]为达到上述技术目的，本专利技术的技术方案提供一种制备CsPbB本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制备CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将CsBr和PbBr2混合并研磨得到混合物；S2、将所述混合物放入双温区管式炉的上游区，将SiO2/Si基片放入双温区管式炉的下游区，并向双温区管式炉中通入惰性气体；所述混合物在双温区管式炉中反应得到所述CsPbBr3单晶；其中，所述上游区的温度为580～670℃，所述下游区的温度为300～380℃。2.根据权利要求1所述的制备CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，在步骤S1中，CsBr和PbBr2的质量比为(0.05
‑
1):(0.1
‑
0.2)。3.根据权利要求1所述的制备CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，在步骤S2之前，还包括清洗所述SiO2/Si基片：将SiO2/Si基片依次放于丙酮、乙醇和超纯水中超声处理。4.根据权利要求3所述的制备CsPbBr3单晶的方法，其特征在于，将所述SiO2/Si基片放于所述丙酮、所述乙醇或者所述超纯水中超声处理的时间分别为20
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【专利技术属性】
技术研发人员：刘勇，董顺洪，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：