【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
技术介绍
本专利技术涉及用于感测温度的温度传感电路。准确地说，温度传感电路利用独立可调比较器来确定温度。在存储装置中，密度在稳定增加而芯片面积在减小。另外，工作频率在持续不断地增加。结果，引入存储系统的半导体材料的能量密度在增加。在这些存储系统工作期间会产生相当大的功率损耗。这导致了半导体芯片内的温度增加。一般地，半导体芯片的行为受温度增加的影响。例如，在比如动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)这样的动态存储系统中，为了保持代表所存储的数据的电荷，存储器必须被周期性地刷新。存储器必须被刷新的频率随温度而变化。因此，半导体芯片内的温度必须被感测以便选择适当的刷新率。对于其中为了增加电池寿命而强调减少电流消耗的低功率或可移动或DRAM应用来说，利用各种技术试图将刷新操作减至最少，因为刷新操作消耗有效电流。一种这样的技术将确保刷新率不会比将数据保留在存储器中所需的刷新更频繁地发生。因此，有许多应用是感测存储器芯片中的温度变化以使对刷新率的调整可随温度变化进行。例如，装置的温度越低，保留数据所需的刷新率就越低。当刷新率被降低时，额外的功率节省...
【技术保护点】
一种包括温度传感电路的随机存取存储装置，所述温度传感电路包含：传感装置，被配置成可保持随所述传感装置处的温度变化而变化的感测电压；第一比较器，被配置成可接收来自所述传感装置的所述感测电压，所述第一比较器生成第一输出信号； 第二比较器，被配置成可接收来自所述传感装置的所述感测电压，所述第二比较器生成第二输出信号；逻辑电路，被配置成可接收所述第一和第二输出信号；第一温度基准电路，具有多个第一基准电压；第二温度基准电路，具有多个第二基准 电压；第一开关电路，耦合于所述第一温度基准电路和所述...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2003-9-25 10/672,2461.一种包括温度传感电路的随机存取存储装置，所述温度传感电路包含传感装置，被配置成可保持随所述传感装置处的温度变化而变化的感测电压；第一比较器，被配置成可接收来自所述传感装置的所述感测电压，所述第一比较器生成第一输出信号；第二比较器，被配置成可接收来自所述传感装置的所述感测电压，所述第二比较器生成第二输出信号；逻辑电路，被配置成可接收所述第一和第二输出信号；第一温度基准电路，具有多个第一基准电压；第二温度基准电路，具有多个第二基准电压；第一开关电路，耦合于所述第一温度基准电路和所述第一比较器之间，所述第一开关电路由所述逻辑电路控制以使第一基准电压被施加于所述第一比较器；第二开关电路，耦合于所述第二温度基准电路和所述第二比较器之间，所述第二开关电路由所述逻辑电路控制以使第二基准电压被施加于所述第二比较器；第一调整器，耦合至所述第一温度基准电路，所述第一调整器是可调的以此调整所述第一基准电压；以及第二调整器，耦合至所述第二温度基准电路，所述第二调整器是可调的以此调整所述第二基准电压。2.如权利要求1所述的随机存取存储装置，其中所述第一调整器是可调的以此校正所述第一比较器中的输入失调电压，并且所述第二调整器是可调的以此校正所述第一比较器中的输入失调电压。3.如权利要求1所述的随机存取存储装置，其中所述第一调整器是电阻器，调整器其是可调的以此校正所述第一比较器中的输入失调电压，以及所述第二调整器是电阻器，调整器其是可调的以此校正所述第二比较器中的输入失调电压。4.如权利要求1所述的随机存取存储装置，其中所述第一和第二调整器是具有可调电阻的电位器。5.如权利要求1所述的随机存取存储装置，其中所述第一和第二调整器是多个为了提供可调电阻因而可被添加到所述调整器或可从所述调整器中移去的电阻器。6.一种温度传感电路，包含第一和第二比较器，各自被配置成可接收表示感测温度的感测电压；第一温度基准电路，具有多个耦合至所述第一比较器的第一基准电压以使所述多个第一基准电压轮流与所述感测电压比较；第二温度基准电路，具有多个耦合至所述第二比较器的第二基准电压以使所述多个第二基准电压轮流与所述感测电压比较；第一调整器，耦合至所述第一温度基准电路；以及第二调整器，耦合至所述第二温度基准电路，所述第一和第二调整器是独立可调的以此调整所述多个第一和第二基准电压。7.如权利要求6所述的温度传感电路，其中所述第一调整器是可调的以此校正所述第一比较器的输入失调电压，以及所述第二调整器是可调的以此校正所述第一比较器的输入失调电压。8.如权利要求6所述的温度传感电路，其中所述第一和第二调整器是电阻器，所述第一调整器是可调的以此校正所述第一比较器的输入失调电压，并...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。