一种具有侧壁异形电极结构的LED芯片制造技术

本发明专利技术提供了一种具有侧壁异形电极结构的LED芯片，包括：透明衬底；设置在所述透明衬底一侧的外延层，所述外延层包括在第一方向上依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述第一方向垂直于所述透明衬底且由所述透明衬底指向所述外延层；设置在所述外延层侧壁的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述N型半导体连接，所述第二电极与所述P型半导体连接。该LED芯片通过采用设置在外延层侧壁上的第一电极和第二电极，替换掉常规LED芯片的表面电极结构，进而极大程度的提高了LED芯片的发光区面积，并且，采用透明衬底实现了LED芯片的双面透明出光，以此提高LED芯片的出光效率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种具有侧壁异形电极结构的LED芯片


[0001]本专利技术涉及LED
，更具体地说，涉及一种具有侧壁异形电极结构的LED芯片。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断发展，LED(Light Emitting Diode，发光二极管)作为新型的发光器件，与传统的发光器件相比，LED具有节能、环保、显色性与响应速度好等优点被广泛应用于人们的生活和工作中，为人们的日常生活带来了极大的便利。
[0003]但是，目前LED芯片的电极结构均是采用表面电极结构，该表面电极结构占用了一部分发光区域，导致LED芯片的发光效率较低，且无法实现双面发光。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，为解决上述问题，本专利技术提供一种具有侧壁异形电极结构的LED芯片，技术方案如下：
[0005]一种具有侧壁异形电极结构的LED芯片，所述LED芯片包括：
[0006]透明衬底；
[0007]设置在所述透明衬底一侧的外延层，所述外延层包括在第一方向上依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述第一方向垂直于所述透明本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有侧壁异形电极结构的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：透明衬底；设置在所述透明衬底一侧的外延层，所述外延层包括在第一方向上依次设置的N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述第一方向垂直于所述透明衬底且由所述透明衬底指向所述外延层；设置在所述外延层侧壁的第一电极和第二电极，所述第一电极与所述N型半导体连接，所述第二电极与所述P型半导体连接。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：设置在所述P型半导体层背离所述透明衬底一侧的电流扩展层。3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：贯穿所述电流扩展层、所述P型半导体层和所述有源层，以及部分所述N型半导体层的边缘凹槽，所述边缘凹槽用于暴露出所述N型半导体层的边缘区域。4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极覆盖所述N型半导体层的侧壁以及暴露出的边缘区域。5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：设置在所述第一电极背离所述透明衬底一侧的绝缘层；所述绝缘层至少完全覆盖所述有源层的侧壁。6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述第二电极设置在所述绝缘层背离所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗坤，黄斌斌，陈权，韩忠富，刘兆，
申请(专利权)人：江西乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：