一种LED芯片制造技术

本实用新型专利技术提供一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、形成在所述衬底表面的外延层，以及形成在外延层表面的电极结构，其特征在于，所述电极结构的边缘区域具有至少一个台阶结构。所述台阶结构可以形成在电极结构的焊接层的边缘区域，改善在后续的打线工艺中线材对电极结构边缘区域的冲击；还可以形成在电极结构的焊接层边缘区域和保护层的边缘区域，增加保护层在反射层侧壁形成的厚度，加强反射层的侧壁保护，有效避免反射层中的金属迁移或析出，提高LED芯片的可靠性。高LED芯片的可靠性。高LED芯片的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种LED芯片


[0001]本技术涉及半导体
，具体的，涉及一种LED芯片。

技术介绍

[0002]LED由于具有寿命长、光效高、无辐射、低功耗、绿色环保等优点，目前已广泛应用在照明、显示屏、指示灯、背光源等领域。但随着应用领域的不断扩大，人们对LED产品特性的要求也日益提升，如何提升LED芯片的寿命、可靠度以及光效成为业内亟待解决的关键问题。
[0003]为了提高LED芯片的光提取率，通常使用具有高反射率的材料制备LED芯片的电极结构中的反射层，并在反射层表面覆盖数层保护层以提高产品的稳定性。但在传统的工艺过程中，对反射层侧壁的包覆通常是通过在其侧壁蒸镀保护层来实现的，此种方式形成的保护层无法完全避免反射层中的金属迁移或析出，导致LED芯片在使用过程中存在失效风险。

技术实现思路

[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术提出了一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、外延层，以及形成在外延层表面的电极结构，其中，电极结构的边缘区域具有至少一个台阶结构。所述台阶结构可以形成在电极结构的焊接层的边缘区域，以改善后续的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括：衬底；外延层，形成在所述衬底的表面，所述外延层包括依次叠置的第一半导体层、有源层及第二半导体层，所述第一半导体层形成第一台面，所述第二半导体层和所述有源层形成高于所述第一台面的第二台面；电极结构，所述电极结构包括形成在所述第一台面上的第一电极结构和形成在所述第二台面上的第二电极结构；其中，所述电极结构的边缘区域具有至少一个台阶结构。2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层覆盖在所述电极结构的侧壁，以及所述第一台面、第二台面的表面。3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电极结构包括：反射层，形成在所述外延层上方；保护层，形成在所述反射层表面及至少部分侧壁上，包覆所述反射层；焊接层，形成在所述保护层表面及至少部分侧壁上，包覆所述保护层。4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，电极结构在所...

【专利技术属性】
技术研发人员：臧雅姝，丘建生，蔡燕华，韩涛，郭明兴，朱华山，
申请(专利权)人：厦门三安光电有限公司，
类型：新型
国别省市：