一种多单元式的发光二极管及其制作方法技术

本发明专利技术提供了多单元式的发光二极管，包括基板，以及设置在基板同侧表面上的n个单元的外延叠层；所述外延叠层自下而上依次包括第二半导体层、发光层和第一半导体层；且每个单元皆包括露出第一半导体层表面的第一平台和露出第二半导体层表面的第二平台；透明导电层，形成于所述每个单元的第一平台之上；导电配线层，与所述第一半导体层形成电性连接；保护层，设置在所述导电配线层下方；所述保护层形成于每个单元的第一平台和第二平台之上，并分别在每个单元的透明导电层和第二平台之上设置至少一个以上的保护层通孔，露出所述每个单元的透明导电层和第二平台。透明导电层和第二平台。透明导电层和第二平台。

【技术实现步骤摘要】
一种多单元式的发光二极管及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种发光装置，具体涉及一种多个单元的发光二极管及其制作方法。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，LED芯片以节能、高亮、耐久性高、寿命长、轻巧等优势占据照明、显示两大领域的主导地位。高电压LED芯片解决多晶封装的可靠性问题，并减少电压转换的能源损失。高压(HV)LED芯片在芯片制作阶段，将外延层分割成大量高压LED芯片，而每个高压LED芯片内包含若干独立的芯粒单元，它们串联起来构成高压发光二极管。与传统LED相比，高电压LED减少了封装阶段焊线次数，其具有简单稳定的电路设计、较高的电压转换效率、较低的能源损耗等优点，凭借自由调节电压与电流并有效简化LED驱动电路设计及封装有效提升了光输出效率。
[0003]发光二极管具有寿命长、体积小、发热度小以及耗电量低等优点；多单元式的发光二极管则具备高功率、封装成本低、容易配合应用需求制成极小元件的优势，已被广泛地应用于家电产品以及家用照明光源。
[0004]如附图1～3中给出了现有的多单元串接式二极管元件；图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多单元式的发光二极管，其特征在于，包括：基板，以及设置在基板同侧表面上的n个单元的外延叠层；其中，n≥2且n为正整数，所述外延叠层自下而上依次包括第二半导体层、发光层和第一半导体层；且每个单元皆包括露出第一半导体层表面的第一平台和露出第二半导体层表面的第二平台；透明导电层，形成于所述每个单元的第一平台之上；导电配线层，包括第一电极、第二电极与连接电极，与所述第一半导体层形成电性连接；保护层，设置在所述导电配线层下方；所述保护层形成于每个单元的第一平台和第二平台之上，并分别在每个单元的透明导电层和第二平台之上设置至少一个以上的保护层通孔，露出所述每个单元的透明导电层和第二平台；且所述保护层覆盖每个单元，形成于每个单元的第一平台和第二平台及单元间沟槽之上，为一个连续不间断的膜层。2.根据权利要求1所述的多单元式的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括：第一电极，经由第一发光二极管单元的透明导电层的保护层通孔和第一发光二极管单元所述的第一半导体层形成电性连接；第二电极，经由第n个单元的第二平台的保护层通孔和第n个单元的所述第二半导体层形成电性连接；连接电极，由数量为n
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1个连接条所组成，所述每个连接条分别经由第m个单元的第二平台的保护层通孔和第m+1个单元的透明导电层的保护层通孔，将所述第m个单元的第二半导体层和所述第m+1个单元的第一半导体层形成电性连接，其中n
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1≥m≥1且m为正整数。3.根据权利要求2所述的多单元式的发光二极管，其特征在于，所述第一电极下方结构包括自发光层依序往上分别为第一半导体层、透明导电层、保护层，其中，保护层的折射率n0小于透明导电层的折射率n1。4.根据权利要求2所述的多单元式的发光二极管，其特征在于，所述第一电极和第二电极均具有焊盘部和扩展条。5.根据权利要求4所述的多单元式的发光二极管，其特征在于，所述第一电极由第一焊盘和第一扩展条所组成，所述第一焊盘和...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚，李文涛，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：