一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺制造技术

本申请提供一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺，先将金属基材和绝缘基材贴合，然后在金属基材上制作出预设金属基材图案，再在绝缘基材上开设用于装载LED芯片的开孔，接着在开孔中排列LED芯片，并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距，再使用荧光胶膜将LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装，使得LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露，最后切割成单个CSP灯珠封装结构，本申请在LED芯片电极侧间隔设置金属层，通过金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，且本申请没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。适用于多次回流焊的复杂工艺。适用于多次回流焊的复杂工艺。

【技术实现步骤摘要】
一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺


[0001]本申请属LED封装
，具体涉及一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺。

技术介绍

[0002]CSP(Chip Scale Package)LED以其可靠性高、体积小而备受关注及青睐。常见的CSP结构一般有两种结构，如图1所示的结构一：包括LED芯片1、荧光胶4；如图2所示的结构二：包括支架5、固晶焊料、LED芯片1和荧光胶4。
[0003]图1结构一的CSP比较明显的缺点是焊盘较小，CSP的有效焊接面积较小、附着力较小，后端产品的可靠性及生产良率较低。图2结构二的CSP的有效焊接面积较大，但其使用固晶焊料将LED芯片1的电极和支架5进行电连，比较明显的缺点是后段的工艺温度不能接近或超过固晶焊料的温度，否则会产生固晶焊料二次熔融的问题。因此，亟需对现有CSP结构进行进一步改进。

技术实现思路

[0004]本申请为了解决上述技术问题，提供了一种CSP灯珠封装结构及其制作工艺。
[0005]本申请采用如下方案，一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，包括以下步骤：
[0006]S1、提供金属基材和绝缘基材，并将两者贴合；
[0007]S2、在金属基材上制作出预设金属图案，在绝缘基材上开孔；
[0008]S3、在开孔中排列LED芯片，并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距；
[0009]S4、将荧光胶在绝缘基材侧对LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装，荧光胶对LED芯片与金属基材之间的间距进行填充，并使LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露；
[0010]S5、切割成单个CSP灯珠封装结构，即得。
[0011]如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤S2具体包括以下步骤：
[0012]S201、制作电路：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；
[0013]S202、表面处理：采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层；
[0014]S203、印刷：通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨；
[0015]S204、开孔：采用激光切割在绝缘基材上开孔。
[0016]如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤S2具体包括以下步骤：
[0017]S211、制作电路一：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；
[0018]S212、印刷：通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨；
[0019]S213、开孔：采用激光切割在绝缘基材上开孔；
[0020]S214、制作电路二：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；
[0021]S215、表面处理：采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层。
[0022]如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，所述焊接薄膜层的材料为金、银、铜或锡，厚度为0.001微米至5微米。
[0023]如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤S2中，开孔尺寸的长宽比LED芯片尺寸的长宽各大0.5微米至80微米；
[0024]LED芯片的电极与金属基材之间形成间距大于0.5微米、小于80微米。
[0025]如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤S2中，所述的金属基材的材质为单材质材料或合金材料，所述单材质材料为金、银、铜、铁、铝或锡，厚度为1微米至100微米。
[0026]如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，所述绝缘基材为PI薄膜、PET薄膜、PC薄膜、PS薄膜中的单一或任意组合层叠结构，厚度为8微米至25微米。
[0027]如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，步骤S4中，荧光胶为混有荧光粉的封装胶，所述的封装胶为硅胶、改性硅树脂或环氧树脂，所述的荧光粉为掺杂的铝酸盐、掺杂的硅酸盐、掺杂的氮化物、掺杂的氟化物、掺杂的硫化物中一种或多种材料，所述的荧光粉在荧光胶内的重量占比为20％至75％。
[0028]如上所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，LED芯片的电极包括间隔设置的第一电极和第二电极；
[0029]预设金属图案包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧。
[0030]一种CSP灯珠封装结构，包括：
[0031]LED芯片，其底部设有电极，所述电极包括间隔设置的第一电极和第二电极；
[0032]绝缘载体层，其设于所述LED芯片周侧；
[0033]金属层，其设于所述绝缘载体层底部，包括间隔设置的第一金属层和第二金属层，且所述第一金属层间隔设于所述第一电极周侧，所述第二金属层间隔设于所述第二电极周侧；
[0034]荧光胶，其封装所述LED芯片、所述绝缘载体层和所述金属层，并使所述电极底部表面和所述金属层底部表面裸露，所述绝缘载体层与所述荧光胶的接触面设有反射层，所述反射层为白色油墨。
[0035]与现有技术相比，本申请的有益效果如下：
[0036]本申请提供一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，先将金属基材和绝缘基材贴合，然后在金属基材上制作出预设金属图案，再在绝缘基材上开设用于装载LED芯片的开孔，接着在开孔中排列LED芯片，并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距，再使用荧光胶膜将LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装，使得LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露，最后切割成单个CSP灯珠封装结构，本申请在LED芯片电极侧间隔设置金属层，可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构一有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和后端产品的可靠性及生产良率，同时相比于现有CSP封装结构二，本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
[0037]本申请提供一种CSP灯珠封装结构，通过在LED芯片周侧设置绝缘载体层，绝缘载
体层底部设置有与LED芯片电极具有间距的金属层，通过荧光胶将LED芯片、绝缘载体层和所述金属层封装，本申请在LED芯片电极侧间隔设置金属层，可使金属层充当LED芯片电极的扩展焊盘，增大了CSP的可焊接面积，可以有效地改善现有CSP封装结构一有效焊接面积较小问题，提升CSP的焊接附着力和CSP后端产品的可靠性及生产良率，同时相比于现有CSP封装结构二，本申请的CSP封装结构没有固晶焊料，可以有效的避免后段温度过高引起的CSP固晶焊料二次熔融的问题，解放后端产品的温度局限，适用于多次回流焊的复杂工艺。
附图说明
[0038]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
[0039]图1是现有C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于，包括以下步骤：S1、提供金属基材和绝缘基材，并将两者贴合；S2、在金属基材上制作出预设金属图案，在绝缘基材上开孔；S3、在开孔中排列LED芯片，并使LED芯片的电极与金属基材之间形成间距；S4、将荧光胶在绝缘基材侧对LED芯片、绝缘基材和金属基材进行封装，荧光胶对LED芯片与金属基材之间的间距进行填充，并使LED芯片的电极底部表面和金属基材底部表面裸露；S5、切割成单个CSP灯珠封装结构，即得。2.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤S2具体包括以下步骤：S201、制作电路：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；S202、表面处理：采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层；S203、印刷：通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨；S204、开孔：采用激光切割在绝缘基材上开孔。3.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤S2具体包括以下步骤：S211、制作电路一：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；S212、印刷：通过印刷或喷涂工艺在绝缘基材的表面印刷白色油墨；S213、开孔：采用激光切割在绝缘基材上开孔；S214、制作电路二：通过曝光、显影、蚀刻在金属基材上制作出预设的金属图案；S215、表面处理：采用化学镀、电镀、喷锡、沉金或溅射工艺对金属基材表面进行表面处理以形成焊接薄膜层。4.根据权利要求2或3所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：所述焊接薄膜层的材料为金、银、铜或锡，厚度为0.001微米至5微米。5.根据权利要求1所述的一种CSP灯珠封装结构的制作工艺，其特征在于：步骤S2中，开孔尺寸的长宽比...

【专利技术属性】
技术研发人员：皮保清，王洪贯，石红丽，
申请(专利权)人：中山市木林森电子有限公司，
类型：发明
国别省市：