用于改变字线有效工作周期的方法和装置制造方法及图纸

提供一种半导体存储器，其至少可以以测试模式运行。这种半导体存储器包括存储器阵列，该存储器阵列包括可以通过多个各自的字线和多个各自的位线访问的多个存储单元。行解码驱动器可用来在根据第一信号确定的第一时间点激活多个字线中的一个字线并在根据第二信号确定的第二时间点对该字线去激活。该半导体存储器还包括预充电电路，其可用来在第三时间点对位线预充电，一发生该第二时间点就发生该第三时间点。可变长度延迟电路可在延迟定时输出根据第一信号延迟的且在第一信号后发生的第二信号，该延迟定时具有可控的可变长度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体集成电路及其测试。
技术介绍
半导体集成电路、这里也称为“芯片”的产品测试不仅需要不能被可靠地确认并处理的装置而且需要在边缘运行的装置，即其操作接近故障的装置。通常为了避免边缘装置以后发生故障(那时可能需要更昂贵的修理)，将边缘装置离线取走并由测试为好的装置替换。或者，假如芯片被适当标记并向将边缘芯片结合到其它设备中的下游用户确认该装置的边缘性，可以允许边缘装置保持一部分操作配置。换句话说，在某些受限的条件下，如在较少频率使用、较短的持续时间、每天较短的导通时间或在更好的受控温度下，一些芯片令人满意地运行，如果标记为边缘的且被限定于这样使用时，可能在这些条件之外出故障的装置也是可用的。半导体存储器包括受运行特征中的变化(如由于装置处理中不可避免的非统一性)影响的特定装置。这对于动态随机存取存储器(“DRAM”)特别确切，因为DRAM的设计倾向于有助于电路密度和成本的最优化。这种变化可能导致DRAM的成百万(甚至上亿)的存储单元在产品测试时失败或在该时间处于边缘运行。不幸的是，对与芯片结合的下游设备，在边缘运行的存储单元将会比初始测试期间肯定失败的那些存储单元造本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改变半导体存储器字线的有效工作周期长度的方法，包括：　　　　－将可变自动预充电定时设定为第一值；　　　　－在第一时间点激活所述字线；以及　　　　－在至少部分由第一值确定的第二时间点对所述字线预充电，由第一时间点和第二时间点之间的时间长度定义所述字线有效工作周期长度。

【技术特征摘要】
US 2005-2-2 11/0488361.一种改变半导体存储器字线的有效工作周期长度的方法，包括-将可变自动预充电定时设定为第一值；-在第一时间点激活所述字线；以及-在至少部分由第一值确定的第二时间点对所述字线预充电，由第一时间点和第二时间点之间的时间长度定义所述字线有效工作周期长度。2.根据权利要求1所述的方法，其中第二时间点完全由第一值确定。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述字线有效工作周期长度等于第一值。4.根据权利要求1所述的方法，其中通过将信息输入到所述半导体存储器的测试模式接口来设定所述可变自动预充电定时。5.根据权利要求4所述的方法，其中通过所述半导体存储器的测试模式操作输入所述信息。6.一种测试具有测试模式接口的半导体存储器内的存储单元的方法，包括-激活所述半导体存储器的测试模式接口；-通过所述测试模式接口输入信息，以便将在字线的激活间隔的开始与预充电间隔的开始之间测量的可变自动预充电定时设定为第一值；-将连接到所述存储单元的位线转换到第一逻辑电平；-将外部预充电信号提供给所述半导体存储器；-激活所述字线以便根据第一逻辑电平写所述存储单元，其中所述字线的有效工作周期的终点至少部分由所述外部预充电信号确定；-提供信号以便选择所述自动预充电定时；-将所述位线转换到第二逻辑电平；-激活所述字线以便根据第二逻辑电平写所述存储单元，其中所述字线激活间隔的长度由第一值确定；以及-读取所述存储单元的内容，以便确定所述存储单元是否成功地保持第二逻辑电平。7.根据权利要求6所述的方法，其中在根据第二逻辑电平写所述存储单元之后经过预定时间间隔后执行读取步骤。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述预定时间间隔包括在刷新所述存储单元之前用于保持所述存储单元中存储的内容的最小保持时间间隔。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述半导体存储器包括动态随机存取存储器并且所述存储单元包括电容性存储元件。10.一种至少以测试模式运行的半导体存储器，包括-存储器阵列，包括可通过多个各自的字线以及多个各自的位线可访问的多个存储单元；...

【专利技术属性】
技术研发人员：K尼尔勒，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]