【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体非易失性数据存储系统结构领域和其操作方法，且具体而言涉及程序检验方法。许多结构都适用于非易失性存储器。一个设计的或非阵列具有在相邻位(列)线之间相连接的存储单元和连接到字(行)线的控制闸。所述个别单元含有一个浮闸晶体管，其带有或不带有与之串联形成的选择晶体管；或由一单一选择晶体管所隔开的两个浮闸晶体管。所述阵列及其在存储系统中的用途的实例将在随后的美国专利和SanDisk公司的待决申请案中给出第5,095,344号、第5,172,338号、第5,602,987号、第5,663,901号、第5,430,859号、第5,657,332号、第5,712,180号、第5,890,192号、第6,103,573号、第6,151,248号和第6,426,893号专利案以及于2000年9月22日申请的第09/667,344号专利案，上述专利案的全文均以引用方式并入本文中。
技术介绍
一个设计的与非阵列具有在位线与通过任一端处的选择晶体管的参考电势之间以串联串而连接的许多存储单元，如8、16或甚至32。字线经由多个所述不同的串联串而连接到单元相应的控制闸。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种操作一具有复数个多状态存储元件的非易失存储器的方法，所述方法包含将一第一编程脉冲施加到所述存储元件中所选择的若干存储元件；检验所述多状态水平的一第一子集的所述所选择存储元件上所述第一编程脉冲的结果；基于所述检验结果形成所述多状态水平的一第二子集，其包含判定是否将未包括于所述第一子集中的所述多状态水平中的一个包括于所述第二子集中；在所述检验之后，将一第二编程脉冲施加到一或多个所述所选择存储元件；和检验所述多状态水平的所述第二子集的所述一或多个所选择存储元件上的所述第二编程脉冲的结果。2.根据权利要求1所述的方法，其中施加其它编程脉冲的过程终止于所述所选择存储元件中以所述第一编程脉冲的所述结果检验中的一各自目标值而进行检验的那些所选择存储单元。3.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述检验而形成所述多状态水平的一第二子集进一步包含判定是否将包括于所述第一子集中的所述多状态水平中的一个排除于所述第二子集之外。4.一种在复数个多状态数据存储元件上执行一编程操作的方法，所述方法包含执行一编程操作以将所述存储元件从一第一数据状态递增地移动依序经过复数个第二数据状态；检验来自一目标值集合的一或多个目标值的一子集的所述前一个编程操作的结果，其中每个目标值对应于一各自的第二数据状态；随后，基于前一个检验结果重新建立用于一随后检验操作的一或多个所述目标值的所述子集，其包含判定是否包括一未处于前一次检验的子集中的目标值；和随后重复执行一编程操作，且使用所述重新建立的目标值子集进行检验。5.根据权利要求4所述的方法，其进一步包含结束对所述复数个存储元件中于所述前一个编程操作的所述检验结果中的其各自目标值处进行检验的那些存储元件的进一步编程。6.根据权利要求4所述的方法，其中所述检验结果包含依序地将前一次编程操作的结果与所述目标值的所述子集进行比较。7.根据权利要求4所述的方法，其中所述随后重新建立的目标值子集与所述目标值的前一个子集相同。8.根据权利要求4所述的方法，其中随后重新建立的所述目标值子集进一步包含判定是否从所述前一次检验中删除一目标值。9.根据权利要求4所述的方法，其中所述执行一编程操作的过程包含以一编程电压对所述存储元件产生脉冲作用。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述存储元件为EEPROM存储器单元，且所述检验包含将一指示所述存储器单元的所述阈值的参数与目标值的所述子集进行比较，其中所述目标值为所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：杰弗里·S·冈沃尔，丹尼尔·C·古特曼，尤平·卡温·方，
申请(专利权)人：桑迪士克股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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