本发明专利技术公开了一种单晶硅料漂洗装置及漂洗方法，属于单晶硅料处理技术领域，漂洗槽，漂洗槽上方设置有进水管，漂洗槽从上至下设置有三个排水孔，三个排水孔分别为第一排水孔、第二排水孔和第三排水孔，第一排水孔位于漂洗槽三分之二高度处且设置有第一阀门，第二排水孔位于漂洗槽三分之一高度处且设置有第二阀门，第三排水孔位于漂洗槽底部且设置有第三阀门，采用本发明专利技术的排水方法，极大的节省了漂洗时间，减少了耗水量，减少了污水的排放；提高了漂洗效率，节省了人工，而且绿色环保。而且绿色环保。而且绿色环保。
【技术实现步骤摘要】
一种单晶硅料漂洗装置及漂洗方法
[0001]本专利技术属于单晶硅料处理
，涉及一种单晶硅料漂洗装置及漂洗方法。
技术介绍
[0002]单晶工序生产加工过程中，会产生可循环使用硅料，需要经过单晶硅料处理工序，去除表面附着的杂质，字迹，水斑，氧化色等等。因全自动清洗设备处理工艺单一，工艺参数不能频繁切换，为了应对表面质量难处理的单晶硅料，使用人工清洗工艺进行处理，但在处理过程中，原先使用的漂洗工艺使用上进水下排水，水不断溢流方式，不足之处在于漂洗时间长，漂洗一水槽硅料至少需要2.5—4h左右，人工处理效率受较大影响，消耗的纯水资源与人工产能存在极大浪费现象。
技术实现思路
[0003]本专利技术要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足，而提供一种单晶硅料漂洗装置及漂洗方法，该一种单晶硅料漂洗装置及漂洗方法为解决上述技术问题，本专利技术提供如下技术方案：一种单晶硅料漂洗装置，包括漂洗槽，所述漂洗槽上方设置有进水管，所述漂洗槽从上至下设置有三个排水孔，所述三个排水孔分别为第一排水孔、第二排水孔和第三排水孔，所述第一排水孔位于漂洗槽三分之二高度处且设置有第一阀门，所述第二排水孔位于漂洗槽三分之一高度处且设置有第二阀门，所述第三排水孔位于漂洗槽底部且设置有第三阀门。
[0004]优选的，所述进水管与三个排水孔分别位于漂洗槽的两侧。
[0005]优选的，所述第一排水孔、第二排水孔和第三排水孔外接排水管路，所述第一阀门、第二阀门和第三阀门均为PVC球阀。
[0006]优选的，所述进水管外接纯水箱。
[0007]一种单晶硅料漂洗方法，采用所述单晶硅料漂洗装置，包括以下步骤：
[0008]S1：将单晶硅料放置在漂洗槽中，开启进水管流入漂洗槽纯水至水满，关闭进水管；
[0009]S2：打开第一阀门，排水完成后关闭第一阀门，
[0010]S3：打开进水管至漂洗槽水满后，打开第一阀门和第二阀门，排水完成后关闭第一阀门和第二阀门；
[0011]S4:打开进水管至漂洗槽水满后，打开第一阀门、第二阀门和第三阀门，排水完成后关闭第一阀门、第二阀门和第三阀门；
[0012]S5：重复步骤S1
‑
S4两次，打开进水管至漂洗槽水满后，测试漂洗槽内PH值，若达到中性，清洗完成；若为酸性，重复步骤S1
‑
S4。
[0013]有益效果：此方式改变传统的上进水下排水，水不断溢流的漂洗结构和漂洗方式，采用分层排水，分层进水的方式，按照本专利技术的排水装置的结构，采用本专利技术的排水方法，极大的节省了漂洗时间，减少了耗水量，减少了污水的排放；提高了漂洗效率，节省了人工，
而且绿色环保。
附图说明
[0014]图1为漂洗装置结构示意图；
[0015]图中符号说明：1：漂洗槽；2：进水管；3：排水管路；4：第一排水孔；5：第二排水孔；6：第三排水孔；41：第一阀门；51：第二阀门；61：第三阀门。
具体实施方式
[0016]下面结合附图和具体较佳实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0017]本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“左侧”、“右侧”、“上部”、“下部”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，“第一”、“第二”等并不表示零部件的重要程度，因此不能理解为对本专利技术的限制。本实施例中采用的具体尺寸只是为了举例说明技术方案，并不限制本专利技术的保护范围。
[0018]实施例1：
[0019]参考图1，本专利技术提供一种技术方案，一种单晶硅料漂洗装置，包括漂洗槽1，漂洗槽1上方设置有进水管2，漂洗槽1从上至下设置有三个排水孔，三个排水孔分别为第一排水孔4、第二排水孔5和第三排水孔6，第一排水孔4位于漂洗槽1三分之二高度处且设置有第一阀门41，第二排水孔5位于漂洗槽1三分之一高度处且设置有第二阀门51，第三排水孔6位于漂洗槽1底部且设置有第三阀门61。
[0020]进一步地，进水管2与三个排水孔分别位于漂洗槽1的两侧，有利于纯水对单晶硅料的充分漂洗，增加接触时间。
[0021]进一步地，第一排水孔4、第二排水孔5和第三排水孔6外接排水管路3，第一阀门41、第二阀门51和第三阀门61均为PVC球阀，排水管路3可以方便排水至固定位置，PVC材质的球阀不仅控制水流流量大小，还可以防止酸腐蚀。
[0022]进一步地，进水管2外接纯水箱，保证纯水的供给，也可以外接一些漂洗液箱体，根据生产需要选择。
[0023]实施例2：
[0024]参考图1，本专利技术提供一种技术方案,在实施例1的基础上，一种单晶硅料漂洗方法，采用单晶硅料漂洗装置，包括以下步骤：
[0025]S1：将单晶硅料放置在漂洗槽1中，开启进水管2流入漂洗槽1纯水至水满，关闭进水管2；
[0026]S2：打开第一阀门41，排水完成后关闭第一阀门41，
[0027]S3：打开进水管2至漂洗槽1水满后，打开第一阀门41和第二阀门51，排水完成后关闭第一阀门41和第二阀门51；
[0028]S4:打开进水管2至漂洗槽1水满后，打开第一阀门41、第二阀门51和第三阀门61，排水完成后关闭第一阀门41、第二阀门51和第三阀门61；
[0029]S5：重复步骤S1
‑
S4两次，打开进水管2至漂洗槽1水满后，测试漂洗槽1内PH值，若达到中性，清洗完成；若为酸性，重复步骤S1
‑
S4。
[0030]实施例3：
[0031]在实施例1和2的基础上，漂洗槽1尺寸为1*1*1m，因单晶硅料之前存在缝隙，放单晶硅料至漂洗槽1的3/4位置处可装填250kg硅料，根据硅的密度，体积为0.107立方米；
[0032]S1:将单晶硅料放置在漂洗槽1中，开启进水管2流入漂洗槽1纯水至水满，进水量为0.893立方米，注水时间耗时11分钟，关闭进水管2；
[0033]S2：打开第一阀门41，排水量为0.297立方米，排水完成后关闭第一阀门41，
[0034]S3:打开进水管2至漂洗槽1水满后，进水量为0.297立方米，打开第一阀门41和第二阀门51，排出漂洗槽1三分之一高度之上的水，排水量为0.595立方米，排水完成后关闭第一阀门41和第二阀门51；
[0035]S4:打开进水管2至漂洗槽1水满后，进水量为0.595立方米，打开第一阀门41、第二阀门51和第三阀门61，排出漂洗槽1内所有纯水，排水量为0.893立方米；排水完成后关闭第一阀门41、第二阀门51和第三阀门61；
[0036]S5：重复步骤S1
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S4两次，打开进水管2至漂洗槽1水满后，测试漂洗槽1内PH值，测试为中性，符合标准；三次重复操作时间90分钟，耗水量为5.358立方米。
[0037]现有技术使用的漂洗工艺使用上进水下排水，水不断本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种单晶硅料漂洗装置，其特征在于：包括漂洗槽(1)，所述漂洗槽(1)上方设置有进水管(2)，所述漂洗槽(1)从上至下设置有三个排水孔，所述三个排水孔分别为第一排水孔(4)、第二排水孔(5)和第三排水孔(6)，所述第一排水孔(4)位于漂洗槽(1)三分之二高度处且设置有第一阀门(41)，所述第二排水孔(5)位于漂洗槽(1)三分之一高度处且设置有第二阀门(51)，所述第三排水孔(6)位于漂洗槽(1)底部且设置有第三阀门(61)。2.根据权利要求1所述的一种单晶硅料漂洗装置，其特征在于：所述进水管(2)与三个排水孔分别位于漂洗槽(1)的两侧。3.根据权利要求1所述的一种单晶硅料漂洗装置，其特征在于：所述第一排水孔(4)、第二排水孔(5)和第三排水孔(6)外接排水管路(3)，所述第一阀门(41)、第二阀门(51)和第三阀门(61)均为PVC球阀。4.根据权利要求1所述的一种单晶硅料漂洗装置，其特征在于：所述进水管(...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚翠云，王艺澄，
申请(专利权)人：包头美科硅能源有限公司，
类型：发明
国别省市：
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