【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种奇偶校验电路,其是电连接制存储单元阵列中的存储单元,且是设计用于存储单元奇偶连续校验。
技术介绍
电路中的组件变得很小且组件的封包密度变得更高,例如由目前微电子所产生的半导体存储器。再者,储存于记亿元件中且储存为数据项目的电荷是最小的。因此,储存在所述存储元件中的数据对于干扰敏感。当数据储存于RAM时,可发生两种不同形式的错误。第一种是永久的错误,第二种是易失错误。永久的错误指得的是硬错误,其是由存储IC本身或是相关驱动电路的缺陷所形成。易失错误指的是软错误,仅随机发生,因而无再现性。其主要是由阿尔发(alpha)辐射所形成。阿尔发辐射可以倒转在动态RAM中存储电容器的电荷,或是在静态RAM中的其它存储突然改变可翻转。易失错误亦可由干扰脉冲所形成,所述的干扰脉冲是在电路内部或是外部产生。存储错误的发生可具有很长远的影响。例如,计算器存储中的单一错误无法仅造成一不正确的结果,但是可以造成程序的全部错误。为了避免此种错误与反效果,必须鉴别且报告这些错误。一种用于错误鉴别的方法是储存除了数据位之外的一或多个校验位。同样被储存的校验位数目越多,则越多错误被鉴别或甚至被校正。一种用于错误鉴别的程序,其是传输一所谓的奇偶位。此种错误鉴别方法是指奇偶校验。可以是偶数或是奇数奇偶。在偶数奇偶中,当数据字符中的数目为偶数时,将奇数奇偶位设为零。当奇偶为奇数时,将奇偶位设为一。因此,在包含奇偶位的数据字符中传输总数目总是偶数。在奇数奇偶中,总数目总是奇数。在未来技术中,相关的更细微结构与更小电容更常造成储存电路中的软错误,如上所述。当读取一奇偶位时,重 ...
【技术保护点】
一种奇偶校验电路,其电连接至一存储单元阵列中的一存储单元(SZ),且设计用于连续校验所述存储单元(SZ)的所述校验,其特征在于设计所述奇偶对电路,因而当进行一奇偶校验时,数据字符的奇偶校验数目N等于欲被储存的原始负载数据字符的位数目M。
【技术特征摘要】
DE 2004-2-23 102004008757.11.一种奇偶校验电路,其电连接至一存储单元阵列中的一存储单元(SZ),且设计用于连续校验所述存储单元(SZ)的所述校验,其特征在于设计所述奇偶对电路,因而当进行一奇偶校验时,数据字符的奇偶校验数目N等于欲被储存的原始负载数据字符的位数目M。2.如权利要求1所述的奇偶校验电路,其特征在于所述奇偶校验电路(PPS)是由四个相同传导形式的晶体管(T1至T4)所形成。3.如权利要求2所述的奇偶校验电路,其特征在于所述四个晶体管(T1至T4)的栅极连接乃是各自电连接至所述存储单元(SZ),其是电连接至所述奇偶校验电路(PPS)。4.如权利要求2或3所述的奇偶校验电路,其特征在于所述四个晶体管(T1至T4)为交叉耦合。5.如权利要求2至4中任一项所述的奇偶校验电路,其特征在于在所述奇偶校验电路(PPS)中,第一(T1)与第二(T2)晶体管的栅极连接是电连接至第一存储节点(SK1),以及第三(T3)与第四(T4)晶体管的栅极连接是电连接至相关存储单元(SZ)的第二存储节点(SK2)。6.如权利要求2至5中任一项所述的奇偶校验电路,其特征在于一第一晶体管(T1)乃于一第一奇偶输出(pai)与一第二奇偶输出(paon)间连接其电流路径,以及一第二晶体管(T2)乃于一第二奇偶输入(pain)与一第一奇偶输出(pao)间连接其电流路径。7.如权利要求2至6中任一项所述的奇偶校验电路,其特征在于一第三晶体管(T3)乃于一第二奇偶输入(pain)与一第二奇偶输出(paon)间连接其电流路径,以及一第四晶体管(T4)乃于一第一奇偶输入(pai)与一第一奇偶输出(pao)间连接其电流路径。8.如权利要求2至7中任一项所述的奇偶校验电路,其特征在于所述第一晶体管(T1)的源极连接是电连接至所述第四晶体管(T4)的源极连接,且所述第二晶体管(T2)的源极连接是电连接至所述第三晶体管(T3)的源极连接;以及所述第二晶体管(T2)的漏极连接是电连接至所述第四晶体管(T4)的漏极连接,且所述第一晶体管(T1)的漏极连接是电连接至所述第三晶体管(T3)的漏极连接。9.如前述权利要求中任一项所述的奇偶校验电路,其特征在于一检测器检测一存储单元的信息状态的改变,特别是动态检测两个状态。10.如权利要求9所述的奇偶校验电路,其特征在于所述检测器是一自动状态装置,其具有一第一状态等级,其代表初始化状态;具有一第二状态等级,其代表正常运作;以及一第三状态等级,其代表一错误。11.如权利要求10所述的奇偶校验电路,其特征在于对所述检测器进行设计,因而一状态等级改变为不可逆的。12.如权利要求9至11中任一项所述的奇偶校验电路,其特征在于所述检测器具有至少两个捕捉锁(AL1、AL2)。13.如权利要求12所述的奇偶校验电路,其特征在于所述捕捉锁(AL1、AL2)各具有四个晶体管(T6至T9)与至少一逆变器(I1),至少一第一晶体管(T6))与一第二晶体管(T7)为第一传导型。14.如权利要求13所述的奇偶校验电路,其特征在于在一捕捉锁(AL1、AL2)中的所述第一晶体管(T6)的栅极连接是电连接至输入(di),其源极连接是电连接至接地电位(VSS),以及其漏极连接是电连接至一第一电路节点(SCK1);以及在所述捕捉锁(AL1、AL2)中的所述第二晶体管(T7)的源极连接是电连接至所述第一电路节点(SCK1),其栅极连接是电连接至第二电路节点(SCK2),以及其漏极连接是电连接至接地电位(VSS)。15.如权利要求13或14所述的奇偶校验电路,其特征在于所述第一逆变器(I1)的一输入是电连接至所述捕捉锁中的一第一电路节点(SCK1),且其输出之一是透过一第二电路节点(SCK2)而电连接至所述捕捉锁(AL1、AL2)的所述输出。16.如权利要求13至15中任一项所述的奇偶校验电路,其特征在于在所述捕捉锁(AL1、AL2)中的所述第三(T8)与第四(T9)晶体管的传导形式与所述第一(T6)与第二(T7)晶体管的传导形式相反;以及所述第三(T8)晶体管的栅极连接是电连接至互补控制线以重新设定所述奇偶校验电路(PPS),其源极连接是电连接至所述供应电压电位(VDD),以及其漏极连接是电连接至一第一电路节点(SCK1);以及所述第四晶体管(T9)的栅极连接是电连接至一第二电路节点(SCK2),其源极连接是电连接至第一电路节点(SCK1),以及其漏极连接是电连接至所述供应电压电位(VDD)。17.如权利要求13至16中任...
【专利技术属性】
技术研发人员:W坎普,S科佩,
申请(专利权)人:因芬尼昂技术股份公司,
类型:发明
国别省市:DE[德国]
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