【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种内容可寻址存储单元(以下称作“CAM单元”)，特别涉及一种能够存储三种信息状态的三元(ternary)内容可寻址存储单元(以下称作“TCAM单元”)。
技术介绍
CAM是按其本身的内容寻址的存储器。在RAM或ROM中，地址用来表示存储单元阵列的特定位置，并且输出存储在寻址位置中的数据，与之不同，CAM是从外部向其提供数据，并且在CAM的内容之内进行搜索，以与提供数据进行匹配，并且根据比较结果输出一个地址。CAM的每个单元均包括比较逻辑。输入到CAM的数据值同时与存储在所有单元中的数据进行比较。匹配结果是地址。CAM通常用于需要快速搜索模式、列表、图像数据等的应用中。CAM单元可以分为两态CAM单元和TCAM单元。典型的两态CAM单元用RAM单元构成以存储两种信息状态即逻辑“1”状态和逻辑“0”状态中之一。两态CAM单元包括比较电路，将从外部提供的数据(以下称作‘比较数据’)与存储在RAM单元中的数据进行比较，并且当比较数据与存储数据相匹配时，将相应匹配线驱动到预定状态。两态CAM单元的例子公开于标题为“CONTENT ADDRESSABLE ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种三元内容可寻址存储器(TCAM)，具有在多行和多列上排列的单元阵列，其中每个单元均包括主存储单元，用于存储数据位及其补码，以及一对位线，用于输送数据位及其补码；比较电路，具有一对比较线和一个输出节点，比较电路连接到主存储单元，用于将数据位及其补码与相应比较线进行比较，并且在输出节点输出比较信号；匹配电路，连接到比较电路的输出节点、匹配输入线和匹配输出线，匹配电路用于根据比较信号选择性地将匹配输入线连接到匹配输出线；屏蔽存储单元，用于存储和输出屏蔽数据；以及屏蔽电路，连接到匹配电路、匹配输入线和匹配输出线，用于根据屏蔽数据，屏蔽比较信号，或者选择性将匹配输入线连接到匹配输出线。2.如权利要求1所述的TCAM，其中，比较电路包括一对PMOS晶体管。3.如权利要求2所述的TCAM，其中，PMOS晶体管对相应连接到比较线对，并且共同连接在比较电路的输出节点。4.如权利要求2所述的TCAM，其中，匹配电路和屏蔽电路均包括一个NMOS晶体管。5.如权利要求4所述的TCAM，其中，匹配电路和屏蔽电路的NMOS晶体管共同连接在匹配输入线和匹配输出线。6.如权利要求1所述的TCAM，其中，当比较信号表示匹配时，匹配输入线连接到匹配输出线。7.如权利要求1所述的TCAM，其中，当屏蔽数据表示屏蔽状态时，匹配输入线连接到匹配输出线。8.如权利要求1所述的TCAM，其中，沿着同一行，匹配输入线与前一单元的匹配输出线级联，或者匹配输出线与后一单元的匹配输入线级联。9.如权利要求8所述的TCAM，还包括放电电路，连接到地和同一行的第一单元的匹配输入线；以及预充电电路，连接到预设电压和同一行的最后单元的匹配输出线，其中，当同一行的所有单元输出匹配时，同一行的所有匹配输入和输出线放电至大致地电压。10.如权利要求1所述的TCAM，其中，比较电路包括一对PMOS晶体管和一对NMOS晶体管，其中每个PMOS晶体管共同连接到相应NMOS晶体管和相应比较线11.如权利要求10所述的TCAM，其中，匹配电路和屏蔽电路均包括一个NMOS晶体管。12.如权利要求1所述的TCAM，其中，匹配电路和屏蔽电路均包括一个PMOS晶体管。13.如权利要求12所述的TCAM，其中，比较电路包括一对NMOS晶体管。14.如权利要求12所述的TCAM，其中，PMOS晶体管共同连接在匹配输入线和匹配输出线。15.如权利要求12所述的TCAM，还包括预充电电路，连接到预设电压和同一行的第一单元的匹配输入线；以及放电电路，连接到地和同一...
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