具有阻抗匹配网络的双室解冻设备及其操作方法技术

技术编号:30883807 阅读:17 留言:0更新日期:2021-11-22 20:22
一种热量增加系统可以包括设置在第一电极的相对侧上的第一空腔和第二空腔。所述第一空腔可以具有第一高度,所述第一高度约等于所述第二空腔的第二高度。所述第一电极可以设置在电容性耦合到所述第一电极的容纳结构内。所述容纳结构的上壁可以包括电容性耦合到所述第一电极的第二电极。所述容纳结构的底壁可以包括电容性耦合到所述第一电极的第三电极。所述第一电极可以从RF信号源接收所述RF信号,这可以导致所述第一空腔和所述第二空腔内的电场幅值增加,从而可以使设置在所述第一空腔和/或所述第二空腔内的装料的温度升高。和/或所述第二空腔内的装料的温度升高。和/或所述第二空腔内的装料的温度升高。

【技术实现步骤摘要】
具有阻抗匹配网络的双室解冻设备及其操作方法


[0001]本文描述的主题的实施例总体上涉及使用射频(RF)能量对装料解冻的设备和方法。

技术介绍

[0002]传统的电容式食品解冻(或化冻)系统包括包含在加热室内的大平面电极。在将食品装料放置在电极之间之后,低功率电磁能被提供给电极中的至少一个,以提供对食品装料的温和加热。当食品装料在解冻操作期间化冻时,食品装料的阻抗发生变化。因此,传递到食品装料的功率在解冻操作期间也发生变化。这种解冻系统的通电电极应该与解冻系统的外部接地的容纳结构隔开足够的距离,以减小电极和容纳结构之间的电弧风险并且确保系统足够的解冻效率。在传统的解冻系统中,在通电电极的一侧上的第一区域可接收食品装料,而在通电电极的相对侧上的第二区域与第一区域密封隔离。该第二密封区域被认为是“净空”,专用于储存该常规解冻系统的电路,并且增加了该解冻系统的总体尺寸。所需要的是用于对食品装料(或其它类型的装料)进行解冻的设备和方法,其更加紧凑,同时充分地改善了寄生电容并且以足够的效率运行。

技术实现思路

[0003]根据本专利技术的第一方面,提供一种热量增加系统,包括:容纳结构;设置在所述容纳结构内的第一电极,其中所述容纳结构和所述第一电极限定在所述第一电极的第一侧上的所述容纳结构中的第一空腔并且限定在所述第一电极的第二侧上的所述容纳结构中的第二空腔,并且所述第一空腔被配置成接收第一装料并且所述第二空腔被配置成接收第二装料;射频(RF)信号源,所述RF信号源被配置成向所述第一电极提供RF信号;以及传输路径,所述传输路径电耦合在所述RF信号源的输出和所述第一电极之间,其中所述RF信号具有沿着所述传输路径的正向信号功率。
[0004]根据一个或多个实施例,该热量增加系统另外包括:可变阻抗匹配网络,所述可变阻抗匹配网络沿着所述RF信号源和所述第一电极之间的所述传输路径电耦合;功率检测电路,所述功率检测电路被配置成检测沿着所述传输路径的反射信号功率;以及控制器,所述控制器被配置成修改所述可变阻抗匹配网络以减小所述反射信号功率与所述正向信号功率的比率。
[0005]根据一个或多个实施例,该热量增加系统另外包括:第二电极,所述第二电极电容性耦合到所述第一电极,其中所述第一空腔设置在所述第一电极和所述第二电极之间;以及第三电极,所述第三电极电容性耦合到所述第一电极,其中所述第二空腔设置在所述第一电极和所述第三电极之间。
[0006]根据一个或多个实施例,所述容纳结构包括顶壁和与所述顶壁相对的底壁,其中所述第二电极形成所述顶壁的至少一部分,并且其中所述第三电极形成所述底壁的至少一部分。
[0007]根据一个或多个实施例,该热量增加系统另外包括:第一电绝缘材料层,所述第一电绝缘材料层设置在所述第一电极上方并与所述第一电极直接接触;以及第二电绝缘材料层,所述第二电绝缘材料层设置在所述容纳结构的所述底壁上方并与所述容纳结构的所述底壁直接接触。
[0008]根据一个或多个实施例,当所述RF信号源将所述RF信号提供给所述第一电极时,所述第一电极和所述第二电极之间的第一电场的第一幅值增加,并且所述第一电极和所述第三电极之间的第二电场的第二幅值增加。
[0009]根据一个或多个实施例,所述第一电极和所述第二电极之间的第一距离在5厘米(cm)到30cm的范围内,并且所述第一电极和所述第三电极之间的第二距离在5cm到30cm的范围内。
[0010]根据一个或多个实施例,表示所述第一电极和所述第二电极之间的所述第一距离的第一值在表示所述第一电极和所述第三电极之间的所述第二距离的第二值的百分之一之内。
[0011]根据本专利技术的第二方面,提供一种热量增加系统,包括:射频(RF)信号源,所述RF信号源被配置成提供RF信号;第一电极,所述第一电极从所述RF信号源接收所述RF信号;容纳结构,所述容纳结构电容性耦合到所述第一电极,其中所述容纳结构和所述第一电极限定在所述第一电极的第一侧上的所述容纳结构中的第一空腔并且限定在所述第一电极的第二侧上的所述容纳结构中的第二空腔,其中所述第一空腔被配置成接收第一装料,并且其中所述第二空腔被配置成接收第二装料;传输路径,所述传输路径电耦合在所述RF信号源的输出和所述第一电极之间,其中所述RF信号具有沿着所述传输路径的正向信号功率;功率检测电路,所述功率检测电路被配置成检测沿着所述传输路径的反射信号功率;以及控制器,所述控制器被配置成减小所述反射信号功率与所述正向信号功率的比率。
[0012]根据一个或多个实施例,所述热量增加系统设置在器具内,所述器具被配置成在所述器具的正常操作期间维持所述第一空腔和所述第二空腔内的恒定温度,其中所述RF信号在所述器具的热量增加操作期间被提供给所述第一电极,并且其中所述第一电极设置在所述器具的搁板内。
[0013]根据一个或多个实施例,热量增加系统另外包括:第二电极,所述第二电极电容性耦合到所述第一电极,其中所述第一空腔设置在所述第一电极和所述第二电极之间;以及第三电极,所述第三电极电容性耦合到所述第一电极,其中所述第二空腔设置在所述第一电极和所述第三电极之间。
[0014]根据一个或多个实施例,所述容纳结构包括顶壁和与所述顶壁相对设置的底壁,其中所述第二电极形成所述顶壁的至少一部分,并且其中所述第三电极形成所述底壁的至少一部分。
[0015]根据一个或多个实施例,另外包括:第一电绝缘阻挡层,所述第一电绝缘阻挡层设置在所述第一电极上方并与所述第一电极直接接触;以及第二电绝缘阻挡层,所述第二电绝缘阻挡层设置在所述容纳结构的所述底壁上方并与所述容纳结构的所述底壁直接接触。
[0016]根据一个或多个实施例,所述第二电极和所述第三电极是经由一个接地参考端电接地的。
[0017]根据本专利技术的第三方面,提供一种热量增加系统,包括:容纳结构,所述容纳结构
包括多个壁;设置在所述容纳结构中对所述容纳结构进行划分的第一电极,其中所述第一电极和所述容纳结构的所述多个壁限定第一空腔和第二空腔,所述第一空腔被配置成接收第一装料,所述第二空腔被配置成接收第二装料,其中所述第一空腔和所述第二空腔被所述第一电极隔开;以及射频(RF)信号源,所述射频信号源经由传输路径耦合到所述第一电极,所述射频信号源被配置成经由所述传输路径向所述第一电极提供RF信号。
[0018]根据一个或多个实施例,热量增加系统另外包括:功率检测电路,所述功率检测电路被配置成检测沿着所述传输路径的反射信号功率;沿着所述传输路径耦合的可变阻抗匹配网络;以及控制器,所述控制器被配置成当所述RF信号源将所述RF信号提供给所述第一电极时,通过修改所述可变阻抗匹配网络的状态来降低所述反射信号功率。
[0019]根据一个或多个实施例,所述多个壁包括:顶壁,所述顶壁包括电容性耦合到所述第一电极的第二电极;以及底壁,所述底壁包括电容性耦合到所述第一电极的第三电极。
[0020]根据一个或多个实施例,当向所述第一电极提供所述RF信号时,所述第一电极和所本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种热量增加系统,其特征在于,包括:容纳结构;设置在所述容纳结构内的第一电极,其中所述容纳结构和所述第一电极限定在所述第一电极的第一侧上的所述容纳结构中的第一空腔并且限定在所述第一电极的第二侧上的所述容纳结构中的第二空腔,并且所述第一空腔被配置成接收第一装料并且所述第二空腔被配置成接收第二装料;射频(RF)信号源,所述RF信号源被配置成向所述第一电极提供RF信号;以及传输路径,所述传输路径电耦合在所述RF信号源的输出和所述第一电极之间,其中所述RF信号具有沿着所述传输路径的正向信号功率。2.根据权利要求1所述的热量增加系统,其特征在于,另外包括:可变阻抗匹配网络,所述可变阻抗匹配网络沿着所述RF信号源和所述第一电极之间的所述传输路径电耦合;功率检测电路,所述功率检测电路被配置成检测沿着所述传输路径的反射信号功率;以及控制器,所述控制器被配置成修改所述可变阻抗匹配网络以减小所述反射信号功率与所述正向信号功率的比率。3.根据权利要求1所述的热量增加系统,其特征在于,另外包括:第二电极,所述第二电极电容性耦合到所述第一电极,其中所述第一空腔设置在所述第一电极和所述第二电极之间;以及第三电极,所述第三电极电容性耦合到所述第一电极,其中所述第二空腔设置在所述第一电极和所述第三电极之间。4.根据权利要求3所述的热量增加系统,其特征在于,所述第一电极和所述第二电极之间的第一距离在5厘米(cm)到30cm的范围内,并且所述第一电极和所述第三电极之间的第二距离在5cm到30cm的范围内。5.一种热量增加系统,其特征在于,包括:射频(RF)信号源,所述RF信号源被配置成提供RF信号;第一电极,所述第一电极从所述RF信号源接收所述RF信号;容纳结构,所述容纳结构电容性耦合到所述第一电极,其中所述容纳结构和所述第一电极限定在所述第一电极的第一侧上的所述容纳结构中的第一空腔并且限定在所述第一电极的第二侧上的所述容纳结构中的第二空腔,其中所述第一空腔被配置成接收第一装料,并且其中所述第二空腔被配置成接收第二装料;传输路径,所述传输路径电耦合在所述RF信号源的输出和所述第一电极...

【专利技术属性】
技术研发人员:华奇刘同贺王昶阳
申请(专利权)人:恩智浦美国有限公司
类型:发明
国别省市:

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