发光微元件以及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示面板技术领域，公开了一种发光微元件以及显示装置。该发光微元件包括至少两组发光结构组件。并且，该发光微元件还包括第一电极结构和第二电极结构，第一电极结构电连接至少两组发光结构组件的第一半导体结构，第二电极结构电连接至少两组发光结构组件的第二半导体结构。其中，第一电极结构的数量少于第二电极结构的数量，且相邻的发光结构组件彼此接触和/或相邻的发光结构组件和第一电极结构彼此接触。通过上述方式，本发明专利技术能够降低批量转移工艺的难度以及简化驱动背板上的走线设计。走线设计。走线设计。

【技术实现步骤摘要】
发光微元件以及显示装置


[0001]本专利技术涉及显示面板
，特别是涉及一种发光微元件以及显示装置。

技术介绍

[0002]随着平板显示和微型投影显示技术的发展，诸如Micro
‑
LED(Micro Light Emitting Diode，微型化无机发光二极管)等未来可期的主流核心显示技术具有显著的性能优势，越来越引起人们的广泛关注。其中，Micro
‑
LED可单独点亮，具有低功耗、高亮度、高清晰度与长寿命等优势。
[0003]在Micro
‑
LED的生产制造过程中，Micro
‑
LED的结构设计是关键环节。然而，目前Micro
‑
LED的芯片尺寸很小，其制备工艺、批量转移工艺的难度较大且良率较低，对相应工艺设备的硬件精度、对准精度以及稳定性等都有较高的要求。而且目前驱动背板上的走线密度较大，致使驱动背板的设计难度以及制作难度也较大。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术主要解决的技术问题是提供一种发光微元件以及显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光微元件，其特征在于，包括：至少两组发光结构组件，所述发光结构组件包括依次层叠的第一半导体结构、发光结构以及第二半导体结构；第一电极结构和第二电极结构，所述第一电极结构电连接所述至少两组发光结构组件的所述第一半导体结构，所述第二电极结构电连接所述至少两组发光结构组件的所述第二半导体结构，其中所述第一电极结构的数量少于所述第二电极结构的数量；其中，相邻的所述发光结构组件彼此接触和/或相邻的所述发光结构组件和所述第一电极结构彼此接触。2.根据权利要求1所述的发光微元件，其特征在于，所述发光微元件还包括下衬结构；所述至少两组发光结构组件位于所述下衬结构的同一侧，且所述第一半导体结构、所述发光结构以及所述第二半导体结构沿远离所述下衬结构的方向依次层叠；所述第一电极结构位于所述第一半导体结构背离所述下衬结构的一侧，所述第二电极结构位于所述第二半导体结构背离所述下衬结构的一侧，且所述第二电极结构和所述发光结构组件一一对应。3.根据权利要求2所述的发光微元件，其特征在于，所述发光结构组件还包括目标钝化结构，所述目标钝化结构沿所述第一半导体结构、所述发光结构以及所述第二半导体结构的层叠方向延伸，且所述目标钝化结构至少位于所述发光结构的侧面；相邻所述发光结构组件的所述目标钝化结构彼此接触；和/或在相邻的所述发光结构组件和所述第一电极结构中，所述发光结构组件的所述目标钝化结构和所述第一电极结构彼此接触。4.根据权利要求3所述的发光微元件，其特征在于，所述第一电极结构的数量为一个；所述发光结构组件的数量为两组，所述两组发光结构组件的所述第一半导体结构均电连接所述第一电极结构。5.根据权利要求3所述的发光微元件，其特征在于，所述发光微元件在参考平面上的正投影呈矩形，其中所述参考平面垂直于所述第一半导体结构、所述发光结构以及所述第二半导体结构的层叠方向；所述第一电极结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛翠翠，葛泳，田文亚，董小彪，王程功，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：