有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备制造技术

本发明专利技术公开了一种相变随机存取存储器（ＰＲＡＭ）设备，其包括多个行和列的ＰＲＡＭ存储器单元以及至少一个电耦合到一列ＰＲＡＭ存储器单元的局部位线。第一和第二位线选择电路被提供来提高可以使用位线信号来存取和驱动至少一条局部位线的速率。这些第一和第二位线选择电路被配置成在从该列中的所选一个ＰＲＡＭ存储器单元读取数据的操作期间将至少一条局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路存储器设备，更具体地，涉及非易失性存储器设备。
技术介绍
一类非易失性存储器设备包括相变随机存取存储器(PRAM)设备，其相对于FLASH、SRAM和DRAM存储器设备，提供了很多有利的电特性。PRAM设备支持非易失性数据存储、随机存取寻址和相对高速的读取和写入操作。PRAM设备也可以被配置成具有相对低的功耗需求。通过使用具有可编程的电阻率特性的硫属化物合金(例如，GSTGe2Sb2Te5)来配置每个存储器单元，可以提供PRAM设备的非易失性特性。例如，在写入/编程操作期间，在存储器单元内的硫属化物合金可以经受耐热处理，从而改变硫属化物合金的电阻率，并使存储器单元被“设置”成一逻辑状态或被“重置”成另一逻辑状态。图1图解了传统二极管类型的PRAM单元10，其被电耦合到各条位线和字线(BL和WL)。在该PRAM单元10中，硫属化物合金(例如，GST合金)可以被编程成具有相对高的电阻状态(高-R状态)或相对低的电阻状态(低-R状态)。通过将位线BL偏置在相对于字线较高的电压，从而建立通过PRAM单元10的正向电流路径，可以在读取操作期间检测该状态。在整正向电流路本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变随机存取存储器（ＰＲＡＭ）设备，包括：其中具有多个行和列的ＰＲＡＭ存储器单元的ＰＲＡＭ存储器阵列；电耦合到所述ＰＲＡＭ存储器阵列中的一列ＰＲＡＭ存储器单元的局部位线；和第一和第二位线选择电路，其被配置成在从该 列中的所选一个ＰＲＡＭ存储器单元读取数据的操作期间，将所述局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。

【技术特征摘要】
KR 2005-3-24 24541/05;US 2006-2-6 11/348,4321.一种相变随机存取存储器(PRAM)设备，包括其中具有多个行和列的PRAM存储器单元的PRAM存储器阵列；电耦合到所述PRAM存储器阵列中的一列PRAM存储器单元的局部位线；和第一和第二位线选择电路，其被配置成在从该列中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间，将所述局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。2.如权利要求1所述的PRAM设备，其中，所述第一和第二位线选择电路还被配置成在将数据写入该列中的所选一个PRAM存储器单元的操作期间，将所述局部位线的第一和第二末端电连接到总位线。3.如权利要求1所述的PRAM设备，其中，所述第一和第二位线选择电路响应于等效的列选择信号。4.如权利要求1所述的PRAM设备，其中，从由二极管控制的PRAM存储器单元和晶体管控制的PRAM存储器单元组成的组中选择PRAM存储器单元。5.一种相变随机存取存储器(PRAM)设备，包括其中具有多个行和列的PRAM存储器单元的PRAM存储器阵列；电耦合到所述PRAM存储器阵列中的一行PRAM存储器单元的局部字线；和第一和第二字线驱动器电路，其分别电连接到所述局部字线上的第一和第二分隔节点，所述第一和第二字线驱动器电路被配置成在从该行中的所选一个PRAM存储器单元读取数据的操作期间，以相同的电压电平驱动所述第一和第二分隔节点。6.如权利要求5所述的PRAM设备，其中，所述第一和第二字线驱动器电路被电连接到总字线。7.如权利要求5所述的PRAM设备，其中，所述第一和第二分隔节点被置于局部字线的相对末端。8.如权利要求5所述的PRAM设备，其中，该PRAM存储器单元是二极管控制的PRAM存储器单元。9.如权利要求5所述的PRAM设备，其中，所述局部字线跨越多个PRAM存储器阵列，并且其中第一和第二分隔节点被置于局部字线上的中点。10.一种相变随机存取存储器(PRAM)设备，包括其中具有多个行和列的二极管控制的PRAM存储器单元的PRAM存储器阵列；电耦合到所述PRAM存储器阵列中...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵栢衡，金杜应，郭忠根，赵佑荣，吴泂录，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]