一种LED芯片制造技术

本发明专利技术提供一种LED芯片，该芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条形的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。而提高芯片的发光效率。而提高芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片


[0001]本专利技术涉及半导体
，具体的，涉及一种LED芯片。

技术介绍

[0002]随着LED显示技术的迅速发展，具有优良显示效果的Mini LED甚至Micro LED已经成为行业研究热点。然而，Mini LED或Micro LED在生产、运输、加工过程中容易出现静电放电现象(Electro
‑
Static discharge，ESD)，即静电电荷在LED芯片的两个电极之间进行放电，导致LED芯片局部烧熔，从而造成漏电以及短路的现象。究其原因，一方面由于Mini LED或Micro LED的尺寸较小，瞬时释放的高电流局限在小区域，电流密度过高导致局部烧熔；另一方面，由于当前LED芯片电极设计主要为圆形，放电时电流集中在P电极边缘(靠近N电极一侧)，产生电流拥挤效应，从而导致该区域容易发生熔融击穿现象。

技术实现思路

[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术提出了一种LED芯片，本专利技术的LED芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，第一电极结构和第二电极结构均为沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在与第二方向垂直的第一方向上平行排布。长条状的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种LED芯片，所述LED芯片包括：
[0005]衬底；
[0006]外延层，形成在所述衬底的表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第一半导体层、第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面；
[0007]电极结构，包括第一电极结构和第二电极结构，所述第一电极结构形成在所述第一台面的表面上，与所述第一半导体层连接，所述第二电极结构形成在所述第二台面的表面上，与所述第二台面的第二半导体层连接，所述第一电极结构与第二电极结构在第一方向上并列排布；
[0008]其中，所述电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸。
[0009]可选地，所述电极结构为矩形。
[0010]可选地，所述电极结构为由两条相对的直边和两条相对的弧形边形成的轴对称图形，其对称轴沿所述第一方向，且与所述两条相对的直边平行。
[0011]可选地，在所述第一方向上，所述电极结构中的所述第一电极结构的两条弧形边向远离所述第二电极结构的方向弯曲，所述电极结构中的所述第二电极结构的两条弧形边
向远离所述第一电极结构的方向弯曲。
[0012]可选地，在所述第一方向上，所述电极结构中的所述第一电极结构的两条形弧边向靠近所述第二电极结构的方向弯曲，所述电极结构中的所述第二电极结构的两条弧形边向远离所述第一电极结构的方向弯曲。
[0013]可选地，所述弧形边在所述第一方向上的弯曲距离小于等于2μm。
[0014]可选地，所述电极结构包括电流扩展条和至少一个传导节点，所述电流扩展条和所述传导节点形成连续结构；所述传导节点在所述第二方向上的延伸距离小于所述电流扩展条在所述第二方向上的延伸距离；所述传导节点在所述第一方向上的延伸距离大于所述电流扩展条在所述第一方向上的延伸距离。
[0015]可选地，所述电极结构中的所述传导节点设置在所述第一电极结构和所述第二电极结构彼此相对的一侧。
[0016]可选地，所述第一电极结构的传导节点位于所述第一电极结构靠近所述第二电极结构的一侧，所述第二电极结构的传导节点位于所述第二电极结构远离所述第一电极结构的一侧。
[0017]可选地，在所述第一电极结构的传导节点对应的位置处，所述第一台面和所述第二台面的交界线在第一方向上向第二台面弯曲，并且所述交界线的弯曲距离小于等于所述第一电极结构与所述第二电极结构之间水平距离的15％。
[0018]可选地，所述第一电极结构的传导节点数量与所述第二电极结构的传导节点数量相同或者不同。
[0019]可选地，当所述第一电极结构的传导节点与所述第二电极结构的传导节点数量不同时，所述第一电极结构和所述第二电极结构的传导节点彼此交错设置。
[0020]可选地，还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层形成在所述第一台面和第二台面的表面。
[0021]可选地，还包括：
[0022]第一焊盘，形成在所述绝缘保护层上方与所述第一电极结构电性连接；
[0023]第二焊盘，形成在所述绝缘保护层上方与所述第二电极结构电性连接。
[0024]本专利技术提供的LED芯片，至少具有以下有益效果：
[0025]本专利技术的LED芯片包括衬底、形成在衬底表面的外延层，以及第一电极结构和第二电极结构，其中，电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸，即，第一电极结构和第二电极结构形成为长边沿第二方向延伸的长条形结构，且二者在第一方向上平行排布。长条状的电极结构使电流在第一电极结构和第二电极结构之间的传导路径平行且等距，避免了现有技术中电流在圆形电极结构之间传导时的最短路径，从而解决了电流拥挤效应引发熔融击穿的问题；此外，长条状的电极结构也能使电流的扩展更加均匀，进而提高芯片的发光效率。
[0026]另外，本专利技术的电极结构还可以包括电流扩展条和传导节点，并且传导节点在第二方向上的延伸距离小于电流扩展条在所述第二方向上的延伸距离；传导节点在所述第一方向上的延伸距离大于电流扩展条在第一方向上的延伸距离。上述电流扩展条形成了在第二方向上延伸的长条状结构，即，第一电极结构和第二电极结构的电流扩展条形成相互平行的结构。综合上述两方面的结构特点，具有电流扩展条和传导节点的电极结构同样能够
避免电荷在某一点的集中，避免由此引发的熔融击穿问题，增加芯片的可靠性。
[0027]本专利技术的电极结构中传导节点的数量可以根据LED芯片的实际尺寸或者有效面积进行调整，增加了电极结构的设计灵活性和多样性。
附图说明
[0028]图1显示为实施例一提供的LED芯片的剖面结构示意图。
[0029]图2显示为实施例一提供的LED芯片的电极结构俯视图。
[0030]图3～图4显示为实施例二提供的LED芯片的电极结构俯视图。
[0031]图5～图6显示为实施例三提供的LED芯片的电极结构俯视图。
[0032]图7显示为实施例四提供的LED芯片的电极结构俯视图。
[0033]图8～图9显示为实施例五提供的LED芯片的电极结构俯视图。
[0034]元件标号说明
[0035]1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
衬底
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40
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通孔
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；外延层，形成在所述衬底的表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第一半导体层、第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面；电极结构，包括第一电极结构和第二电极结构，所述第一电极结构形成在所述第一台面的表面上，与所述第一半导体层连接，所述第二电极结构形成在所述第二台面的表面上，与所述第二台面的第二半导体层连接，所述第一电极结构与第二电极结构在第一方向上并列排布；其中，所述电极结构在第一方向上延伸的尺寸小于其在与第一方向垂直的第二方向上延伸的尺寸。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电极结构为矩形。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电极结构为由两条相对的直边和两条相对的弧形边形成的轴对称图形，其对称轴沿所述第一方向，且与所述两条相对的直边平行。4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，在所述第一方向上，所述电极结构中的所述第一电极结构的两条弧形边向远离所述第二电极结构的方向弯曲，所述电极结构中的所述第二电极结构的两条弧形边向远离所述第一电极结构的方向弯曲。5.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，在所述第一方向上，所述电极结构中的所述第一电极结构的两条形弧边向靠近所述第二电极结构的方向弯曲，所述电极结构中的所述第二电极结构的两条弧形边向远离所述第一电极结构的方向弯曲。6.根据权利要求3
‑
5中任意一项所述的LED芯片，其特征在于，所述弧形边在所述第一方向上的弯曲距离小于等于2μm。7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电极结构包括电流...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨人龙，张丽明，郑逸，张中英，邓有财，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：