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一种操作一具有复数个多状态存储元件的非易失存储器的方法，所述方法包含：　　　　将一第一编程脉冲施加到所述存储元件中所选择的若干存储元件；　　　　检验所述多状态水平的一第一子集的所述所选择存储元件上所述第一编程脉冲的结果；　　　　基于所述检验...
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