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本发明公开一种制备CsPbBr3单晶的方法，属于新型纳米材料技术领域。一种制备CsPbBr3单晶的方法，包括以下步骤：S1、将CsBr和PbBr2混合并研磨均匀得到混合物；S2、将混合物放入双温区管式炉的上游区，将SiO2/Si基片放入双温...
该专利属于武汉理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过武汉理工大学授权不得商用。

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