【技术实现步骤摘要】
LED器件
[0001]本技术涉及LED
，尤其涉及一种LED器件。
技术介绍
[0002]LED具有高光电转换效率、使用寿命长、高亮度、低热量、环保、坚固耐用等优点，因此已被广泛应用于照明和显示。随着5G时代的到来，市场对超高清4K、8K的大尺寸显示应用有迫切的需求，COB(Chip On Board，板上集成缓存)、Mini LED(次毫米发光二极管)和Micro LED微小间距显示发展已是必然趋势。然而，在追求更高密度的像素颗粒封装以及更小尺寸的LED晶体颗粒封装来保证光通量的同时会导致严重的热量积聚，极大的降低了产品的使用寿命，增加了维护成本。
技术实现思路
[0003]本技术实施例的目的在于：提供一种LED器件，其具有较高了散热性能。
[0004]为达上述目的，本技术采用以下技术方案：
[0005]提供一种LED器件，包括基板和芯片，所述基板上设置有安装面，所述芯片固定在所述安装面上，至少在所述芯片和所述安装面之间设置有磁导热层。
[0006]作为LED器件的一种优选方案，所述安装面设置有焊盘，所述磁导热层设置在所述焊盘远离所述安装面的一侧，所述磁导热层上对应所述芯片与所述焊盘焊接的位置设置有避让孔。
[0007]作为LED器件的一种优选方案，所述避让孔内设置有固定所述芯片的锡膏层，所述锡膏层的高度大于所述磁导热层的厚度，所述锡膏层将所述芯片和所述磁导热层间隔。
[0008]作为LED器件的一种优选方案，所述焊盘的外周侧面设置有所述磁导热层。>[0009]作为LED器件的一种优选方案，位于所述焊盘的外周的所述安装面上设置有所述磁导热层。
[0010]作为LED器件的一种优选方案，所述安装面设置有凹槽，所述芯片固定在所述凹槽的槽底。
[0011]作为LED器件的一种优选方案，所述凹槽的槽底设置有所述磁导热层，和/或所述凹槽的槽壁设置有所述磁导热层。
[0012]作为LED器件的一种优选方案，所述凹槽的槽壁和所述芯片间隔。
[0013]作为LED器件的一种优选方案，还包括封装层，所述封装层将所述芯片封装在所述基板上。
[0014]作为LED器件的一种优选方案，所述磁导热层为具有磁热效应的稀土合金纳米层。
[0015]本技术的有益效果为：由于变化的电场会产生磁场，芯片在通电和断电后的一段时间内会产生磁场，磁场可以将磁导热层磁化，在磁热效应下，芯片的热量传递到磁导热层，由磁导热层向外界放出热量，通过设置磁导热层，可以加快芯片热量的转移，降低芯片的温度，提高了产品的使用寿命。
附图说明
[0016]下面根据附图和实施例对本技术作进一步详细说明。
[0017]图1为本技术实施例所述LED器件示意图。
[0018]图2为另一实施例所述LED器件示意图。
[0019]图中：
[0020]1、基板；101、焊盘；102、凹槽；2、磁导热层；3、芯片；301、电极；4、锡膏层；5、封装层；6、导线。
具体实施方式
[0021]为使本技术解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面将结合附图对本技术实施例的技术方案作进一步的详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0022]如图1所示，本技术提供的一种LED器件，包括基板1和芯片3，基板1上设置有安装面，芯片3固定在安装面上，至少在芯片3和安装面之间设置有磁导热层2。芯片3通电时会产生大量热量，造成热量聚集，磁导热层2内的磁性材料在磁场中可以被磁化，由于变化的电场会产生磁场，芯片3在通电和断电后的一段时间内会产生磁场，磁场可以将磁导热层2磁化，在磁热效应下，芯片3的热量传递到磁导热层2，由磁导热层2向外界放出热量，通过设置磁导热层2，可以加快芯片3热量的转移，降低芯片3的温度，提高了产品的使用寿命。
[0023]磁热效应是所有磁性材料固有的，是由磁场中的次晶格的磁耦合改变固体的磁熵所引起的效应。磁热效应是一种变化磁场下磁性材料磁矩有序度发生变化而导致的热现象。在磁性材料被磁化时，磁矩有序度增加，磁熵减小，温度上升，磁性材料向外界放出热量；退磁时，磁性材料磁矩有序度减少，磁熵增加，温度下降，磁性材料自外界吸收热量。在本实施例中，磁性材料是由原子或具有磁矩的磁性离子组成的结晶体，它有一定的热运动或振动。当无外加磁场时，由于磁性原子或离子的热运动，其磁矩又趋于无序，磁性材料内磁矩的取向是无规则的，此时其相应的熵较大，磁性材料向外界吸热，当磁性材料被磁化时，磁矩沿磁化方向择优取向，该过程导致磁性材料熵的下降，有序度增加，磁性材料向外界放热。
[0024]具体地，磁导热层2为具有磁热效应的稀土合金纳米层，稀土合金纳米层通过磁控溅射的方式附着在安装面上。
[0025]磁控溅射是物理气相沉积的一种，一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。磁控溅射的工作原理是指电子在电场的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出氩正离子和新的电子；新电子飞向基片，氩离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E(电场)
×
B(磁场)所指的方向漂移，简称E
×
B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线
形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。
[0026]具体地，安装面设置有焊盘101，磁导热层2设置在焊盘101远离安装面的一侧，磁导热层2上对应芯片3和焊盘101焊接的位置设置有避让孔。通过设置避让孔，可以为芯片3和焊盘101提供焊接所需的焊接位置，保证了芯片3和焊盘101的连接，使芯片3可以正常通电工作。
[0027]具体地，芯片3和焊盘101通过锡膏层4焊接固定，锡膏层4设置在避让孔内，锡膏层4的高度大于磁导热层2的厚度，锡膏层4将芯片3和磁导热层2间隔。锡膏本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种LED器件，其特征在于，包括基板和芯片，所述基板上设置有安装面，所述芯片固定在所述安装面上，至少在所述芯片和所述安装面之间设置有磁导热层。2.根据权利要求1所述的LED器件，其特征在于，所述安装面设置有焊盘，所述磁导热层设置在所述焊盘远离所述安装面的一侧，所述磁导热层上对应所述芯片与所述焊盘焊接的位置设置有避让孔。3.根据权利要求2所述的LED器件，其特征在于，所述避让孔内设置有固定所述芯片的锡膏层，所述锡膏层的高度大于所述磁导热层的厚度，所述锡膏层将所述芯片和所述磁导热层间隔。4.根据权利要求2所述的LED器件，其特征在于，所述焊盘的外周侧面设置有所述磁导热层。5.根据权利要求2所述的LED器件...
【专利技术属性】
技术研发人员：文波，林远彬，秦快，郭恒，张雪，沈松平，王广军，
申请(专利权)人：佛山市国星光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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