等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及防辐射领域，公开了一种等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，该屏蔽装置包括由防辐射材料制成的隔离组合块、底座和顶部盖板；所述底座固定在所述隔离组合块的底部，所述顶部盖板盖合于所述隔离组合块的顶部开口端，并通过伸缩杆连接所述底座和所述顶部盖板，其中，所述顶部盖板随所述伸缩杆的伸缩运动上行和下行，以用于打开或闭合所述隔离组合块的开口端，所述隔离组合块上设置有上盖凹槽，所述顶部盖板上设置有与所述上盖凹槽适配连接的活动插件。该屏蔽装置隔离辐射的效果好，且安装和拆卸方式简单。且安装和拆卸方式简单。且安装和拆卸方式简单。

【技术实现步骤摘要】
等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置


[0001]本专利技术涉及防辐射
，具体涉及一种等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置。

技术介绍

[0002]刻蚀是半导体加工、微电子制造、LED生产等领域中非常重要的一步工艺。常见的刻蚀手段主要有干法刻蚀和湿法刻蚀。与湿法刻蚀相比，干法刻蚀具有各向异性好、选择比高、工艺可控、重复性好、无化学废液污染等优点。干法刻蚀可分为光挥发刻蚀、气相刻蚀、等离子体刻蚀等。等离子体刻蚀是目前常见的一种干法刻蚀形式，当气体暴露于电子区域时，产生电离气体和具有高能电子的气体，从而形成等离子体，电离气体经过加速电场，将释放大量能量刻蚀表面。与其他刻蚀技术相比，等离子体刻蚀技术的设备结构简单、操作便利、性价比高。等离子刻蚀机在工作时，首先通过真空系统对反应腔室抽真空；然后，向反应腔室内注入反应气体；射频源通过铜柱耦合至上、下电极后，反应腔室内的气体被电离，形成等离子体；等离子体在电场作用下，向下电极运动，与加工件发生物理或化学反应，从而对加工件进行加工。
[0003]然而，现有技术中缺少一种等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，来保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其特征在于，所述等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置包括由防辐射材料制成的隔离组合块(1)、底座(2)和顶部盖板(9)；所述底座(2)固定在所述隔离组合块(1)的底部，所述顶部盖板(9)盖合于所述隔离组合块(1)的顶部开口端，并通过伸缩杆(8)连接所述底座(2)和所述顶部盖板(9)，其中，所述顶部盖板(9)随所述伸缩杆(8)的伸缩运动上行和下行，以用于打开或闭合所述隔离组合块(1)的开口端，所述隔离组合块(1)上设置有上盖凹槽(4)，所述顶部盖板(9)上设置有与所述上盖凹槽(4)适配连接的活动插件。2.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其特征在于，所述隔离组合块(1)、所述底座(2)和所述顶部盖板(9)的材质均为铅金属。3.根据权利要求1所述的等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其特征在于，所述隔离组合块(1)的第一侧面上设置有所述上盖凹槽(4)，所述第一侧面与其相邻的第二侧面构成一组合封闭门(5)，所述第一侧面与所述第二侧面的衔接处设置有用于封闭所述组合封闭门(5)的至少一个封闭装置。4.根据权利要求3所述的等离子体刻蚀机的下电极屏蔽装置，其特征在于，所述封闭装置包括与所述第一侧面连接的拉控口(15)、焊接在所述第二侧面上的深卡凹槽(13)，以...

【专利技术属性】
技术研发人员：林畅聪，
申请(专利权)人：绿展控股深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：