【技术实现步骤摘要】
半导体系统封装及其制造方法
[0001]本揭露实施例是有关于一种半导体系统封装及其制造方法。
技术介绍
[0002]由于各种电子组件(例如,晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的持续改善,半导体行业已经历快速发展。在很大程度上,集成密度的改善来自于最小特征大小(feature size)的不断减小,这使得更多的组件能够集成到给定面积内。随着对缩小电子器件的需求已增加,亟需更小且更具创造性的半导体管芯的封装技术。这种封装系统的实例是叠层封装(Package
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Package,PoP)技术。在PoP器件中,顶部半导体封装被堆叠在底部半导体封装的顶部上,以提供高集成水平及组件密度。PoP技术一般能够生产功能性得到增强且在印刷电路板(printed circuit board,PCB)上占用空间小的半导体器件。
技术实现思路
[0003]本揭露实施例提供一种形成半导体系统封装的方法,所述方法包括:在第一载体衬底之上形成多个导电垫;将局部有机内连线接合到所述多个导电垫 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体系统封装的制造方法,包括:在第一载体衬底之上形成多个导电垫;将局部有机内连线接合到所述多个导电垫,其中所述局部有机内连线包括第二载体衬底;将所述局部有机内连线及所述多个导电垫包封在模塑化合物中;通过将所述模塑化合物与所述局部有机内连线的钝化材料平坦化来移除所述第二载体衬底;形成与所述模塑化合物相邻的第一重布线层;形成与所述第一重布线层相邻的第一外部连接件;以及在所述第一重布线层之上形成第二外部连接件,所述第二外部连接件通过局部重布线走线电耦合到所述第一外部连接件,所述局部重布线走线嵌置在所述局部有机内连线的所述钝化材料内。2.根据权利要求1所述的制造方法,其中形成所述第一重布线层包括:从所述局部有机内连线的凸块下金属移除所述多个导电垫;以及形成所述第一重布线层的多个导电特征至所述凸块下金属。3.根据权利要求1所述的制造方法,其中形成所述第一重布线层包括形成所述第一重布线层的多个导电特征至所述多个导电垫。4.根据权利要求1所述的制造方法,还包括:与所述多个导电垫相邻地在所述第一载体衬底之上形成穿孔;将所述穿孔与所述局部有机内连线及所述多个导电垫一起包封在所述模塑化合物中;形成与所述局部有机内连线的背侧相邻的第二重布线层,所述第二重布线层通过所述穿孔电耦合到所述第一重布线层;以及将外部连接件贴合到所述第二重布线层,所述外部连接件电耦合到所述局部有机内连线。5.一种半导体系统封装的制造方法,包括:在载体衬底之上形成第一定位垫及第二定位垫;将局部内连线贴合到所述第一定位垫及所述第二定位垫,所述第一定位垫通过嵌置在所述局部内连线的钝化材料内的局部导电迹线电...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴俊毅,余振华,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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