全金属量子点单电子存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种全金属量子点单电子存储器，它由两个相邻放置的无栅极单电子三极管（ＳＥＴ）组成，一个ＳＥＴ负责电学“写”，一个ＳＥＴ负责电学“读”，其中每个ＳＥＴ由电极、纳米量子点、电极组成的两个串联隧道结构成，两个ＳＥＴ的纳米量子点相隔纳米量级。本发明专利技术主要适用于集成电路、计算机等领域，以其为基本电路单元，可制作超大容量、超高速、低功耗存储器。与现有技术相比本发明专利技术可在绝缘基片上采用全金属材料制作出来，避免了对超高质量单晶硅的需求，可工作于直至绝对零度。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种全金属量子点单电子存储器，适用于工业、国防、宇航、民用、科学研究等领域，尤其适用于集成电路芯片、计算机CPU、计算机内存、信息存储、通讯、数据采集记录和处理、图象语音信息处理、科学仪器、机载和舰载电子仪器仪表、卫星和导弹控制、工业和民用电子仪器仪表。电子器件经历了从电子管到晶体管，从分立器件到集成电路的发展。为了满足迅速发展的信息和计算机技术的需要，集成电路线宽不断减小，集成度不断提高。高密度、高速度、低功耗是集成电路技术追求的几个主要指标。目前工业化大规模生产的集成电路线宽已减小至0.3微米，而实验室已可制造出10纳米以内的线宽。减小线宽可以成比例地提高集成电路的密集度，但当器件某一维或多维尺寸减小到纳米量级，以至特征尺寸小于由外界温度所决定的非弹性散射自由程时，量子效应将十分明显，导致传统宏观概念失效，基于传统宏观概念的三极管、二极管等也将不能正常工作，因此需要根据量子力学原理设计新的量子器件。从70年代中期到90年代，量子器件经历了从二维量子阱器件到一维量子线和零维量子点器件的发展，目前成熟的二维量子阱器件已有很多，如谐振隧穿二级管、三级管、超晶格器件等本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全金属量子点单电子存储器，它由电极（１）、（４）、（６）、（８）、纳米量子点（５）、（７）、导线（２）、（３）、（９）、（１０）构成，其特征是电极（１）、电极（４）与纳米量子点（５）分别相隔纳米量级，构成一个无栅极ＳＥＴ，电极（６）、电极（８）与纳米量子点（７）分别相隔纳米量级，构成另外一个无栅极ＳＥＴ，这两个ＳＥＴ相邻放置，使得纳米量子点（５）与纳米量子点（７）相隔纳米量级。

【技术特征摘要】
1.一种全金属量子点单电子存储器，它由电极(1)、(4)、(6)、(8)、纳米量子点(5)、(7)、导线(2)、(3)、(9)、(10)构成，其特征是电极(1)、电极(4)与纳米量子点(5)分别相隔纳米量级，构成一个无栅极SET，电极(6)、电极(8)与纳米量子点(7)分别相隔纳米量...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志扬，刘武，沈嵘，
申请(专利权)人：华中师范大学，
类型：发明
国别省市：42[中国|湖北]