增加发光角度的光电二极体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术揭露一种增加发光角度的光电二极体装置及其制造方法，制造方法包括以下步骤：将发光芯片固定于基板上；接着，在发光芯片的上方设置挡光层；最后将封装层设置于基板上，封装层覆盖至发光芯片与挡光层。借此，可以有效增加光电二极体装置的发光角度，且避免白胶脱落的问题产生，降低产品不良率，还可减少整体厚度，应用场景更为广泛。应用场景更为广泛。应用场景更为广泛。

【技术实现步骤摘要】
增加发光角度的光电二极体装置及其制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造工艺领域，尤其涉及一种可有效增加发光角度的光电二极体装置及其制造方法。

技术介绍

[0002]近年来，LED产品的应用越来越广泛，例如LED显示屏应用、室内LED照明应用，汽车LED照明应用等等。然而，现有的LED产品的发光角度大约在150
°
左右，已不再能满足人们的需求。LED产品开始追求更大的发光角度特性。
[0003]现有的做法是：在传统的LED产品上方增加一层白胶，也就是在封装胶体层的上面再增加一层白胶，以增加侧向光的出光比例，可达到的发光角度约在165
°
左右。但是，在实务上，封装胶体层与白胶之间时常因制程管控不佳或接触面受污染等原因，产生结合性不良的问题，导致白胶从封装胶体层上脱落，影响LED产品的光学性能，LED产品的不良率颇高。
[0004]因此，本专利技术的主要目的在于提供一种增加发光角度的光电二极体装置及其制造方法，以解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术之目的在于提供一种增加发光角度的光电二极体装置及其制造方法，可以有效增加光电二极体装置的发光角度，且避免白胶脱落的问题产生，降低产品不良率，还可减少整体厚度，应用场景更为广泛。
[0006]为达所述优点至少其中之一或其他优点，本专利技术的一实施例提出一种增加发光角度的光电二极体装置的制造方法，包括下列步骤：将发光芯片固定于基板上；在发光芯片的上方设置挡光层；将封装层设置于基板上，并覆盖发光芯片与挡光层。
[0007]在一些实施例中，所述发光芯片是水平芯片、垂直芯片或倒装芯片。进一步的，当所述发光芯片是水平芯片或垂直芯片时，在所述将发光芯片固定于基板上的步骤之后，还包括下列步骤：对所述发光芯片进行焊线操作。
[0008]在一些实施例中，所述挡光层是对应于所述发光芯片的正上方，并完全覆盖所述发光芯片的上表面，以阻挡所述发光芯片发出的正向光线。
[0009]在一些实施例中，所述挡光层的厚度范围是100μm
‑
300μm。
[0010]为达所述优点至少其中之一或其他优点，本专利技术的另一实施例进一步提出一种增加发光角度的光电二极体装置，其包括基板、发光芯片、挡光层以及封装层。发光芯片设置于基板上。挡光层设置于发光芯片的上方。封装层设置于基板上，并覆盖发光芯片与挡光层。
[0011]在一些实施例中，所述发光芯片是水平芯片、垂直芯片或倒装芯片。进一步的，当所述发光芯片是水平芯片或垂直芯片时，所述光电二极体装置还包括第一引线与第二引线，所述第一引线的两端分别连接所述发光芯片的正极与所述基板，所述第二引线的两端
分别连接所述发光芯片的负极与所述基板。
[0012]在一些实施例中，所述挡光层是对应于所述发光芯片的正上方，并完全覆盖所述发光芯片的上表面，以阻挡所述发光芯片发出的正向光线。
[0013]在一些实施例中，所述封装层可以是透明胶体层或荧光胶体层。
[0014]因此，利用本专利技术所提供的一种增加发光角度的光电二极体装置及其制造方法，借由挡光层的设置，可以有效增加光电二极体装置的发光角度，且避免白胶脱落的问题产生，降低产品不良率，还可减少整体厚度，应用场景更为广泛。
[0015]上述说明仅是本专利技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本专利技术的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本专利技术的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下列举较佳实施例，并配合附图,详细说明如下。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本专利技术光电二极体装置的制造方法的流程示意图；
[0018]图2是本专利技术制造光电二极体装置的过程示意图；以及
[0019]图3是本专利技术光电二极体装置的结构示意图。
[0020]附图标记：
[0021]10
‑
光电二极体装置；12
‑
基板；14
‑
发光芯片；16
‑
挡光层；18
‑
封装层；20
‑
第一引线；22
‑
第二引线。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。
[0024]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸的连接，或一体成型的连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，
可以是两个组件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0025]这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
[0026]请参阅图1和图2，图1是本专利技术光电二极体装置10的制造方法的流程示意图，图2是本专利技术制造光电二极体装置10的过程示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本专利技术的一实施例提出一种光电二极体装置10的制造方法，制造出来的光电二极体装置10可有效增加发光角度。如图中所示，光电二极体装置10的制造方法包括下列步骤：
[0027]S100：将发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种增加发光角度的光电二极体装置的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括下列步骤：将发光芯片固定于基板上；在所述发光芯片的上方设置挡光层；以及将封装层设置于所述基板上，并覆盖所述发光芯片与所述挡光层。2.如权利要求1所述的增加发光角度的光电二极体装置的制造方法，其特征在于，所述发光芯片是水平芯片、垂直芯片或倒装芯片。3.如权利要求2所述的增加发光角度的光电二极体装置的制造方法，其特征在于，当所述发光芯片是水平芯片或垂直芯片时，在所述将发光芯片固定于基板上的步骤之后，还包括下列步骤：对所述发光芯片进行焊线操作。4.如权利要求1所述的增加发光角度的光电二极体装置的制造方法，其特征在于，所述挡光层是对应于所述发光芯片的正上方，并完全覆盖所述发光芯片的上表面，以阻挡所述发光芯片发出的正向光线。5.如权利要求1所述的增加发光角度的光电二极体装置的制造方法，其特征在于，所述挡光层的厚度范围是100μm
‑
300μm。6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨皓宇，陳彧，洪国展，陈锦庆，林紘洋，朱澄，袁瑞鴻，苏炤亘，翁念义，
申请(专利权)人：福建天电光电有限公司，
类型：发明
国别省市：